[發明專利]隔離結構的制作方法有效
| 申請號： | 201710785058.5 | 申請日： | 2017-09-04 |
| 公開（公告）號： | CN109427647B | 公開（公告）日： | 2021-04-20 |
| 發明（設計）人： | 蘇郁珊;吳家偉 | 申請（專利權）人： | 聯華電子股份有限公司;福建省晉華集成電路有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/762 | 分類號： | H01L21/762;H01L21/324 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人： | 陳小雯 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 隔離 結構 制作方法 | ||
1.一種隔離結構的制作方法，包括：
提供一半導體基底；
在該半導體基底中形成一溝槽；
進行一第一成膜制作工藝，用以于該半導體基底上以及該溝槽中共形地形成一第一介電層；
在該第一介電層形成之前，該半導體基底上以及該溝槽中共形地形成一襯層，其中該第一介電層共形地形成于該襯層上，且該襯層的厚度小于該第一介電層的該厚度；
進行一退火制作工藝，用以使該第一介電層和該襯層被密實化而成為一第二介電層，其中該第二介電層的厚度小于該第一介電層的厚度；以及
在該退火制作工藝之后，進行一第二成膜制作工藝，用以于該第二介電層上以及該溝槽中形成一第三介電層，其中該第三介電層與該第二介電層將該溝槽填滿，
其中該第一介電層的該厚度大于該第三介電層的厚度，該第二介電層的該厚度大于該第三介電層的厚度。
2.如權利要求1所述的隔離結構的制作方法，其中該第二介電層的密度大于該第一介電層的密度。
3.如權利要求1所述的隔離結構的制作方法，其中該第二介電層的密度大于該第三介電層的密度。
4.如權利要求1所述的隔離結構的制作方法，其中該第一介電層、該第二介電層以及該第三介電層分別包括氧化硅層。
5.如權利要求1所述的隔離結構的制作方法，其中該第一成膜制作工藝、該退火制作工藝以及該第二成膜制作工藝于同一機臺中依序進行。
6.如權利要求5所述的隔離結構的制作方法，其中該第一成膜制作工藝、該退火制作工藝以及該第二成膜制作工藝于同一制作工藝腔室中依序進行。
7.如權利要求1所述的隔離結構的制作方法，其中該退火制作工藝的制作工藝溫度高于該第一成膜制作工藝的制作工藝溫度以及該第二成膜制作工藝的制作工藝溫度。
8.如權利要求1所述的隔離結構的制作方法，其中該退火制作工藝的制作工藝氣體包括氮氣、氬氣或氫氣。
9.如權利要求1所述的隔離結構的制作方法，其中該第一成膜制作工藝以及該第二成膜制作工藝分別包括一原子層沉積制作工藝。
10.如權利要求1所述的隔離結構的制作方法，其中該襯層的密度大于該第一介電層的密度。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
