[發明專利]發光二極管芯片的制造方法和發光二極管芯片

在審

• 申請號: 201710785071.0
• 申請日: 2017-09-04
• 公開（公告）號: CN107819056A
• 公開（公告）日: 2018-03-20
• 發明（設計）人: 岡村卓;北村宏
• 申請（專利權）人: 株式會社迪思科
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L21/78;H01L33/20;H01L33/58
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司11127
• 代理人: 龐東成,褚瑤楊

技術領域

本發明涉及發光二極管芯片的制造方法和發光二極管芯片。

背景技術

在藍寶石基板、GaN基板、SiC基板等晶體生長用基板的表面上形成層積體層，該層積體層通過將n型半導體層、發光層、p型半導體層層積多層而形成，在由該層積體層上交叉的2條以上的分割預定線劃分出的區域形成有2個以上的LED(發光二極管，Light Emitting Diode)等發光器件的晶片被沿著分割預定線切斷而分割成各個發光器件芯片，分割得到的發光器件芯片被廣泛用于移動電話、個人電腦、照明設備等各種電氣設備中。

由于從發光器件芯片的發光層射出的光具有各向同性，因而光也會照射到晶體生長用基板的內部而也從基板的背面和側面射出。但是，照射到基板的內部的光之中，基板與空氣層的界面處的入射角為臨界角以上的光在界面發生全反射而被封閉在基板內部，不會從基板射出到外部，因而具有招致發光器件芯片的亮度降低的問題。

為了解決該問題，在日本特開2014-175354號公報中記載了一種發光二極管(LED)，其中，為了抑制從發光層射出的光被封閉在基板的內部，在基板的背面粘貼透明部件從而謀求亮度的提高。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2014-175354號公報

發明內容

發明所要解決的課題

但是，在專利文獻1所公開的發光二極管中，雖然通過在基板的背面粘貼透明部件而使亮度稍有提高，但仍具有得不到充分的亮度的問題。

本發明是鑒于這樣的情況而完成的，其目的在于提供可得到充分亮度的發光二極管芯片的制造方法和發光二極管芯片。

用于解決課題的手段

根據技術方案1所述的發明，提供一種發光二極管芯片的制造方法，其特征在于，其具備：晶片準備工序，準備在晶體生長用的透明基板上具有形成有包含發光層的2層以上的半導體層的層積體層的晶片，在由該層積體層的表面上相互交叉的2條以上的分割預定線劃分出的各區域分別形成有LED電路；晶片背面加工工序，在該晶片的背面上與各LED電路對應地形成2個以上的凹部或槽；透明基板加工工序，在整個面上形成有2個以上的貫通孔的透明基板的表面上與該晶片的各LED電路對應地形成2個以上的凹陷；一體化工序，在實施了該晶片背面加工工序和該透明基板加工工序后，將該透明基板的表面粘貼在該晶片的背面而形成一體化晶片；以及分割工序，將該晶片沿著該分割預定線與該透明基板一起切斷而將該一體化晶片分割成各個發光二極管芯片。

優選在透明基板加工工序中形成的凹陷的截面形狀為三角形、四邊形或圓形中的任一形狀。優選在晶片背面加工工序中形成的凹部或槽通過切削刀具、蝕刻、噴砂、激光中的任一方式形成，在透明基板加工工序中形成的凹陷通過蝕刻、噴砂、激光中的任一方式形成。

優選該透明基板由透明陶瓷、光學玻璃、藍寶石、透明樹脂中的任一種形成，在該一體化工序中，該透明基板利用透明粘接劑粘接在晶片上。

根據技術方案5所述的發明，提供一種發光二極管芯片，其中，該發光二極管芯片具備：在表面形成有LED電路且在背面形成有凹部或槽的發光二極管；以及粘貼在該發光二極管的背面的形成有2個以上的貫通孔的透明部件，在該透明部件的與該發光二極管的粘貼面形成有凹陷。

發明效果

本發明的發光二極管芯片中，由于在LED的背面形成有凹部或槽，并且在粘貼在背面的具有2個以上的貫通孔的透明部件的表面形成有凹陷，因而透明部件的表面積增大；此外，從LED的發光層照射并入射到透明部件中的光在該凹部或該槽部分發生復雜地折射，進而從透明部件射出的光在凹陷部分發生復雜地折射，因而，光從透明部件射出時，透明部件與空氣層的界面處的入射角為臨界角以上的光的比例減少，從透明部件射出的光的量增大，發光二極管芯片的亮度提高。

附圖說明

圖1是光器件晶片的表面側立體圖。

圖2的(A)是示出利用切削刀具進行的晶片的背面加工工序的立體圖，圖2的(B)～圖2的(D)是示出所形成的槽形狀的截面圖。

圖3的(A)是具有形成在晶片的背面的沿第1方向伸長的2個以上的槽的晶片的背面側立體圖，圖3的(B)是形成有形成在晶片的背面的沿第1方向和與第1方向正交的第2方向伸長的2個以上的槽的晶片的背面側立體圖。

圖4的(A)是示出在晶片的背面粘貼掩模的情形的立體圖，圖4的(B)是在晶片的背面粘貼有具有2個以上的孔的掩模的狀態的立體圖，圖4的(C)～圖4的(E)是示出形成在晶片的背面的凹部的形狀的晶片的局部立體圖。