[發(fā)明專利]一種顯示面板及其制程有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710788449.2 | 申請(qǐng)日: | 2017-09-05 |
| 公開(公告)號(hào): | CN107622975B | 公開(公告)日: | 2020-01-14 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 張良芬 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 深圳市華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/77 | 分類號(hào): | H01L21/77;H01L27/12 |
| 代理公司: | 44300 深圳翼盛智成知識(shí)產(chǎn)權(quán)事務(wù)所(普通合伙) | 代理人: | 黃威 |
| 地址: | 518132 廣東省深*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 顯示 面板 及其 | ||
本發(fā)明提供了一種顯示面板及其制程,顯示面板制程包括:提供一基板層;在所述基板層上形成薄膜晶體管;在所述薄膜晶體管上形成一層平坦層;在所述平坦層上形成輔助電極層;在所述輔助電極層上依次沉積多層薄膜,所述多層薄膜中單層薄膜的致密性從下往上逐漸增大;對(duì)所述多層薄膜涂敷光阻、曝光、顯影形成預(yù)設(shè)圖案,形成預(yù)設(shè)圖案的所述多層薄膜的寬度相等;對(duì)所述多層薄膜進(jìn)行干蝕刻,以使所述多層薄膜中單層薄膜的寬度從下往上逐漸變大;去除所述多層薄膜上的涂覆光阻,形成倒梯形的陰極隔離柱。陰極隔離柱具有制程穩(wěn)定性好,大板均一性好的特點(diǎn),并在后續(xù)制程中不容易從基板上脫落。簡化了制作倒梯形的陰極隔離柱的制程,提高了效率。
【技術(shù)領(lǐng)域】
本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種顯示面板及顯示面板柵極信號(hào)的控制方法。
【背景技術(shù)】
現(xiàn)有的顯示面板主要包括有液晶(Liquid Crystal Display,LCD)顯示面板和OLED(Organic Light Emitting Diode,OLED)顯示面板。其中,OLED顯示面板具有自發(fā)光、驅(qū)動(dòng)電壓低、發(fā)光效率高、響應(yīng)時(shí)間短、清晰度與對(duì)比度高、近180°視角、使用溫度范圍寬,可實(shí)現(xiàn)柔性顯示與大面積全色顯示等諸多優(yōu)點(diǎn),被業(yè)界公認(rèn)為是最有發(fā)展?jié)摿Φ娘@示面板。隨著OLED顯示面板的工藝、制程的提升,以及成本的降低,OLED電視逐漸普及,為更多人所認(rèn)識(shí)和接受。
而且,因OLED具有超越LCD的顯示特性與品質(zhì):例如輕薄化,短的反應(yīng)時(shí)間,低的驅(qū)動(dòng)電壓更好的顯示色彩以及顯示視角等優(yōu)點(diǎn),其受到大家廣泛的關(guān)注,近些年其發(fā)展日新月異,不僅可以制作曲面顯示,同時(shí)也逐漸向大尺寸發(fā)展。但是大尺寸又存在IR DropIssue,甚至目視可見Mura,故在工藝上制作輔助電極以及陰極隔離柱,將陰極隔離開從而達(dá)到單獨(dú)控制陰極,從而減少IR Drop的問題,改善顯示問題.
傳統(tǒng)的陰極隔離柱制作方式是通過有機(jī)光阻涂敷,曝光,顯影制作而成,通過控制工藝參數(shù)形成倒梯形;穩(wěn)定性差。
【發(fā)明內(nèi)容】
本發(fā)明的一個(gè)目的在于提供一種顯示面板的制程,其陰極隔離柱穩(wěn)定性好。
本發(fā)明的另一個(gè)目的在于提供一種顯示面板,其陰極隔離柱穩(wěn)定性好。
為解決上述問題,本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例提供了一種顯示面板的制程,所述顯示面板的制程包括:
提供一基板層;
在所述基板層上形成薄膜晶體管;
在所述薄膜晶體管上形成一層平坦層;
在所述平坦層上形成輔助電極層;
在所述輔助電極層上依次沉積多層薄膜,所述多層薄膜中單層薄膜的致密性從下往上逐漸增大;
對(duì)所述多層薄膜涂敷光阻、曝光、顯影形成預(yù)設(shè)圖案,形成預(yù)設(shè)圖案的所述多層薄膜的寬度相等;
對(duì)所述多層薄膜進(jìn)行干蝕刻,以使所述多層薄膜中單層薄膜的寬度從下往上逐漸變大;
去除所述多層薄膜上的涂覆光阻,形成倒梯形的陰極隔離柱。
在本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的顯示面板的制程中,所述多層薄膜中單層薄膜的致密性從下往上逐漸增大,包括:
所述多層薄膜包括至少三層薄膜,所述多層薄膜中相鄰薄膜的致密性的差值從下往上逐漸增大或減小。
在本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的顯示面板的制程中,在所述輔助電極層上依次沉積多層薄膜,包括:
通過化學(xué)氣相沉積法在所述輔助電極層上依次沉積多層薄膜。
在本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的顯示面板的制程中,在所述輔助電極層上依次沉積多層薄膜的步驟,包括:
多次進(jìn)入機(jī)臺(tái),其中每次進(jìn)入機(jī)臺(tái)在所述輔助電極層上沉積一層薄膜。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





