[發(fā)明專利]一種超真空銫/銣注入填充系統(tǒng)裝置及工藝流程

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710788281.5
• 申請日: 2017-09-05
• 公開（公告）號: CN107472725A
• 公開（公告）日: 2017-12-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 周興明
• 申請（專利權(quán)）人: 周興明
• 主分類號: B65D88/54
• 分類號: B65D88/54;B65D88/74;B65D90/48
• 代理公司: 北京盛凡智榮知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11616
• 代理人: 張蕾

1.一種超真空銫/銣注入填充系統(tǒng)裝置，其特征在于，包括底座、不銹鋼箱體，所述不銹鋼箱體設(shè)置在底座上，所述不銹鋼箱體包括上部箱體、下部箱體，所述下部箱體上設(shè)置有硅片送入口，所述硅片送入口連接有第一硅片輸送裝置，所述第一硅片輸送裝置將硅片輸送到硅片全自動(dòng)定位盤，所述上部箱體內(nèi)部設(shè)置有與硅片全自動(dòng)定位盤相對應(yīng)的銫/銣注入填充器，所述銫/銣注入填充器上設(shè)置有加熱器，所述銫/銣注入填充器通過導(dǎo)軌座微系統(tǒng)裝置與設(shè)置在上部箱體內(nèi)部上端的第一導(dǎo)軌連接，所述硅片全自動(dòng)定位盤通過第二硅片輸送裝置將硅片輸送到二次鍵合平臺(tái)，所述二次鍵合平臺(tái)上部對應(yīng)設(shè)置有硅片靜電鍵合系統(tǒng)裝置，所述二次鍵合平臺(tái)通過第二硅片輸送裝置將硅片輸送至硅片送出口，所述上部箱體上設(shè)置有氮?dú)?氬氣入口、維修檢查孔、操作視鏡孔、檢修口管道，所述檢修口管道上設(shè)置有真空傳感器、壓力傳感器、抽真空口。

2.根據(jù)權(quán)利要1所述的一種超真空銫/銣注入填充系統(tǒng)裝置，其特征在于，所述第一硅片輸送裝置在不銹鋼箱體內(nèi)部，包括第一硅片儲(chǔ)存柜、第一電動(dòng)升降平臺(tái)、第一硅片遞送器裝置，所述第一硅片儲(chǔ)存柜設(shè)置在下部箱體左側(cè)與所述硅片送入口相對應(yīng)連通，所述第一硅片儲(chǔ)存柜內(nèi)部設(shè)置有第一電動(dòng)升降平臺(tái)，所述第一電動(dòng)升降平臺(tái)底部與底座連接，所述第一硅片遞送器裝置與第一電動(dòng)升降平臺(tái)相對應(yīng)設(shè)置在第一硅片儲(chǔ)存柜上部。

3.根據(jù)權(quán)利要2所述的一種超真空銫/銣注入填充系統(tǒng)裝置，其特征在于，所述第一硅片遞送器裝置包括第一吸盤升降座、第一吸盤升降桿、第一硅片吸盤，所述第一吸盤升降座通過第二導(dǎo)軌裝置與上部箱體連接，所述第一吸盤升降桿設(shè)置在第一吸盤升降座上，所述第一吸盤升降桿上部連接有第一吸盤升降控制系統(tǒng)裝置，所述所述第一吸盤升降桿下端設(shè)置有第一硅片吸盤，所述第一硅片吸盤與第一電動(dòng)升降平臺(tái)相對應(yīng)。

4.根據(jù)權(quán)利要1所述的一種超真空銫/銣注入填充系統(tǒng)裝置，其特征在于，所述第一導(dǎo)軌包括X軸導(dǎo)軌、Y軸導(dǎo)軌、Z軸導(dǎo)軌三個(gè)方位導(dǎo)軌裝置。

