[發明專利]半導體裝置封裝有效
| 申請號： | 201710786249.3 | 申請日： | 2017-09-04 |
| 公開（公告）號： | CN107808866B | 公開（公告）日： | 2022-01-28 |
| 發明（設計）人： | 徐明豐;曾乙修 | 申請（專利權）人： | 日月光半導體制造股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/495 | 分類號： | H01L23/495;H01L23/31 |
| 代理公司： | 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287 | 代理人： | 蕭輔寬 |
| 地址： | 中國臺灣高雄市楠梓*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 裝置 封裝 | ||
1.一種半導體裝置封裝的制作方法，其包括：
提供銅引線框；
在所述銅引線框的表面形成氧化銅化合物層；
將半導體芯片安置在所述氧化銅化合物層上；
在將所述半導體芯片安置在所述氧化銅化合物層上之后，對所述氧化銅化合物層進行表面活化處理，其中所述表面活化處理包括進行等離子清洗以活化所述氧化銅化合物層；以及
在所述氧化銅化合物層上形成包封物，使所述包封物與經活化的所述氧化銅化合物層之間形成氫鍵，其中所述氧化銅化合物層包括銅(II)(Cu(II))氧化物及銅(I)(Cu(I))氧化物，且所述表面活化處理用來增加所述氧化銅化合物層中銅(I)(Cu(I))氧化物的量。
2.根據權利要求1所述的制作方法，其中所述氧化銅化合物層是通過前端烘烤處理形成于所述銅引線框的所述表面上。
3.根據權利要求1所述的制作方法，其中于所述表面活化處理之后，所述氧化銅化合物層的Cu(II)與Cu(I)的比率等于或大于1。
4.根據權利要求1所述的制作方法，還進一步包括在所述等離子清洗期間引入氫氣。
5.根據權利要求1所述的制作方法，其中所述等離子清洗的等離子處理時間介于10秒至600秒范圍內，且等離子處理功率介于50瓦至1200瓦范圍內。
6.根據權利要求1所述的制作方法，其中所述表面活化處理包括進行后端烘烤處理。
7.根據權利要求6所述的制作方法，其中所述后端烘烤處理的處理溫度介于150℃到250℃范圍內，且所述后端烘烤處理的烘烤處理時間小于或等于48小時。
8.根據權利要求1所述的制作方法，其中所述表面活化處理包括依序進行后端烘烤處理及所述等離子清洗。
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