[發明專利]多層陶瓷電容器和多層陶瓷電容器的制造方法

有效

• 申請號: 201710795227.3
• 申請日: 2017-09-06
• 公開（公告）號: CN107799307B
• 公開（公告）日: 2021-04-06
• 發明（設計）人: 千輝紀之
• 申請（專利權）人: 太陽誘電株式會社
• 主分類號: H01G4/30
• 分類號: H01G4/30;H01G4/12
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳

本發明提供一種多層陶瓷電容器，其包括：多層結構，其中多個陶瓷電介質層中的每一層和多個包括陶瓷共用材料的內部電極層中的每一層交替層疊，其中包括在陶瓷電介質層中并與內部電極層接觸的陶瓷晶粒中的Mg濃度小于共用材料中的Mg濃度。

技術領域

本發明的某方面涉及多層陶瓷電容器和多層陶瓷電容器的制造方法。

背景技術

最近，例如智能電話或移動電話的電子裝置的尺寸正在變小。因此，電子裝置上安裝的電子組件的尺寸在迅速變小。例如，在多層陶瓷電容器代表的芯片型多層陶瓷電子組件領域，盡管性能得以保證，但陶瓷層和內部電極的厚度減小，以降低芯片的大小。

通常，作為共用材料(co-material)使用的陶瓷晶粒(ceramic grain)的組成與電介質層相同(例如，參見日本專利申請公開第2010-103198號、第2014-067775號和第2014-236214號)。

發明內容

為了增大多層陶瓷電容器的電容，降低陶瓷層的厚度和增大陶瓷層材料的介電常數是有效的。為了降低陶瓷層的厚度，減小材料的直徑大小是有效的。但是，由于尺寸效應，減小大小導致介電常數降低。為了解決該問題，有許多項涉及電介質體組成和精細結構控制的發明。作為摻雜劑的例子，已知有Mg(鎂)。已知通過形成核殼結構導致例如使電容(介電常數)平滑于溫度特性的功能。但是，該形成工藝可能導致在室溫下介電常數降低。當通過另一元素控制溫度特性的平滑或者核殼結構易于通過焙燒溫度的溫度增加速率而保持時，通過降低Mg的摻雜量或者從不摻雜Mg而得到高的介電常數。

另一方面，當降低內部電極的厚度時，有可能增加多層的層數，并增大電容。但是，如果簡單地降低厚度，可能無法保持高的連續性模量(continuity modulus)。而且，由于連續性模量降低，電容可能降低。由于層疊方向上的膨脹導致的陶瓷層的缺陷，可靠性可能降低。因此，存在如下問題：當降低厚度時，連續性模量可能降低。特別地，出于高介電常數目的不包括Mg的材料導致內部電極的連續性模量降低。

本發明的一目的是提供能夠實現電介質層的高介電常數和內部電極層的高連續性模量的多層陶瓷電容器和多層陶瓷電容器的制造方法。

根據本發明一方面，提供一種多層陶瓷電容器，其包括：多層結構，其中多個陶瓷電介質層中的每一層和多個包括陶瓷共用材料的內部電極層中的每一層交替層疊，其中包括在陶瓷電介質層中并與內部電極層接觸的陶瓷晶粒中的Mg濃度小于共用材料中的Mg濃度。

根據本發明另一方面，提供一種多層陶瓷電容器的制造方法，其包括：形成包括陶瓷顆粒的生片(green sheet)；通過將生片與包括陶瓷共用材料的用于形成內部電極的導電漿料交替層疊而形成多層結構；和將多層結構焙燒，其中生片中相對于陶瓷顆粒的主要組分陶瓷的Mg原子濃度小于用于形成內部電極的導電漿料的共用材料中相對于主要組分陶瓷的Mg原子濃度。

附圖說明

圖1示出多層陶瓷電容器的局部透視圖；

圖2示出連續性模量；

圖3A和圖3B示出陶瓷晶粒的數量；

圖4示出多層陶瓷電容器的制造方法流程；且

圖5示出測量值。

具體實施方式

參考附圖給出對實施方式的說明。

[實施方式]

現將給出對多層陶瓷電容器的說明。圖1示出多層陶瓷電容器100的局部透視圖。如圖1所示，多層陶瓷電容器100包括具有長方體形狀的多層芯片10和一對彼此面對的分別設置在多層芯片10的兩個邊緣面的外部電極20和30。