5.根據(jù)權(quán)利要1所述的一種超真空銫/銣注入填充系統(tǒng)裝置，其特征在于，所述硅片全自動(dòng)定位盤、二次鍵合平臺(tái)對應(yīng)設(shè)置在第二導(dǎo)軌裝置上，所述硅片全自動(dòng)定位盤通過電機(jī)裝置在第二導(dǎo)軌裝置上移動(dòng)，所述硅片全自動(dòng)定位盤通過硅片定位系統(tǒng)保持與銫/銣注入填充器相對應(yīng)。

6.根據(jù)權(quán)利要1所述的一種超真空銫/銣注入填充系統(tǒng)裝置，其特征在于，所述第二硅片輸送裝置在不銹鋼箱體內(nèi)部，包括第二硅片儲(chǔ)存柜、第二電動(dòng)升降平臺(tái)、第二硅片遞送器裝置，所述第二硅片儲(chǔ)存柜設(shè)置在下部箱體右側(cè)與所述硅片送出口相對應(yīng)連通，所述第二硅片儲(chǔ)存柜內(nèi)部設(shè)置有第二電動(dòng)升降平臺(tái)，所述第二電動(dòng)升降平臺(tái)底部與底座連接，所述第二硅片遞送器裝置與第二電動(dòng)升降平臺(tái)相對應(yīng)設(shè)置在第二硅片儲(chǔ)存柜上部。

7.根據(jù)權(quán)利要6所述的一種超真空銫/銣注入填充系統(tǒng)裝置，其特征在于，所述第二硅片遞送器裝置包括第二吸盤升降座、第二吸盤升降桿、第二硅片吸盤，所述第二吸盤升降座通過第二導(dǎo)軌裝置與上部箱體連接，所述第二吸盤升降桿設(shè)置在第二吸盤升降座上，所述第二吸盤升降桿上部連接有第二吸盤升降控制系統(tǒng)裝置，所述所述第二吸盤升降桿下端設(shè)置有第二硅片吸盤，所述第二硅片吸盤與第二電動(dòng)升降平臺(tái)、二次鍵合平臺(tái)、硅片全自動(dòng)定位盤相對應(yīng)。

8.根據(jù)權(quán)利要1所述的一種超真空銫/銣注入填充系統(tǒng)裝置，其特征在于，所述第一硅片輸送裝置、硅片全自動(dòng)定位盤、導(dǎo)軌座微系統(tǒng)裝置、第二硅片輸送裝置的驅(qū)動(dòng)裝置通過自動(dòng)控制系統(tǒng)控制，所述自動(dòng)控制系統(tǒng)連接有系統(tǒng)電源裝置。

9.一種超真空銫/銣注入填充系統(tǒng)工藝流程，其特征在于,包括使用如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，具體流程包括以下步驟：

(1)打開主電源開關(guān)

(2)將一次鍵膜硅片裝入如權(quán)利要求1所述的超真空銫/銣注入填充系統(tǒng)裝置；

(3)抽真空系統(tǒng)(抽真空至10-4pa)；

(4)測試氬氣/氮?dú)怙柡投龋?/p>

(5)對金屬銫/銣進(jìn)行加溫熔解，加溫熔解時(shí)間為20min，溫度為40度；

(6)啟動(dòng)第一硅片輸送裝置，使硅片從第一硅片存儲(chǔ)柜中轉(zhuǎn)移至注入填充位置，關(guān)閉第一硅片輸送裝置；

(7)開啟硅片定位系統(tǒng)，確認(rèn)已精確定位，關(guān)閉硅片定位系統(tǒng)；

(8)開啟銫/銣注入填充系統(tǒng)，按設(shè)定程序?qū)杵⒖走M(jìn)行注入填充，填充完畢，關(guān)閉注入填充系統(tǒng)；

(9)開啟第二硅片輸送系統(tǒng)，把注入填充好的硅片轉(zhuǎn)移至二次鍵合平臺(tái)，關(guān)閉第二硅片輸送系統(tǒng)，至此一塊硅片銫或銣注入填充作業(yè)完成；

(10)循環(huán)重復(fù)1至9工作流程。