[發明專利]一種去除DBR膜層的制作方法

有效

• 申請號: 201710793690.4
• 申請日: 2017-09-06
• 公開（公告）號: CN107623060B
• 公開（公告）日: 2019-10-25
• 發明（設計）人: 艾國齊
• 申請（專利權）人: 佛山市國星半導體技術有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L33/46
• 代理公司: 廣州三環專利商標代理有限公司 44202
• 代理人: 胡楓

本發明提供的一種去除DBR膜層的制作方法，包括：提供一LED晶圓，其中，所述LED晶圓的底部設有DBR膜層，對所述DBR膜層進行刻蝕，形成第一孔洞，對所述第一孔洞進行干法刻蝕，形成貫穿所述DBR膜層的第二孔洞，對所述DBR膜層進行濕法刻蝕，去除所述DBR膜層，先對DBR膜層進行光刻，能夠形成多個規則、尺寸同一的第一孔洞，這樣有利于后續的刻蝕，從而最終使DBR膜層順利去除，進一步地，通過形成第二孔洞便于使刻蝕溶液滲入到所述DBR膜層與所晶園的述襯底之間，從而便于去除所述DBR膜層，提高DBR膜層的去除率。

技術領域

本發明涉及一種發光二極管技術領域，尤其涉及一種去除DBR膜層的制作方法。

背景技術

LED(Light Emitting Diode，發光二極管)是一種利用載流子復合時釋放能量形成發光的半導體器件，LED芯片具有耗電低、色度純、壽命長、體積小、響應時間快、節能環保等諸多優勢。

目前，為了提高LED芯片的外量子效率，一般在LED芯片的襯底背面蒸鍍一層DBR膜層，通過所述DBR膜層將從襯底背面發出的光反射到芯片的正面出光，從而提高LED芯片的亮度。

但是，目前的DBR膜層制作工藝良率較低，不合格的DBR膜層在形成后需要進行返工處理，所述返工處理是指先將DBR膜層去除，然后再從新形成新的DBR膜層。由于DBR膜層的密度高，目前使用的濕法浸泡BOE溶液難以完全除去DBR膜層，需要進行反復去除處理，從而增加生產時間和成本。

發明內容

本發明所要解決的技術問題在于，提供一種去除DBR膜層的制作方法，工藝簡單，DBR膜層去除效率高、去除時間短。

為了解決上述技術問題，本發明提供了一種去除DBR膜層的制作方法，包括：

提供一LED晶圓，其中，所述LED晶圓的底部設有DBR膜層；

對所述DBR膜層進行刻蝕，形成第一孔洞；

對所述第一孔洞進行干法刻蝕，形成貫穿所述DBR膜層的第二孔洞；

對所述DBR膜層進行濕法刻蝕，去除所述DBR膜層。

作為上述方案的改進，所述LED晶圓的制作方法，包括：

提供一襯底：

在所述襯底上形成發光結構，其中，所述發光結構包括設于所述襯底上的第一半導體層，設于所述第一半導體層上的有源層和第一電極，設于所述有源層上的第二半導體層，設于所述第二半導體層上的第二電極，設于所述第二半導體層上的透明導電層，設于所述透明導電層表面的鈍化層；

在所述襯底的背面形成DBR膜層。

作為上述方案的改進，所述發光結構的制作方法，包括：

在所述襯底的任一表面依次形成外延層和透明導電層，其中，所述外延層包括依次設于所述襯底表面的第一半導體層、有源層和第二半導體層；

對所述透明導電層和所述外延層進行刻蝕，形成貫穿透明導電層，并延伸至所述第一半導體層的切割道，將所述第一半導體層裸露出來；

在所述第一半導體層上形成第一電極，在所述透明導電層上形成第二電極；

在所述透明導電層表面形成鈍化層。

作為上述方案的改進，采用ICP或RIE干法刻蝕工藝對所述第一孔洞進行干法刻蝕，其中，通入刻蝕氣體為CF4、SF₆、CHF₃或含F氣體。

作為上述方案的改進，采用HF和NH₄F的混合溶液對所述DBR膜層進行濕法刻蝕，其中，HF和NH₄F的比例為1：5-30。