[發明專利]一種超真空銫/銣注入填充系統裝置及工藝流程

在審

• 申請號: 201710788281.5
• 申請日: 2017-09-05
• 公開（公告）號: CN107472725A
• 公開（公告）日: 2017-12-15
• 發明（設計）人: 周興明
• 申請（專利權）人: 周興明
• 主分類號: B65D88/54
• 分類號: B65D88/54;B65D88/74;B65D90/48
• 代理公司: 北京盛凡智榮知識產權代理有限公司11616
• 代理人: 張蕾

技術領域

本發明涉及銫/銣注入填充技術領域，特別涉及一種超真空銫/銣注入填充系統裝置及工藝流程。

背景技術

隨著科學技術的高速發展，高端電子產品對時間和頻率的精度及穩定性等方面提出了更嚴格的要求，由于準確度高，長期穩定性好，原子鐘被廣泛用于GPS同步授時、導航定位、導彈及衛星定位、天文觀測、精密閥氣設備校準、通訊、高速交通管理、地球物理勘探等領域。

但是傳統原子鐘體積大、功耗高、價格昂貴，使其在手持電子設備中的應用受到限制，需要一種芯片級原子鐘銫/銣超真空注入填充系統為銫/銣芯片開發應用提供一種新途徑，且現有的試驗室超真空系統多采用人工滴注填充，填充時易氧化，成品率低，成本高，操作難度大，不能規模化生產。

發明內容

為解決上述問題，本發明提供一種超真空銫/銣注入填充系統裝置，本發明結構簡單，使用方便，可以實現自動上料滴注填充，且設置有全自動定位盤及相對應銫/銣注入填充器可以準確的進行填充，填充迅速，不易氧化，成品率高，成本低，操作簡單，可以大規模生產。

為實現上述目的，本發明采用以下技術手段：

本發明提供一種超真空銫/銣注入填充系統裝置，其特征在于，包括底座、不銹鋼箱體，所述不銹鋼箱體設置在底座上，所述不銹鋼箱體包括上部箱體、下部箱體，所述下部箱體上設置有硅片送入口，所述硅片送入口連接有第一硅片輸送裝置，所述第一硅片輸送裝置將硅片輸送到硅片全自動定位盤，所述上部箱體內部設置有與硅片全自動定位盤相對應的銫/銣注入填充器，所述銫/銣注入填充器上設置有加熱器，所述銫/銣注入填充器通過導軌座微系統裝置與設置在上部箱體內部上端的第一導軌連接，所述硅片全自動定位盤通過第二硅片輸送裝置將硅片輸送到二次鍵合平臺，所述二次鍵合平臺上部對應設置有硅片靜電鍵合系統裝置，所述二次鍵合平臺通過第二硅片輸送裝置將硅片輸送至硅片送出口，所述上部箱體上設置有氮氣/氬氣入口、維修檢查孔、操作視鏡孔、檢修口管道，所述檢修口管道上設置有真空傳感器、壓力傳感器、抽真空口。

進一步的，所述第一硅片輸送裝置在不銹鋼箱體內部，包括第一硅片儲存柜、第一電動升降平臺、第一硅片遞送器裝置，所述第一硅片儲存柜設置在下部箱體左側與所述硅片送入口相對應連通，所述第一硅片儲存柜內部設置有第一電動升降平臺，所述第一電動升降平臺底部與底座連接，所述第一硅片遞送器裝置與第一電動升降平臺相對應設置在第一硅片儲存柜上部。

進一步的，所述第一硅片遞送器裝置包括第一吸盤升降座、第一吸盤升降桿、第一硅片吸盤，所述第一吸盤升降座通過第二導軌裝置與上部箱體連接，所述第一吸盤升降桿設置在第一吸盤升降座上，所述第一吸盤升降桿上部連接有第一吸盤升降控制系統裝置，所述所述第一吸盤升降桿下端設置有第一硅片吸盤，所述第一硅片吸盤與第一電動升降平臺相對應。

進一步的，所述第一導軌包括X軸導軌、Y軸導軌、Z軸導軌三個方位導軌裝置。

進一步的，所述硅片全自動定位盤、二次鍵合平臺對應設置在第二導軌裝置上，所述硅片全自動定位盤通過電機裝置在第二導軌裝置上移動，所述硅片全自動定位盤通過硅片定位系統保持與銫/銣注入填充器相對應。

進一步的，所述第二硅片輸送裝置在不銹鋼箱體內部，包括第二硅片儲存柜、第二電動升降平臺、第二硅片遞送器裝置，所述第二硅片儲存柜設置在下部箱體右側與所述硅片送出口相對應連通，所述第二硅片儲存柜內部設置有第二電動升降平臺，所述第二電動升降平臺底部與底座連接，所述第二硅片遞送器裝置與第二電動升降平臺相對應設置在第二硅片儲存柜上部。

進一步的，所述第二硅片遞送器裝置包括第二吸盤升降座、第二吸盤升降桿、第二硅片吸盤，所述第二吸盤升降座通過第二導軌裝置與上部箱體連接，所述第二吸盤升降桿設置在第二吸盤升降座上，所述第二吸盤升降桿上部連接有第二吸盤升降控制系統裝置，所述所述第二吸盤升降桿下端設置有第二硅片吸盤，所述第二硅片吸盤與第二電動升降平臺、二次鍵合平臺、硅片全自動定位盤相對應。

進一步的，所述第一硅片輸送裝置、硅片全自動定位盤、導軌座微系統裝置、第二硅片輸送裝置的驅動裝置通過自動控制系統控制，所述自動控制系統連接有系統電源裝置。

本發明還提供一種超真空銫/銣注入填充系統工藝流程，包括使用上述設備，具體包括以下步驟：

(1)打開主電源開關

(2)將一次鍵膜硅片裝入如權利要求1所述的超真空銫/銣注入填充系統裝置；

(3)抽真空系統(抽真空至10-4pa)；

(4)測試氬氣/氮氣飽和度；