[發(fā)明專利]一種去除DBR膜層的制作方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710793690.4
• 申請日: 2017-09-06
• 公開（公告）號: CN107623060B
• 公開（公告）日: 2019-10-25
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 艾國齊
• 申請（專利權(quán)）人: 佛山市國星半導(dǎo)體技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L33/46
• 代理公司: 廣州三環(huán)專利商標(biāo)代理有限公司 44202
• 代理人: 胡楓

1.一種去除DBR膜層的制作方法，包括：

提供一LED晶圓，其中，所述LED晶圓的底部設(shè)有DBR膜層；

采用光刻工藝對所述DBR膜層進(jìn)行刻蝕，形成第一孔洞，第一孔洞的深度為所述DBR膜層總厚度的10％～50％；

對所述第一孔洞進(jìn)行干法刻蝕，形成貫穿所述DBR膜層的第二孔洞，所述第二孔洞與第一孔洞的總的深度為所述DBR膜層的深度的101-108％；

采用HF和NH₄F的混合溶液對所述DBR膜層進(jìn)行濕法刻蝕，去除所述DBR膜層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述LED晶圓的制作方法，包括：

提供一襯底：

在所述襯底上形成發(fā)光結(jié)構(gòu)，其中，所述發(fā)光結(jié)構(gòu)包括設(shè)于所述襯底上的第一半導(dǎo)體層，設(shè)于所述第一半導(dǎo)體層上的有源層和第一電極，設(shè)于所述有源層上的第二半導(dǎo)體層，設(shè)于所述第二半導(dǎo)體層上的第二電極，設(shè)于所述第二半導(dǎo)體層上的透明導(dǎo)電層，設(shè)于所述透明導(dǎo)電層表面的鈍化層；

在所述襯底的背面形成DBR膜層。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述發(fā)光結(jié)構(gòu)的制作方法，包括：

在所述襯底的任一表面依次形成外延層和透明導(dǎo)電層，其中，所述外延層包括依次設(shè)于所述襯底表面的第一半導(dǎo)體層、有源層和第二半導(dǎo)體層；

對所述透明導(dǎo)電層和所述外延層進(jìn)行刻蝕，形成貫穿透明導(dǎo)電層，并延伸至所述第一半導(dǎo)體層的切割道，將所述第一半導(dǎo)體層裸露出來；

在所述第一半導(dǎo)體層上形成第一電極，在所述透明導(dǎo)電層上形成第二電極；

在所述透明導(dǎo)電層表面形成鈍化層。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的制作方法，其特征在于，采用ICP或RIE干法刻蝕工藝對所述第一孔洞進(jìn)行干法刻蝕，其中，通入刻蝕氣體為CF4、SF₆、CHF₃或含F(xiàn)氣體。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，將所述LED晶圓浸泡在所述HF和NH₄F的混合溶液中2-30min。

6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的制作方法，其特征在于，所述第一孔洞設(shè)有一個或多個，其中，所述第一孔洞的直徑為10-100微米。

7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制作方法，其特征在于，采用電子束蒸發(fā)工藝在所述襯底的背面上形成DBR膜層，其中，所述DBR膜層的厚度為1-5微米。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述DBR膜層由SiO₂、Ti₃O₅、Al₂O₃、TaO₅中的一種或幾種制成。

9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制作方法，其特征在于，在形成發(fā)光結(jié)構(gòu)之后，在形成DBR膜層之前，其制作方法包括：對所述襯底進(jìn)行研磨、拋光，將所述LED晶圓減薄到100-200微米。