[發(fā)明專利]預(yù)測晶圓缺陷的方法及系統(tǒng)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710794558.5
• 申請日: 2017-09-06
• 公開（公告）號: CN108122799B
• 公開（公告）日: 2022-04-12
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張仰宏;孫哲原;柯志明;胡浚明
• 申請（專利權(quán)）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66
• 代理公司: 隆天知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003
• 代理人: 李昕巍;章侃銥

1.一種預(yù)測晶圓缺陷的方法，包括：

接收從一測試晶圓取得的缺陷數(shù)據(jù)，其中該測試晶圓依據(jù)一集成電路設(shè)計布局以制造；

基于該缺陷數(shù)據(jù)接收多個第一注意區(qū)域，其中每一個所述第一注意區(qū)域?qū)?yīng)該集成電路設(shè)計布局的發(fā)生一晶圓缺陷的一區(qū)域；

對所述第一注意區(qū)域執(zhí)行一頻域分析；

將該集成電路設(shè)計布局分成多個第二注意區(qū)域，其中每一個所述第二注意區(qū)域?qū)?yīng)該集成電路設(shè)計布局的被用以檢驗該晶圓缺陷幾率的區(qū)域；

對該第二注意區(qū)域執(zhí)行該頻域分析；

將該頻域分析對于該第一注意區(qū)域的第一結(jié)果與該頻域分析對于該第二注意區(qū)域的第二結(jié)果進行比較操作；以及

至少部分地基于該頻域分析以對該集成電路設(shè)計布局的一晶圓缺陷幾率進行一預(yù)測操作，其中該預(yù)測操作至少部分地基于所述比較操作以執(zhí)行，并且該預(yù)測操作包括預(yù)測該晶圓缺陷發(fā)生在該第二注意區(qū)域中的任何一者的數(shù)值幾率。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中每一個該第一注意區(qū)域與每一個該第二注意區(qū)域具有相同的尺寸。

3.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該比較操作包括計算該第一結(jié)果與該第二結(jié)果之間的余弦相似度。

4.如權(quán)利要求1所述的方法，其中在該預(yù)測操作之前，還包括：

基于該缺陷數(shù)據(jù)接收多個第三注意區(qū)域，其中每一個該第三注意區(qū)域?qū)?yīng)該第一注意區(qū)域中的一相應(yīng)第一注意區(qū)域的被選擇區(qū)域；

將該集成電路設(shè)計布局分成多個第四注意區(qū)域；以及

對該第一注意區(qū)域與該第四注意區(qū)域執(zhí)行一基于影像的匹配程序，其中該預(yù)測操作至少部分地根據(jù)該基于影像的匹配程序以執(zhí)行。

5.如權(quán)利要求4所述的方法，其中每一個該第三注意區(qū)域與每一個該第四注意區(qū)域具有相同的尺寸。

6.如權(quán)利要求4所述的方法，其中該預(yù)測操作還至少部分地基于所接收的該缺陷數(shù)據(jù)以執(zhí)行。

7.如權(quán)利要求1所述的方法，其中執(zhí)行該頻域分析的操作還包括對該第一注意區(qū)域執(zhí)行離散傅里葉轉(zhuǎn)換。

8.如權(quán)利要求7所述的方法，其中執(zhí)行該離散傅里葉轉(zhuǎn)換產(chǎn)生量值數(shù)據(jù)以及相位數(shù)據(jù)，且該方法還包括：

執(zhí)行使用該量值數(shù)據(jù)但不使用該相位數(shù)據(jù)的主成分分析；以及

基于該主成分分析獲取主成分以及特征向量，借此將該第一注意區(qū)域表示為該頻域分析的結(jié)果。

9.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該預(yù)測操作運用簡單貝氏分類技術(shù)以執(zhí)行。

10.如權(quán)利要求1所述的方法，還包括：

產(chǎn)生對應(yīng)該第一注意區(qū)域中的一者的加權(quán)影像，其中該加權(quán)影像包括多個像素，每一個該像素基于自身與該晶圓缺陷的相關(guān)性而被加權(quán)。

11.如權(quán)利要求10所述的方法，其中該加權(quán)影像至少部分地通過逆離散傅里葉轉(zhuǎn)換而產(chǎn)生。

12.一種預(yù)測晶圓缺陷的方法，包括：

接收從測試晶圓取得的缺陷數(shù)據(jù)，其中該測試晶圓依據(jù)集成電路設(shè)計布局制造；

基于該缺陷數(shù)據(jù)接收一或多個第一注意區(qū)域，其中一或多個該第一注意區(qū)域個別對應(yīng)該集成電路設(shè)計布局的發(fā)生晶圓缺陷的區(qū)域；

對一或多個該第一注意區(qū)域執(zhí)行第一頻域分析；

基于該第一頻域分析以獲得第一結(jié)果；

對一或多個第二注意區(qū)域執(zhí)行第二頻域分析，其中一或多個該第二注意區(qū)域各自對應(yīng)該集成電路設(shè)計布局的被用以檢驗晶圓缺陷幾率的區(qū)域；

基于該第二頻域分析以獲得第二結(jié)果；

判定操作以決定該第一結(jié)果與該第二結(jié)果之間的相似度；以及

基于判定結(jié)果并且使用簡單貝氏分類技術(shù)以執(zhí)行預(yù)測操作，借此預(yù)測缺陷發(fā)生在一或多個該第二注意區(qū)域的缺陷幾率。