[發明專利]一種顯示面板及其制程

有效

• 申請號: 201710788449.2
• 申請日: 2017-09-05
• 公開（公告）號: CN107622975B
• 公開（公告）日: 2020-01-14
• 發明（設計）人: 張良芬
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L27/12
• 代理公司: 44300 深圳翼盛智成知識產權事務所(普通合伙)
• 代理人: 黃威

1.一種顯示面板的制程，其特征在于，包括：

提供一基板層；

在所述基板層上形成薄膜晶體管；

在所述薄膜晶體管上形成一層平坦層；

在所述平坦層上形成輔助電極層；

在所述輔助電極層上依次沉積多層薄膜，所述多層薄膜中單層薄膜的致密性從下往上逐漸增大；

對所述多層薄膜涂敷光阻，對所述光阻曝光、顯影形成圖像；

對所述多層薄膜進行干蝕刻，將超出所述圖像部分去除，并使所述多層薄膜中單層薄膜的寬度從下往上逐漸變大；

去除所述多層薄膜上的涂敷光阻，形成倒梯形的陰極隔離柱。

2.根據權利要求1所述的顯示面板的制程，其特征在于，所述多層薄膜中單層薄膜的致密性從下往上逐漸增大，包括：

所述多層薄膜包括至少三層薄膜，所述多層薄膜中相鄰薄膜的致密性的差值從下往上逐漸增大或減小。

3.根據權利要求1所述的顯示面板的制程，其特征在于，在所述輔助電極層上依次沉積多層薄膜，包括：

通過化學氣相沉積法在所述輔助電極層上依次沉積多層薄膜。

4.根據權利要求1所述的顯示面板的制程，其特征在于，在所述輔助電極層上依次沉積多層薄膜的步驟，包括：

多次進入機臺，其中每次進入機臺在所述輔助電極層上沉積一層薄膜。

5.根據權利要求1所述的顯示面板的制程，其特征在于，在所述輔助電極層上依次沉積多層薄膜的步驟，包括：

進入一次機臺，在所述輔助電極層上多步驟沉積多層薄膜。

6.根據權利要求1所述的顯示面板的制程，其特征在于，在制程過程中通入SiNx、N₂、NH₃、TEOS、N₂O中一種或多種氣體。

7.根據權利要求1所述的顯示面板的制程，其特征在于，所述輔助電極由ITO、Mo、Al、Ti、Cu及其合金中的一種或多種形成。

8.根據權利要求1所述的顯示面板的制程，其特征在于，所述平坦化層為化學氣相沉積法沉積形成的薄膜。

9.一種顯示面板，其特征在于，包括：

一基板層；

薄膜晶體管，形成在所述基板層上；

一平坦層，形成在所述薄膜晶體管上；

一輔助電極層，形成在所述平坦層上；

一陰極隔離柱，形成在所述輔助電極層上，所述陰極隔離柱包括多層薄膜，所述多層薄膜中單層薄膜的致密性從下往上逐漸增大，所述多層薄膜中單層薄膜的寬度從下往上逐漸增大，所述陰極隔離柱呈倒梯形。

10.根據權利要求9所述的顯示面板，其特征在于，所述多層薄膜包括至少三層薄膜，所述多層薄膜中相鄰薄膜的致密性的差值從下往上逐漸增大或減小。