[發明專利]預測晶圓缺陷的方法及系統

有效

• 申請號: 201710794558.5
• 申請日: 2017-09-06
• 公開（公告）號: CN108122799B
• 公開（公告）日: 2022-04-12
• 發明（設計）人: 張仰宏;孫哲原;柯志明;胡浚明
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 李昕巍;章侃銥

本公開提供一種預測晶圓缺陷的方法，包括：接收從測試晶圓獲得的缺陷數據。測試晶圓是依據集成電路設計布局而被制造。基于缺陷數據接收多個第一注意區域，第一注意區域個別對應集成電路設計布局的發生晶圓缺陷的區域。對第一注意區域執行頻域分析。至少部分地基于頻域分析，借此對集成電路設計布局的晶圓缺陷幾率進行預測操作。

技術領域

本發明實施例涉及半導體工藝，特別涉及預測晶圓缺陷的方法。

背景技術

半導體集成電路的產業經歷了快速的成長。集成電路的材料與設計的技術進步已經產生了數個世代的集成電路，其中每一個世代具有比上一個世代更小與更復雜的電路。然而，這些進步增加了處理和制造集成電路的復雜度，而且為了實現這些進步，在集成電路的處理和制造的領域中亦需要類似的發展。在集成電路演進的過程中，在幾何尺寸(亦即，使用工藝可創建的最小元件(或線))減小的情況下，功能密度(亦即，每個芯片面積的互連裝置的數量)通常增加。

部分半導體制作的挑戰是如何準確與有效率地預測缺陷。在根據集成電路設計布局制造光刻掩模之后，可以生產測試晶圓，進而基于測試晶圓判別晶圓缺陷。這些晶圓缺陷可以追溯到集成電路布局，借此在大量生產期間預測潛在的晶圓缺陷位置。在大量生產之前了解這些晶圓缺陷的位置及/或類型，可以采取修正措施來解決導致缺陷的問題，從而有助于防止裝置故障，提高產率并且降低成本。然而，現有的識別缺陷和預測晶圓缺陷位置的方法并不十分有效或準確。例如，傳統的晶圓缺陷預測方法可能仍然涉及太多的“猜測工作(guess work)”。

因此，雖然集成電路制造的現有的缺陷識別和預測已可符合上述一般的目的，但是仍無法滿足所有的方面。

發明內容

本發明實施例提供一種預測晶圓缺陷的方法。接收從測試晶圓取得的缺陷數據。測試晶圓依據集成電路設計布局制造。基于缺陷數據接收多個第一注意區域。每一個第一注意區域對應集成電路設計布局的發生晶圓缺陷的區域。對第一注意區域執行頻域分析。至少部分地基于頻域分析以對集成電路設計布局的晶圓缺陷幾率進行預測操作。

附圖說明

根據以下的詳細說明并配合說明書附圖做完整公開。應注意的是，根據本產業的一般作業，各圖示是用于說明的目的且未必按照比例繪制。事實上，可能任意的放大或縮小元件的尺寸，以做清楚的說明。

圖1是依據本發明實施例的預測晶圓缺陷的流程圖。

圖2是依據本發明實施例的兩個簡化的注意區域的二元布局圖。

圖3是依據本發明實施例，描繪較大注意區域與較小注意區域之間的關系。

圖4是依據本發明實施例，描繪建構加權的注意區域影像的程序。

圖5是依據本發明實施例的預測晶圓缺陷的方法流程圖。

圖6是依據本發明實施例，描繪被配置以執行預測晶圓缺陷的機器。

附圖標記說明：

100～處理流程

100A～訓練部分

100B～檢查部分

105、110、130、150～操作

120、120A、120B～注意區域

121A、122A、123A、121B、122B、123B～集成電路布局圖案

130A、130B～子操作

140～量值成分

141～相位成分

160～公共注意區域

170～缺陷

L、W～尺寸