[發明專利]一種反射件及其膜系結構的制備方法和紅外線LED裝置

在審

• 申請號: 201710786013.X
• 申請日: 2017-09-04
• 公開（公告）號: CN107783210A
• 公開（公告）日: 2018-03-09
• 發明（設計）人: 吳薛平;林志龍;林夢潺
• 申請（專利權）人: 廈門信達光電物聯科技研究院有限公司
• 主分類號: G02B5/08
• 分類號: G02B5/08;H01L33/60
• 代理公司: 廈門市首創君合專利事務所有限公司35204
• 代理人: 連耀忠,葉碎銀

技術領域

本發明涉及光學薄膜制備領域，特別是涉及一種反射件及其膜系結構的制備方法和紅外線LED裝置。

背景技術

隨著物聯網、人工智能、虛擬與現實及虹膜辨識技術的發展，作為感知器件的紅外線LED產品需求日益旺盛，尤其是中大功率的紅外線LED產品更是需求火爆。目前，多數的紅外線中大功率LED產品為了提高紅外線的發射強度，在其支架的反射杯內表面采用電鍍的方法鍍上貴金屬金，以提高反射杯對紅外線的反射率，從而實現提高紅外線發射強度的目的。然而，反射杯采用鍍金的方法需要消耗貴金屬金，導致紅外線LED支架成本較高；同時反射杯的生產工藝相對復雜。

發明內容

本發明提供了一種反射件及其膜系結構的制備方法和紅外線LED裝置，其克服了背景技術所述的紅外線LED產品的反射件所存在的不足。

本發明解決其技術問題所采用的技術方案是：一種反射件，用于紅外線LED產品，包括本體，該本體具有空腔；還包括蒸鍍在所述本體的空腔壁面以反射光線的膜系結構，該膜系結構從里到外包括多層膜，且各奇數層的膜均為氧化鉭膜，各偶數層的膜均為氧化硅膜或氧化鋁膜。

進一步的，各膜層的厚度不相同；所述空腔呈圓臺形。

進一步的，各奇數層膜的厚度分別為54～450nm，所有奇數層膜的厚度從里到外先漸大后漸小；和/或，各偶數層膜的厚度分別為16～135nm，所述偶數層膜的厚度從里到外先漸大后漸小。

進一步的，所述本體為PPA或PCT材質；所有奇數層膜的總層數和所有偶數層膜的總層數分別為15層，所述膜系結構的總厚度為2500～2600nm。

本發明另提供一種反射件膜系結構的制備方法，用于對具有空腔的本體制作反射光線用的膜系結構，包括以下步驟：

1)清潔杯狀本體的空腔壁面；

2)加熱所述本體，將本體加熱到250～300℃，并將本體放在夾具上并置入真空鍍膜機中，將真空鍍膜機抽真空到(5～9)×10^-4Pa，將離子束流密度設置為180～201μA·cm^-2；

3)蒸鍍氧化鉭膜，且膜厚度控制在設定值；

4)蒸鍍氧化硅膜或氧化鋁膜，且膜厚度控制在設定值；

5)重復步驟3)、步驟4)數次，直至鍍制完所有膜層，使所述本體的空腔壁面得到由多層膜組成的膜系結構且各奇數層的膜均為氧化鉭膜，各偶數層的膜均為氧化硅膜或氧化鋁膜。

進一步的，所述膜系結構的各膜層的厚度不相同。

進一步的，各奇數層膜的厚度分別為54～450nm，所有奇數層膜的厚度從里到外先漸大后漸小；和/或，各偶數層膜的厚度分別為16～135nm，所述偶數層膜的厚度從里到外先漸大后漸小。

進一步的，所述本體為PPA或PCT材質；所有奇數層膜的總層數和所有偶數層膜的總層數分別為15層；所述膜系結構的總厚度為2500～2600nm。

本發明另提供一種紅外線LED裝置，包括基板、設置在該基板上的紅外線LED芯片，還包括如上述本發明所述的反射件，該反射件設置在基板上，所述紅外線LED芯片位于反射件的空腔內。

進一步的，所述基板包括第一基底、第二基底和絕緣件，絕緣件設置在第一基底和第二基底之間，以對二者進行隔離；第一基底和第二基底上分別設有金屬鍍層，與所述紅外線LED芯片的兩個電極一一電連接。

相較于現有技術，本發明具有以下有益效果：

1、所述氧化鉭膜和氧化硅膜或氧化鋁膜組合而成的膜系結構可作為取代貴金屬金的紅外線反射膜層，從中保證在降低材料成本的條件下生成反射性能良好的紅外線LED產品的反射件；

2、本發明采用蒸鍍(電子束蒸發成膜技術)方式取代原來濕法電鍍的方式，可以高效、簡潔的工藝生產出所需的紅外線LED產品的反射件，從中提高紅外線LED產品的反射件的生產效率。

以下結合附圖及實施例對本發明作進一步詳細說明；但本發明的一種反射件及其膜系結構的制備方法和紅外線LED裝置不局限于實施例。

附圖說明

圖1是本發明的紅外線LED裝置的剖面示意圖(含反射件)；

圖2是圖1中I部分的放大示意圖。

具體實施方式