[發(fā)明專利]一種反射件及其膜系結(jié)構(gòu)的制備方法和紅外線LED裝置

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201710786013.X
• 申請日: 2017-09-04
• 公開（公告）號: CN107783210A
• 公開（公告）日: 2018-03-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 吳薛平;林志龍;林夢潺
• 申請（專利權(quán)）人: 廈門信達(dá)光電物聯(lián)科技研究院有限公司
• 主分類號: G02B5/08
• 分類號: G02B5/08;H01L33/60
• 代理公司: 廈門市首創(chuàng)君合專利事務(wù)所有限公司35204
• 代理人: 連耀忠,葉碎銀

1.一種反射件，用于紅外線LED產(chǎn)品，包括本體，本體具有空腔；其特征在于：還包括蒸鍍在所述本體的空腔壁面以反射光線的膜系結(jié)構(gòu)，該膜系結(jié)構(gòu)從里到外包括多層膜，且各奇數(shù)層的膜均為氧化鉭膜，各偶數(shù)層的膜均為氧化硅膜或氧化鋁膜。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的反射件，其特征在于：各膜層的厚度不相同，和/或，所述空腔呈圓臺形。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的反射件，其特征在于：各奇數(shù)層膜的厚度分別為54～450nm，所有奇數(shù)層膜的厚度從里到外先漸大后漸小；和/或，各偶數(shù)層膜的厚度分別為16～135nm，所有偶數(shù)層膜的厚度從里到外先漸大后漸小。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2或3所述的反射件，其特征在于：所述本體為PPA或PCT材質(zhì)；所有奇數(shù)層膜的總層數(shù)和所有偶數(shù)層膜的總層數(shù)分別為15層，所述膜系結(jié)構(gòu)的總厚度為2500～2600nm。

5.一種反射件膜系結(jié)構(gòu)的制備方法，用于對具有空腔的本體制作反射光線用的膜系結(jié)構(gòu)，其特征在于：包括以下步驟：

1)清潔本體的空腔壁面；

2)加熱所述本體，將本體加熱到250～300℃，并將本體放在夾具上并置入真空鍍膜機(jī)中，將真空鍍膜機(jī)抽真空到(5～9)×10^-4Pa，將離子束流密度設(shè)置為180～201μA·cm^-2；

3)蒸鍍氧化鉭膜，且膜厚度控制在設(shè)定值；

4)蒸鍍氧化硅膜或氧化鋁膜，且膜厚度控制在設(shè)定值；

5)重復(fù)步驟3)、步驟4)數(shù)次，直至鍍制完所有膜層，使所述本體的空腔壁面得到由多層膜組成的膜系結(jié)構(gòu)，且各奇數(shù)層的膜均為氧化鉭膜，各偶數(shù)層的膜均為氧化硅膜或氧化鋁膜。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的反射件膜系結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于：所述膜系結(jié)構(gòu)的各膜層的厚度不相同。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的反射件膜系結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于：各奇數(shù)層膜的厚度分別為54～450nm，所有奇數(shù)層膜的厚度從里到外先漸大后漸小；和/或，各偶數(shù)層膜的厚度分別為16～135nm，所有偶數(shù)層膜的厚度從里到外先漸大后漸小。

8.根據(jù)權(quán)利要求5-7中任一項(xiàng)所述的反射件膜系結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于：所述本體為PPA或PCT材質(zhì)；所有奇數(shù)層膜的總層數(shù)和所有偶數(shù)層膜的總層數(shù)分別為15層；所述膜系結(jié)構(gòu)的總厚度為2500～2600nm。

9.一種紅外線LED裝置，包括基板、設(shè)置在該基板上的紅外線LED芯片，其特征在于：還包括如權(quán)利要求1-4中任一項(xiàng)所述的反射件，該反射件設(shè)置在基板上，所述紅外線LED芯片位于反射件的空腔內(nèi)。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的紅外線LED裝置，其特征在于：所述基板包括第一基底、第二基底和絕緣件，絕緣件設(shè)置在第一基底和第二基底之間，以對二者進(jìn)行隔離；第一基底和第二基底上分別設(shè)有金屬鍍層，與所述紅外線LED芯片的兩個(gè)電極一一電連接。