[發明專利]一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置

在審

• 申請號: 201710778806.7
• 申請日: 2017-08-31
• 公開（公告）號: CN107527894A
• 公開（公告）日: 2017-12-29
• 發明（設計）人: 徐元杰;高山
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司
• 主分類號: H01L23/58
• 分類號: H01L23/58;H01L27/12;H01L21/84
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司11274
• 代理人: 申健

1.一種陣列基板，包括顯示區域以及所述顯示區域以外的走線區域，其特征在于，所述陣列基板包括襯底基板，在所述襯底基板上依次設置第一導電層、第一絕緣層、第二導電層、第二絕緣層和位于所述走線區域的屏蔽層，所述第一導電層包括所述走線區域的第一信號線引線，所述第二導電層包括位于所述走線區域的第二信號線引線，所述第一信號線引線與所述第二信號線引線的正投影不重疊；

所述第一信號線引線到所述屏蔽層的垂直距離與所述第二信號線引線到所述屏蔽層的垂直距離之間的差值小于所述第一絕緣層的厚度。

2.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第一信號線引線到所述屏蔽層的垂直距離與所述第二信號線引線到所述屏蔽層的垂直距離相等。

3.根據權利要求1或2所述的陣列基板，其特征在于，所述第二絕緣層包括減薄區域，所述減薄區域至少設置在與所述第一信號線引線的正投影相對應的位置，且不設置在與所述第二信號線引線的正投影相對應的位置。

4.根據權利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述第二絕緣層在所述減薄區域的厚度為0。

5.根據權利要求4所述的陣列基板，其特征在于，還包括設置在所述第二絕緣層與所述第一絕緣層之間且對應所述減薄區域的刻蝕阻止圖案。

6.根據權利要求5所述的陣列基板，其特征在于，

所述刻蝕阻止圖案為不導電介質，所述第一信號線引線到所述屏蔽層的垂直距離包括所述刻蝕阻止圖案的厚度。

7.根據權利要求6所述的陣列基板，其特征在于，所述刻蝕阻止圖案與位于所述陣列基板的顯示區域內的有源層圖案同層同材料。

8.根據權利要求5所述的陣列基板，其特征在于，

所述刻蝕阻止圖案為導電材料，所述屏蔽層包含所述刻蝕阻止圖案。

9.根據權利要求8所述的陣列基板，其特征在于，所述刻蝕阻止圖案與位于所述陣列基板的顯示區域內的像素電極圖案同層同材料。

10.根據權利要求1或2所述的陣列基板，其特征在于，在所述第二導電層與所述屏蔽層之間還設置有不導電介質層，所述不導電介質層至少設置在與所述第二信號線引線的正投影相對應的位置，且不設置在與所述第一信號線引線的正投影相對應的位置。

11.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權利要求1-10任一項所述的陣列基板。

12.一種陣列基板的制作方法，其特征在于，包括，

在襯底基板上依次形成第一導電層、第一絕緣層、第二導電層；其中，所述第一導電層包括走線區域的第一信號線引線、所述第二導電層包括走線區域的第二信號線引線，所述第一信號線引線與所述第二信號線引線的正投影不重疊；

在襯底基板上，形成覆蓋所述第二導電層的絕緣薄膜，并減薄所述絕緣薄膜對應于所述第一信號線引線正投影位置的部分，以得到具有減薄區域的第二絕緣層；

在所述第二絕緣層上形成位于所述走線區域的屏蔽層。

13.根據權利要求12所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，還包括：

在所述襯底基板上形成所述第一絕緣層之后，形成覆蓋所述第二導電層的絕緣薄膜之前，形成對應所述減薄區域的刻蝕阻止圖案。

14.根據權利要求13所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述形成對應所述減薄區域的刻蝕阻止圖案包括：

在襯底基板上形成半導體薄膜，并對所述半導體薄膜構圖形成位于所述陣列基板的顯示區域內的有源層圖案，以及對應所述減薄區域的刻蝕阻止圖案；

或者，在襯底基板上形成透明導電薄膜，并對所述透明導電薄膜構圖形成位于所述陣列基板的顯示區域內的像素電極圖案，以及對應所述減薄區域的刻蝕阻止圖案。