[發(fā)明專利]一種超真空銫/銣注入填充系統(tǒng)裝置及工藝流程

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710788281.5
• 申請(qǐng)日: 2017-09-05
• 公開（公告）號(hào): CN107472725A
• 公開（公告）日: 2017-12-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 周興明
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 周興明
• 主分類號(hào): B65D88/54
• 分類號(hào): B65D88/54;B65D88/74;B65D90/48
• 代理公司: 北京盛凡智榮知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11616
• 代理人: 張蕾

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及銫/銣注入填充技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種超真空銫/銣注入填充系統(tǒng)裝置及工藝流程。

背景技術(shù)

隨著科學(xué)技術(shù)的高速發(fā)展，高端電子產(chǎn)品對(duì)時(shí)間和頻率的精度及穩(wěn)定性等方面提出了更嚴(yán)格的要求，由于準(zhǔn)確度高，長(zhǎng)期穩(wěn)定性好，原子鐘被廣泛用于GPS同步授時(shí)、導(dǎo)航定位、導(dǎo)彈及衛(wèi)星定位、天文觀測(cè)、精密閥氣設(shè)備校準(zhǔn)、通訊、高速交通管理、地球物理勘探等領(lǐng)域。

但是傳統(tǒng)原子鐘體積大、功耗高、價(jià)格昂貴，使其在手持電子設(shè)備中的應(yīng)用受到限制，需要一種芯片級(jí)原子鐘銫/銣超真空注入填充系統(tǒng)為銫/銣芯片開發(fā)應(yīng)用提供一種新途徑，且現(xiàn)有的試驗(yàn)室超真空系統(tǒng)多采用人工滴注填充，填充時(shí)易氧化，成品率低，成本高，操作難度大，不能規(guī)?；a(chǎn)。

發(fā)明內(nèi)容

為解決上述問(wèn)題，本發(fā)明提供一種超真空銫/銣注入填充系統(tǒng)裝置，本發(fā)明結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，使用方便，可以實(shí)現(xiàn)自動(dòng)上料滴注填充，且設(shè)置有全自動(dòng)定位盤及相對(duì)應(yīng)銫/銣注入填充器可以準(zhǔn)確的進(jìn)行填充，填充迅速，不易氧化，成品率高，成本低，操作簡(jiǎn)單，可以大規(guī)模生產(chǎn)。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用以下技術(shù)手段：

本發(fā)明提供一種超真空銫/銣注入填充系統(tǒng)裝置，其特征在于，包括底座、不銹鋼箱體，所述不銹鋼箱體設(shè)置在底座上，所述不銹鋼箱體包括上部箱體、下部箱體，所述下部箱體上設(shè)置有硅片送入口，所述硅片送入口連接有第一硅片輸送裝置，所述第一硅片輸送裝置將硅片輸送到硅片全自動(dòng)定位盤，所述上部箱體內(nèi)部設(shè)置有與硅片全自動(dòng)定位盤相對(duì)應(yīng)的銫/銣注入填充器，所述銫/銣注入填充器上設(shè)置有加熱器，所述銫/銣注入填充器通過(guò)導(dǎo)軌座微系統(tǒng)裝置與設(shè)置在上部箱體內(nèi)部上端的第一導(dǎo)軌連接，所述硅片全自動(dòng)定位盤通過(guò)第二硅片輸送裝置將硅片輸送到二次鍵合平臺(tái)，所述二次鍵合平臺(tái)上部對(duì)應(yīng)設(shè)置有硅片靜電鍵合系統(tǒng)裝置，所述二次鍵合平臺(tái)通過(guò)第二硅片輸送裝置將硅片輸送至硅片送出口，所述上部箱體上設(shè)置有氮?dú)?氬氣入口、維修檢查孔、操作視鏡孔、檢修口管道，所述檢修口管道上設(shè)置有真空傳感器、壓力傳感器、抽真空口。

