[發(fā)明專利]封裝結(jié)構(gòu)及其制作方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710779909.5 | 申請(qǐng)日: | 2017-09-01 |
| 公開(公告)號(hào): | CN108269745B | 公開(公告)日: | 2021-03-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 周學(xué)軒;范家杰;王程麒;王冠人 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 群創(chuàng)光電股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/66 | 分類號(hào): | H01L21/66;H01L21/60;H01L23/485 |
| 代理公司: | 北京科龍寰宇知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11139 | 代理人: | 孫皓晨 |
| 地址: | 中國(guó)臺(tái)*** | 國(guó)省代碼: | 臺(tái)灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 封裝 結(jié)構(gòu) 及其 制作方法 | ||
1.一種封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,包括:
一重布線層,該重布線層具有一第一布線區(qū)與一第二布線區(qū),該第二布線區(qū)鄰設(shè)于該第一布線區(qū);
至少一接合電極,設(shè)于該重布線層的一第一表面且突出于該重布線層的該第一表面;
一測(cè)試導(dǎo)線貫穿該重布線層且具有至少一測(cè)試電極,其中該測(cè)試電極設(shè)于該第一表面且突出于該重布線層的該第一表面;
一電子元件,電連接該接合電極;以及
一封膠層,形成于該重布線層的該第一表面并直接接觸該第一表面,且該封膠層包圍該電子元件的外側(cè);
其中,該接合電極與該第一布線區(qū)重疊,該測(cè)試電極與該第二布線區(qū)重疊。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,還包括:
一焊接層,位于該重布線層的一第二表面,該第二表面相對(duì)于該第一表面設(shè)置,該焊接層包括數(shù)個(gè)導(dǎo)電墊,該數(shù)個(gè)導(dǎo)電墊彼此分離;
其中,該數(shù)個(gè)導(dǎo)電墊的至少其中一個(gè)電連接該接合電極與該測(cè)試電極的其中一個(gè)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,還包括:
復(fù)數(shù)個(gè)錫球,電連接該數(shù)個(gè)導(dǎo)電墊。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,還包括:
一接合材,設(shè)置在該電子元件與該接合電極之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,該重布線層還包括:
復(fù)數(shù)介電層與復(fù)數(shù)圖案化導(dǎo)電層,該復(fù)數(shù)介電層具有復(fù)數(shù)通孔,部分該圖案化導(dǎo)電層位于該通孔內(nèi)。
6.一種封裝結(jié)構(gòu)的制作方法,其特征在于,包括:
提供一基板,該基板在任一方向上的寬度至少為400毫米;
在該基板上形成一離型層;
在該離型層上形成圖案化的一焊接層,該焊接層包括復(fù)數(shù)個(gè)彼此分離的導(dǎo)電墊;
在該離型層及該數(shù)個(gè)導(dǎo)電墊上形成一重布線層,該重布線層具有一第一表面,該第一表面位于該重布線層相對(duì)于該離型層的一側(cè),該重布線層在該第一表面設(shè)有至少一接合電極,且該接合電極突出于該重布線層的該第一表面,并且一測(cè)試導(dǎo)線貫穿該重布線層且具有至少一測(cè)試電極,該重布線層的該第一表面設(shè)有該至少一測(cè)試電極,且該測(cè)試電極突出于該重布線層的該第一表面,其中該至少一測(cè)試電極鄰設(shè)于該至少一接合電極;
在該重布線層的該第一表面接合至少一電子元件,該電子元件電連接該接合電極,其中至少部分該至少一接合電極與該電子元件重疊;
在該重布線層的該第一表面及該電子元件的外側(cè)形成一封膠層,使該封膠層直接接觸該第一表面;
進(jìn)行一分離步驟,以使該離型層與該基板自該重布線層與該焊接層分離;以及
在該數(shù)個(gè)導(dǎo)電墊上分別形成一錫球。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的封裝結(jié)構(gòu)的制作方法,其特征在于,還包括在形成該重布線層之后以及在接合該電子元件之前,先以探針接觸該接合電極,以對(duì)該重布線層進(jìn)行測(cè)試。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的封裝結(jié)構(gòu)的制作方法,其特征在于,還包括在形成該重布線層之后以及在接合該電子元件之前,先以探針?lè)謩e接觸該接合電極與該測(cè)試電極,以進(jìn)行測(cè)試。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的封裝結(jié)構(gòu)的制作方法,其特征在于,還包括在接合該電子元件之后以及在形成該封膠層之前,先以探針電連接該測(cè)試電極而進(jìn)行測(cè)試。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的封裝結(jié)構(gòu)的制作方法,其特征在于,在使該離型層與該基板自該重布線層與該焊接層分離之后,移除該至少一測(cè)試電極。
11.根據(jù)權(quán)利要求6所述的封裝結(jié)構(gòu)的制作方法,其特征在于,該制作方法還包括在形成錫球之后,進(jìn)行一切割制程以形成至少一封裝結(jié)構(gòu),其中該切割制程會(huì)使該測(cè)試電極以及設(shè)置有該測(cè)試電極的部分該重布線層自該封裝結(jié)構(gòu)分離,并在該封裝結(jié)構(gòu)的側(cè)壁中曝露部分該導(dǎo)電墊。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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