[發明專利]動態隨機存取存儲器處理單元

有效

• 申請號: 201710786369.3
• 申請日: 2017-09-04
• 公開（公告）號: CN108022615B
• 公開（公告）日: 2023-03-28
• 發明（設計）人: 李雙辰;牛迪民;克里希納·馬拉丁;鄭宏忠
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: G11C11/408
• 分類號: G11C11/408
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 于翔;曾世驍

1.一種基于動態隨機存取存儲器的處理單元，包括：

至少一個計算單元陣列，該至少一個計算單元陣列包括布置在具有至少第一預定數量的列和第二預訂數量的行的陣列中的多個基于動態隨機存取存儲器DRAM的計算單元，其中，第一預訂數量大于或等于3并且第二預定數量大于或等于3，每個列被配置為提供針對所述每個列中的第一行和第二行進行運算的邏輯功能并被配置為將所述邏輯功能的結果存儲在所述每個列中的第三行中，所述至少一個計算單元陣列還包括第三預定數量的移位線，其中，第三預定數量為第一預定數量的2倍，每個移位線通過至少一個相應的第一晶體管被結合到計算單元的列，移位線和相應的第一晶體管被配置為在所述至少一個計算單元陣列中將選擇的列的計算單元的兩個行的內容沿右方向或沿左方向移位至少兩個列。

2.如權利要求1所述的基于動態隨機存取存儲器的處理單元，其中，所述至少第一預定數量的列的基于DRAM的計算單元中的每個基于DRAM的計算單元包括三晶體管一電容器DRAM存儲器單元。

3.如權利要求2所述的基于動態隨機存取存儲器的處理單元，其中，所述至少第一預定數量的列的基于DRAM的計算單元提供或非邏輯功能。

4.如權利要求1所述的基于動態隨機存取存儲器的處理單元，其中，所述至少第一預定數量的列的基于DRAM的計算單元中的每個基于DRAM的計算單元包括一晶體管一電容器DRAM存儲器單元。

5.如權利要求4所述的基于動態隨機存取存儲器的處理單元，其中，每個基于DRAM的計算單元還包括結合到所述基于DRAM的計算單元的位線的算術邏輯單元，所述算術邏輯單元提供所述邏輯功能。

6.如權利要求5所述的基于動態隨機存取存儲器的處理單元，其中，所述算術邏輯單元提供或非邏輯功能。

7.如權利要求1所述的基于動態隨機存取存儲器的處理單元，還包括：

至少一個數據單元陣列，包括布置在第一預定數量的列中的至少一個基于DRAM的存儲器單元，所述至少一個數據單元陣列中的基于DRAM的存儲器單元的每個列與相應的計算單元陣列的列相應；以及

感測放大器，結合到計算單元的每個列，每個感測放大器包括電結合到所述每個列的計算單元的讀位線的輸入和電結合到所述每個列的計算單元的寫位線的輸出。

8.一種基于動態隨機存取存儲器的處理單元，包括：

至少一個計算單元陣列，該至少一個計算單元陣列包括布置在具有至少第一預定數量的列和第二預定數量的行的陣列中的多個基于DRAM的計算單元，其中，第一預定數量大于或等于3并且第二預定數量大于或等于3，每個列被配置為提供針對所述每個列中的第一行和第二行進行運算的邏輯功能并被配置為將所述邏輯功能的結果存儲在所述每個列中的第三行中，所述至少一個計算單元陣列還包括第三預定數量的移位線，其中，第三預定數量為第一預定數量的2倍，每個移位線通過至少一個相應的第一晶體管被結合到計算單元的列，移位線和相應的第一晶體管被配置為在所述至少一個計算單元陣列中將選擇的列的計算單元的兩個行的內容沿右方向或沿左方向移位至少兩個列；以及

至少一個數據單元陣列，包括布置在第一預定數量的列和至少一個行中的至少一個基于DRAM的存儲器單元，至少一個數據單元陣列的基于DRAM的存儲器單元的每個列與相應的計算單元陣列的列相應。

9.如權利要求8所述的基于動態隨機存取存儲器的處理單元，其中，所述至少第一預定數量的列的基于DRAM的計算單元中的每個基于DRAM的計算單元包括三晶體管一電容器DRAM存儲器單元。

10.如權利要求9所述的基于動態隨機存取存儲器的處理單元，其中，所述至少第一預定數量的列的基于DRAM的計算單元提供或非邏輯功能。