[發明專利]太陽能電池片無氧退火工藝有效
| 申請號: | 201710785984.2 | 申請日: | 2017-09-04 |
| 公開(公告)號: | CN109427928B | 公開(公告)日: | 2021-06-01 |
| 發明(設計)人: | 張冠綸;扈靜;謝耀輝 | 申請(專利權)人: | 通威太陽能(成都)有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人: | 王學強;羅滿 |
| 地址: | 610000 四川省成都市*** | 國省代碼: | 四川;51 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 太陽能電池 片無氧 退火 工藝 | ||
本發明公開了一種太陽能電池片無氧退火工藝,包括以下步驟:A.將電池片放入退火爐;B.將退火爐爐管內溫度升至第一溫度,并抽取真空至第一壓強;C.保持第一溫度及第一壓強;D.將退火爐爐管內溫度溫度降至第二溫度;E.將退火爐爐管內壓強升至常壓;F.出爐。
技術領域
本發明涉及一種在晶體硅太陽能電池片制備過程中進行退火的工藝。
背景技術
太陽能電池,也稱光伏電池,是一種將太陽的光能直接轉化為電能的半導體器件。由于它是綠色環保產品,不會引起環境污染,而且是可再生資源,所以在當今能源短缺的情形下,太陽能電池是一種有廣闊發展前途的新型能源。
現有的晶體硅太陽能電池片的制備包括制絨、擴散、刻蝕、退火、PECVD、絲網印刷等工藝。現有技術單晶硅太陽能電池擴散不均勻,表面濃度偏高。而且單晶硅在經過高溫擴散后容易形成晶格扭曲。因此在經過制絨、擴散、刻蝕后增加退火工藝,退火的作用一方面起到磷推進的作用,降低磷的表面濃度,減少“死層”,電性能方面主要體現為Uoc優勢明顯;另一方面可使擴散過程中扭曲的晶格得以恢復。
現有的退火工藝主要采用的是“一步通氧法”,而氧是硅片中的主要雜質。氧含量過高會增加硅片中的缺陷,降低轉化效率并且增加光致衰減。
發明內容
有鑒于此,本發明提供一種太陽能電池片無氧退火工藝,通過退火進行磷原子推進,并恢復擴散過程中扭曲的晶格。在退火的過程中沒有氧氣參與,避免氧氣與硅片發生反應產生新的雜質。
以上技術問題,本發明的技術方案為:一種太陽能電池片無氧退火工藝,包括以下步驟:
A.將電池片放入退火爐;
B.將退火爐爐管內溫度升至第一溫度,并抽取真空至第一壓強;
C.保持第一溫度及第一壓強;
D.將退火爐爐管內溫度溫度降至第二溫度;
E.將退火爐爐管內壓強升至常壓;
F.出爐。
作為一種改進,步驟A中向退火爐爐管中通入大氮。其目的在于將爐管中的空氣盡量排空,從而盡可能的降低氧氣的含量。
作為一種優選,通入大氮的流量為1500ml/min-3500ml/min。
作為一種改進,步驟A中將將爐管預熱至640-660℃。
作為一種優選,步驟B中第一溫度為740-760℃。
作為一種改進,步驟B中第一壓強為160-180mPA。
作為一種優選,步驟B中在290-310s內將溫度升至第一溫度。
作為一種優選,步驟C中持續時間為890-910s。
作為一種優選,驟D中在140-160s內將溫度降低到第二溫度,所述第二溫度為640-660℃。
作為一種優選,步驟E中在90-110s內從第一壓強升至常壓。
本發明的有益之處在于:具有上述步驟的太陽能電池片無氧退火工藝,在退火以恢復擴散過程中扭曲的晶格同時,還繼續磷原子的推進,降低磷原子的表面濃度,減少死層,提高電性能。更主要的是,退火過程中沒有氧的參與,避免氧與磷和硅反應產生雜質從而影響電池片的性能。
具體實施方式
為了使本領域的技術人員更好地理解本發明的技術方案,下面結合具體實施方式對本發明作進一步的詳細說明。
本發明提供一種太陽能電池片無氧退火工藝,包括以下步驟:
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于通威太陽能(成都)有限公司,未經通威太陽能(成都)有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201710785984.2/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