進(jìn)一步的，所述第一硅片輸送裝置在不銹鋼箱體內(nèi)部，包括第一硅片儲(chǔ)存柜、第一電動(dòng)升降平臺(tái)、第一硅片遞送器裝置，所述第一硅片儲(chǔ)存柜設(shè)置在下部箱體左側(cè)與所述硅片送入口相對(duì)應(yīng)連通，所述第一硅片儲(chǔ)存柜內(nèi)部設(shè)置有第一電動(dòng)升降平臺(tái)，所述第一電動(dòng)升降平臺(tái)底部與底座連接，所述第一硅片遞送器裝置與第一電動(dòng)升降平臺(tái)相對(duì)應(yīng)設(shè)置在第一硅片儲(chǔ)存柜上部。

進(jìn)一步的，所述第一硅片遞送器裝置包括第一吸盤升降座、第一吸盤升降桿、第一硅片吸盤，所述第一吸盤升降座通過(guò)第二導(dǎo)軌裝置與上部箱體連接，所述第一吸盤升降桿設(shè)置在第一吸盤升降座上，所述第一吸盤升降桿上部連接有第一吸盤升降控制系統(tǒng)裝置，所述所述第一吸盤升降桿下端設(shè)置有第一硅片吸盤，所述第一硅片吸盤與第一電動(dòng)升降平臺(tái)相對(duì)應(yīng)。

進(jìn)一步的，所述第一導(dǎo)軌包括X軸導(dǎo)軌、Y軸導(dǎo)軌、Z軸導(dǎo)軌三個(gè)方位導(dǎo)軌裝置。

進(jìn)一步的，所述硅片全自動(dòng)定位盤、二次鍵合平臺(tái)對(duì)應(yīng)設(shè)置在第二導(dǎo)軌裝置上，所述硅片全自動(dòng)定位盤通過(guò)電機(jī)裝置在第二導(dǎo)軌裝置上移動(dòng)，所述硅片全自動(dòng)定位盤通過(guò)硅片定位系統(tǒng)保持與銫/銣注入填充器相對(duì)應(yīng)。

進(jìn)一步的，所述第二硅片輸送裝置在不銹鋼箱體內(nèi)部，包括第二硅片儲(chǔ)存柜、第二電動(dòng)升降平臺(tái)、第二硅片遞送器裝置，所述第二硅片儲(chǔ)存柜設(shè)置在下部箱體右側(cè)與所述硅片送出口相對(duì)應(yīng)連通，所述第二硅片儲(chǔ)存柜內(nèi)部設(shè)置有第二電動(dòng)升降平臺(tái)，所述第二電動(dòng)升降平臺(tái)底部與底座連接，所述第二硅片遞送器裝置與第二電動(dòng)升降平臺(tái)相對(duì)應(yīng)設(shè)置在第二硅片儲(chǔ)存柜上部。

進(jìn)一步的，所述第二硅片遞送器裝置包括第二吸盤升降座、第二吸盤升降桿、第二硅片吸盤，所述第二吸盤升降座通過(guò)第二導(dǎo)軌裝置與上部箱體連接，所述第二吸盤升降桿設(shè)置在第二吸盤升降座上，所述第二吸盤升降桿上部連接有第二吸盤升降控制系統(tǒng)裝置，所述所述第二吸盤升降桿下端設(shè)置有第二硅片吸盤，所述第二硅片吸盤與第二電動(dòng)升降平臺(tái)、二次鍵合平臺(tái)、硅片全自動(dòng)定位盤相對(duì)應(yīng)。

進(jìn)一步的，所述第一硅片輸送裝置、硅片全自動(dòng)定位盤、導(dǎo)軌座微系統(tǒng)裝置、第二硅片輸送裝置的驅(qū)動(dòng)裝置通過(guò)自動(dòng)控制系統(tǒng)控制，所述自動(dòng)控制系統(tǒng)連接有系統(tǒng)電源裝置。

本發(fā)明還提供一種超真空銫/銣注入填充系統(tǒng)工藝流程，包括使用上述設(shè)備，具體包括以下步驟：

(1)打開主電源開關(guān)

(2)將一次鍵膜硅片裝入如權(quán)利要求1所述的超真空銫/銣注入填充系統(tǒng)裝置；

(3)抽真空系統(tǒng)(抽真空至10-4pa)；

(4)測(cè)試氬氣/氮?dú)怙柡投龋?/p>