[發明專利]發光二極管芯片的制造方法和發光二極管芯片

在審

• 申請號: 201710785071.0
• 申請日: 2017-09-04
• 公開（公告）號: CN107819056A
• 公開（公告）日: 2018-03-20
• 發明（設計）人: 岡村卓;北村宏
• 申請（專利權）人: 株式會社迪思科
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L21/78;H01L33/20;H01L33/58
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司11127
• 代理人: 龐東成,褚瑤楊

1.一種發光二極管芯片的制造方法，其特征在于，其具備：

晶片準備工序，其中，準備在晶體生長用的透明基板上具有形成有包含發光層的2層以上的半導體層的層積體層的晶片，在由該層積體層的表面上相互交叉的2條以上的分割預定線劃分出的各區域分別形成LED電路；

晶片背面加工工序，其中，在該晶片的背面上與各LED電路對應地形成2個以上的凹部或槽；

透明基板加工工序，其中，在整個面上形成有2個以上的貫通孔的透明基板的表面上與該晶片的各LED電路對應地形成2個以上的凹陷；

一體化工序，其中，在實施了該晶片背面加工工序和該透明基板加工工序后，將該透明基板的表面粘貼在該晶片的背面而形成一體化晶片；以及

分割工序，其中，將該晶片沿著該分割預定線與該透明基板一起切斷而將該一體化晶片分割成各個發光二極管芯片。

2.如權利要求1所述的發光二極管芯片的制造方法，其中，在該透明基板加工工序中形成的所述凹陷的截面形狀為三角形、四邊形、圓形中的任一形狀。

3.如權利要求1所述的發光二極管芯片的制造方法，其中，

在該晶片背面加工工序中，所述凹部或所述槽通過切削刀具、蝕刻、噴砂、激光中的任一方式形成，

在該透明基板加工工序中，所述凹陷通過蝕刻、噴砂、激光中的任一方式形成。

4.如權利要求1所述的發光二極管芯片的制造方法，其中，該透明基板由透明陶瓷、光學玻璃、藍寶石、透明樹脂中的任一種形成，在該一體化工序中，該透明基板使用透明粘接劑粘貼在該晶片上。

5.一種發光二極管芯片，其中，

該發光二極管芯片具備：

發光二極管，其在表面形成有LED電路且在背面形成有凹部或槽；以及

透明部件，其粘貼在該發光二極管的背面，形成有2個以上的貫通孔，

在該透明部件的與該發光二極管的粘貼面形成有凹陷。