[發(fā)明專利]封裝結(jié)構(gòu)及其制作方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710779909.5 | 申請日: | 2017-09-01 |
| 公開(公告)號: | CN108269745B | 公開(公告)日: | 2021-03-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 周學(xué)軒;范家杰;王程麒;王冠人 | 申請(專利權(quán))人: | 群創(chuàng)光電股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66;H01L21/60;H01L23/485 |
| 代理公司: | 北京科龍寰宇知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11139 | 代理人: | 孫皓晨 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 封裝 結(jié)構(gòu) 及其 制作方法 | ||
本發(fā)明提供一種封裝結(jié)構(gòu),其包括一重布線層、一焊接層以及一電子元件。重布線層具有第一布線區(qū)與鄰設(shè)的第二布線區(qū),一接合電極與一測試電極設(shè)于重布線層的第一表面,其中,接合電極與第一布線區(qū)重疊,測試電極與第二布線區(qū)重疊,而焊接層位于重布線層的第二表面,并具有復(fù)數(shù)個彼此分離的導(dǎo)電墊,每一導(dǎo)電墊并電連接接合電極與測試電極的其中一個。而重布線層更包含復(fù)數(shù)介電層、復(fù)數(shù)圖案化導(dǎo)電層,介電層具有復(fù)數(shù)通孔,部分該圖案化導(dǎo)電層位于該通孔內(nèi)。接合電極憑借對應(yīng)的圖案化導(dǎo)電層而電連接對應(yīng)的導(dǎo)電墊并構(gòu)成重布導(dǎo)線,測試電極憑借對應(yīng)的圖案化導(dǎo)電層電性連接對應(yīng)的導(dǎo)電墊并構(gòu)成測試導(dǎo)線,而電子元件電連接于接合電極。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種封裝結(jié)構(gòu)及其制作方法,特別是涉及一種面板級封裝結(jié)構(gòu)及其制作方法。
背景技術(shù)
在電子元件封裝技術(shù)中,晶圓級扇出型封裝結(jié)構(gòu)(fan-out wafer levelpackage,F(xiàn)OWLP)是將電子元件制作于晶圓上,進(jìn)行封裝與切割。然而,由于現(xiàn)今常見的大尺寸晶圓的直徑僅約300毫米(mm),因此在晶圓上能同時制作封裝的電子元件數(shù)量有限,業(yè)界仍需積極開發(fā)取代晶圓級封裝的技術(shù)。
再者,在傳統(tǒng)扇出型封裝結(jié)構(gòu)的制程中,較成熟的技術(shù)是先在例如晶圓的載體上設(shè)置電子元件,再于電子元件上設(shè)置重布線層。其中,為了提高產(chǎn)品合格率,在制造過程中一般會先排除具有瑕疵的電子元件,再使用合格的電子元件制作封裝體,于電子元件上形成重布線層等后續(xù)其他加工制程。然而,若在后續(xù)制程中發(fā)生缺陷,則會導(dǎo)致已封裝好的合格電子元件必須連同整個封裝體一起報廢,造成原料與元件的浪費,提高制造成本,因此傳統(tǒng)電子元件封裝方法仍有待進(jìn)一步改善。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于:提供一種封裝結(jié)構(gòu)及其制作方法,解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述技術(shù)問題。
為實現(xiàn)上述目的,本發(fā)明采用的技術(shù)方案是:
一種封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,包括:
一重布線層,該重布線層具有一第一布線區(qū)與一第二布線區(qū),該第二布線區(qū)鄰設(shè)于該第一布線區(qū);
至少一接合電極,設(shè)于該重布線層的一第一表面;以及
至少一測試電極,設(shè)于該第一表面;
其中,該接合電極與該第一布線區(qū)重疊,該測試電極與該第二布線區(qū)重疊。
所述的封裝結(jié)構(gòu),其中,還包括:
一焊接層,位于該重布線層的一第二表面,該第二表面相對于該第一表面設(shè)置,該焊接層包括數(shù)個導(dǎo)電墊,該數(shù)個導(dǎo)電墊彼此分離;
其中,該數(shù)個導(dǎo)電墊的至少其中一個電連接該接合電極與該測試電極的其中一個。
所述的封裝結(jié)構(gòu),其中,還包括:
復(fù)數(shù)個錫球,電連接該數(shù)個導(dǎo)電墊。
所述的封裝結(jié)構(gòu),其中,還包括:
一電子元件,電連接該接合電極。
所述的封裝結(jié)構(gòu),其中,還包括:
一接合材,設(shè)置在該電子元件與該接合電極之間。
所述的封裝結(jié)構(gòu),其中,該重布線層還包括:
復(fù)數(shù)介電層與復(fù)數(shù)圖案化導(dǎo)電層,該介電層具有復(fù)數(shù)通孔,部分該圖案化導(dǎo)電層位于該通孔內(nèi)。
一種封裝結(jié)構(gòu),其中,包括:
一重布線層,具有一第一表面、與該第一表面相對設(shè)置的一第二表面,以及至少一側(cè)壁連接該第一表面與該第二表面;
至少一接合電極,設(shè)于該重布線層的該第一表面;以及
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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