[發明專利]半導體裝置封裝

有效

• 申請號: 201710786249.3
• 申請日: 2017-09-04
• 公開（公告）號: CN107808866B
• 公開（公告）日: 2022-01-28
• 發明（設計）人: 徐明豐;曾乙修
• 申請（專利權）人: 日月光半導體制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/495
• 分類號: H01L23/495;H01L23/31
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 蕭輔寬

一種半導體裝置封裝包含銅引線框、氧化銅化合物層和包封物。所述氧化銅化合物層與所述銅引線框的表面接觸。所述氧化銅化合物層包含銅(II)氧化物，且所述氧化銅化合物層的厚度介于約50納米至約100納米的范圍內。所述包封物與所述氧化銅化合物層的表面接觸。

相關申請案的交叉引用

本申請案主張2016年9月9日申請的美國臨時申請案第62/385,791號的權益和優先權，所述申請案的內容以全文引用的方式并入本文中。

技術領域

本公開涉及一種包含引線框和包封物的半導體裝置封裝，并涉及在所述引線框與所述包封物之間提供粘附。

背景技術

銅引線框(例如包含至少一些銅的引線框)是一些半導體裝置封裝中的組件。然而，一些對比性半導體裝置封裝可能因銅引線框與包封物之間的不佳粘附強度而遭受脫層問題。

發明內容

在一些實施例中，半導體裝置封裝包含銅引線框、氧化銅化合物層和包封物。所述氧化銅化合物層與所述銅引線框的表面接觸。所述氧化銅化合物層包含銅(II)(Cu(II))氧化物，且所述氧化銅化合物層的厚度介于約50納米至約100納米的范圍內。所述包封物與所述氧化銅化合物層的表面接觸。

在一些實施例中，半導體裝置封裝包含銅引線框、氧化銅化合物層和包封物。所述氧化銅化合物層安置在所述銅引線框的表面上，其中所述氧化銅化合物層包含Cu(II)氧化物和銅(I)(Cu(I))氧化物，且所述氧化銅化合物層的Cu(II)與Cu(I)的比率等于或大于1。所述包封物與所述氧化銅化合物層的表面接觸。

在一些實施例中，半導體裝置封裝包含銅引線框、氧化銅化合物層和包封物。所述氧化銅化合物層安置在所述銅引線框上。所述包封物與所述氧化銅化合物層的表面接觸，其中在室溫下測量的所述氧化銅化合物層與所述包封物之間的接觸界面處的剪切力大體上等于或大于6千克。

附圖說明

當結合附圖閱讀時，從以下詳細描述最好地理解本公開的一些實施例。應注意，各種結構可能未按比例繪制，且出于論述的清楚起見，各種結構的尺寸可任意增大或減小。

圖1是根據本公開的一方面的半導體裝置封裝的一些實施例的橫截面圖。

圖2是說明根據本公開的另一方面的在氧化銅化合物層與包封物之間的黏結的一些實施例的示意圖。

圖3是說明根據本公開的另一方面的制造半導體裝置封裝的方法的一些實施例的流程圖。

圖4示出根據本公開的另一方面的剪切力與脫層率的實驗結果。

圖5示出根據本公開的另一方面的室溫下的剪切力的實驗結果。

圖6示出根據本公開的另一方面的高溫下的剪切力的實驗結果。

圖7是說明根據本公開的另一方面的制造半導體裝置封裝的方法的一些實施例的流程圖。

圖8示出根據本公開的另一方面的室溫下的剪切力的實驗結果。

圖9是說明根據本公開的另一方面的制造半導體裝置封裝的方法的一些實施例的流程圖。

圖10是說明根據本公開的另一方面的制造半導體裝置封裝的方法的一些實施例的示意圖。

圖11示出根據本公開的另一方面的室溫下的剪切力的實驗結果。

圖12示出根據本公開的另一方面的室溫下的剪切力的實驗結果。

圖13示出根據本公開的另一方面的高溫下的剪切力的實驗結果。

具體實施方式