[發明專利]光掩模的制造方法、光掩模以及顯示裝置的制造方法

有效

• 申請號: 201710793919.4
• 申請日: 2017-09-06
• 公開（公告）號: CN107817648B
• 公開（公告）日: 2020-12-29
• 發明（設計）人: 山口昇
• 申請（專利權）人: HOYA株式會社
• 主分類號: G03F1/00
• 分類號: G03F1/00;G03F1/32
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 黃綸偉;朱麗娟

1.一種光掩模的制造方法，該光掩模具有對在透明基板上形成的遮光膜和半透光膜分別進行圖案形成而形成的轉印用圖案，該轉印用圖案具有透光部、半透光部和遮光部，其特征在于，該光掩模的制造方法具有：

遮光膜圖案形成工序，對所述透明基板上形成的遮光膜進行圖案形成來形成遮光膜圖案；

半透光膜形成工序，在包含所述遮光膜圖案的所述透明基板上形成半透光膜；

透光部形成工序，部分地去除所述半透光膜、或所述半透光膜和所述遮光膜，從而形成所述透光部；以及

半透光膜去除工序，去除所述遮光膜圖案上的所述半透光膜，

所述遮光膜在表面側具有防反射層，

在所述半透光膜去除工序中，在成為所述半透光部的區域中形成抗蝕劑圖案，

所述抗蝕劑圖案在所述半透光部和所述遮光部相鄰的部分中，在所述遮光部側具有附加了規定尺寸的余裕的尺寸，

當設所述余裕的尺寸為M1，設與所述半透光部相鄰的所述遮光部的尺寸為S時，滿足M1≤0.5S，其中M1、S的單位為μm。

2.一種光掩模的制造方法，該光掩模具備對在透明基板上形成的遮光膜和半透光膜分別進行圖案形成而形成的轉印用圖案，該轉印用圖案具有透光部、半透光部和遮光部，其特征在于，該光掩模的制造方法具有：

遮光膜圖案形成工序，對所述透明基板上形成的遮光膜進行圖案形成來形成遮光膜圖案；

半透光膜形成工序，在包含所述遮光膜圖案的所述透明基板上形成半透光膜；

透光部形成工序，通過對所述半透光膜進行圖案形成，形成所述透光部，并且去除所述遮光膜圖案上的所述半透光膜，

所述遮光膜在表面側具有防反射層，

在所述透光部形成工序中，在成為所述半透光部的區域中形成抗蝕劑圖案，

所述抗蝕劑圖案在所述半透光部和所述遮光部相鄰的部分中，在所述遮光部側具有附加了規定尺寸的余裕的尺寸，

當設所述余裕的尺寸為M1，設與所述半透光部相鄰的所述遮光部的尺寸為S時，滿足M1≤0.5S，其中M1、S的單位為μm。

3.根據權利要求2所述的光掩模的制造方法，其特征在于，

在所述透光部形成工序中，僅對所述半透光膜進行圖案形成。

4.根據權利要求1～3中任一項所述的光掩模的制造方法，其特征在于，

0.2M1。

5.根據權利要求1～3中任一項所述的光掩模的制造方法，其特征在于，

0.2M1≤0.3S。

6.根據權利要求1～3中任一項所述的光掩模的制造方法，其特征在于，

所述遮光膜在表面側具有防反射層，所述遮光膜的針對曝光光的代表波長的光反射率小于30％。

7.根據權利要求6所述的光掩模的制造方法，其特征在于，

將所述遮光膜和所述半透光膜層疊起來時的針對曝光光的代表波長的光反射率為35％以上。

8.根據權利要求1～3中任一項所述的光掩模的制造方法，其特征在于，

所述遮光膜和所述半透光膜能夠通過相同的蝕刻劑進行蝕刻，且所述半透光膜的蝕刻所需時間HT與所述遮光膜的蝕刻所需時間OT之比HT：OT為1：3～1：20。

9.根據權利要求1～3中任一項所述的光掩模的制造方法，其特征在于，

所述遮光膜和所述半透光膜能夠通過相同的蝕刻劑進行蝕刻，且所述遮光膜的平均蝕刻速率OR與所述半透光膜的蝕刻速率HR之比OR：HR為1.5：1～1：5。

10.根據權利要求1～3中任一項所述的光掩模的制造方法，其特征在于，

所述半透光膜針對曝光光的代表波長具有3％～60％的透射率。