[發(fā)明專利]一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201710778806.7
• 申請日: 2017-08-31
• 公開（公告）號: CN107527894A
• 公開（公告）日: 2017-12-29
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 徐元杰;高山
• 申請（專利權(quán)）人: 京東方科技集團股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司
• 主分類號: H01L23/58
• 分類號: H01L23/58;H01L27/12;H01L21/84
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司11274
• 代理人: 申健

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置。

背景技術(shù)

薄膜晶體管液晶顯示器(ThinFilmTransistor Liquid Crystal Display，簡稱TFT-LCD)通常包括陣列基板、彩膜基板以及位于二者之間的液晶層；其中，陣列基板的顯示區(qū)域包括多個由橫縱交叉的柵線和數(shù)據(jù)線界定的子像素，在顯示區(qū)域內(nèi)橫縱交叉的柵線和數(shù)據(jù)線分別通過扇出(Fanout)區(qū)內(nèi)的柵信號線引線和數(shù)據(jù)信號線引線引出并與集成電路芯片(Integrated Circuit，IC)綁定連接。

在顯示器開機瞬間，通過柵線的電信號會發(fā)生急劇變化，從而會在Fanout區(qū)對應(yīng)柵信號線引線位置處的黑矩陣(Black Matrix，簡稱BM)上產(chǎn)生大量的感應(yīng)電荷，大量的感應(yīng)電荷經(jīng)過BM擴散進入顯示區(qū)域后，會在顯示區(qū)域的邊緣產(chǎn)生附加電場并使得顯示區(qū)域邊緣位置處的液晶分子發(fā)生相應(yīng)的偏轉(zhuǎn)，導(dǎo)致在顯示區(qū)域邊緣產(chǎn)生開機白線的現(xiàn)象，影響顯示效果。

為了避免顯示器在開機時產(chǎn)生開機白線影響顯示，通常在Fanout區(qū)柵信號線引線的對應(yīng)上方增設(shè)屏蔽層，通過屏蔽層的屏蔽，阻止在柵線電信號急劇變化時在上方BM上產(chǎn)生感應(yīng)電荷。當Fanout區(qū)內(nèi)柵信號線引線和數(shù)據(jù)信號線引線為雙層走線結(jié)構(gòu)時，即柵信號線引線和數(shù)據(jù)信號線引線不同層，二者之間通常相隔一個絕緣層，柵信號線引線與屏蔽層的距離和數(shù)據(jù)信號線引線和屏蔽層的距離相差較大，電容的計算公式：

其中，ε為常數(shù)，S為與電容極板的正對面積，d為與電容極板的距離，k為靜電力常量。

由電容的計算公式(1)可知，柵信號線引線與屏蔽層之間產(chǎn)生的電容值與數(shù)據(jù)信號線引線與屏蔽層之間產(chǎn)生的電容值差異較大，甚至可以達到相差一倍以上，電容值的差異會造成信號傳輸延遲時間不同，因此，容易由于兩行之間信號打開關(guān)閉的時間差異大而導(dǎo)致顯示中出現(xiàn)橫條紋現(xiàn)象，嚴重影響顯示效果，降低產(chǎn)品品質(zhì)。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明實施例提供一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置，能夠解決現(xiàn)有技術(shù)中，由于屏蔽層與第一信號線引線之間的距離和與第二信號線引線之間的距離差異較大而導(dǎo)致信號傳輸延遲時間不同，進而在顯示中會產(chǎn)生橫條紋的問題。

為達到上述目的，本發(fā)明的實施例采用如下技術(shù)方案：

本發(fā)明實施例的一方面，提供一種陣列基板，包括顯示區(qū)域以及顯示區(qū)域以外的走線區(qū)域，陣列基板包括襯底基板，在襯底基板上依次設(shè)置第一導(dǎo)電層、第一絕緣層、第二導(dǎo)電層、第二絕緣層和位于走線區(qū)域的屏蔽層，第一導(dǎo)電層包括走線區(qū)域的第一信號線引線，第二導(dǎo)電層包括位于走線區(qū)域的第二信號線引線，第一信號線引線與第二信號線引線的正投影不重疊。第一信號線引線到屏蔽層的垂直距離與第二信號線引線到屏蔽層的垂直距離之間的差值小于第一絕緣層的厚度。

優(yōu)選的，第一信號線引線到屏蔽層的垂直距離與第二信號線引線到屏蔽層的垂直距離相等。

優(yōu)選的，第二絕緣層包括減薄區(qū)域，減薄區(qū)域至少設(shè)置在與第一信號線引線的正投影相對應(yīng)的位置，且不設(shè)置在與第二信號線引線的正投影相對應(yīng)的位置。

優(yōu)選的，第二絕緣層在減薄區(qū)域的厚度為0。

進一步的，本發(fā)明實施例的陣列基板，還包括設(shè)置在第二絕緣層與第一絕緣層之間且對應(yīng)減薄區(qū)域的刻蝕阻止圖案。

優(yōu)選的，刻蝕阻止圖案為不導(dǎo)電介質(zhì)，第一信號線引線到屏蔽層的垂直距離包括刻蝕阻止圖案的厚度。

優(yōu)選的，刻蝕阻止圖案與位于陣列基板的顯示區(qū)域內(nèi)的有源層圖案同層同材料。

可選的，刻蝕阻止圖案為導(dǎo)電材料，屏蔽層包含刻蝕阻止圖案。

優(yōu)選的，刻蝕阻止圖案與位于陣列基板的顯示區(qū)域內(nèi)的像素電極圖案同層同材料。

可選的，在第二導(dǎo)電層與屏蔽層之間還設(shè)置有不導(dǎo)電介質(zhì)層，不導(dǎo)電介質(zhì)層至少設(shè)置在與第二信號線引線的正投影相對應(yīng)的位置，且不設(shè)置在與第一信號線引線的正投影相對應(yīng)的位置。

本發(fā)明實施例的另一方面，提供一種顯示裝置，包括上述任一項的陣列基板。

本發(fā)明實施例的再一方面，提供一種陣列基板的制作方法，包括，在襯底基板上依次形成第一導(dǎo)電層、第一絕緣層、第二導(dǎo)電層；其中，第一導(dǎo)電層包括走線區(qū)域的第一信號線引線、第二導(dǎo)電層包括走線區(qū)域的第二信號線引線，第一信號線引線與所述第二信號線引線的正投影不重疊。在襯底基板上，形成覆蓋第二導(dǎo)電層的絕緣薄膜，并減薄絕緣薄膜對應(yīng)于第一信號線引線正投影位置的部分，以得到具有減薄區(qū)域的第二絕緣層。在第二絕緣層上形成位于走線區(qū)域的屏蔽層。