[發明專利]金屬層?絕緣層?金屬層電容器及其形成方法

在審

• 申請號: 201710777336.2
• 申請日: 2017-09-01
• 公開（公告）號: CN107591388A
• 公開（公告）日: 2018-01-16
• 發明（設計）人: 丁啟源;王富中;楊雙越;李建明
• 申請（專利權）人: 格科微電子（上海）有限公司
• 主分類號: H01L23/522
• 分類號: H01L23/522
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種金屬層-絕緣層-金屬層電容器的形成方法，適于應用于集成電路的片內電容，其特征在于，

由下至上形成第一金屬層、層間金屬層、第二金屬層，各金屬層之間由絕緣層彼此間隔；

第一金屬層包括第一金屬層A區域和第一金屬層B區域，層間金屬層包括層間金屬層A區域和層間金屬層B區域，第一金屬層A區域和層間金屬層A區域對應構成MIM_A電容器，第一金屬層B區域和層間金屬層B區域對應構成MIM_B電容器；

MIM_A電容器的下極板第一金屬層A區域與MIM_B電容器的上極板層間金屬層B區域通過第二金屬層的一部分連線相連，MIM_A電容器的上極板層間金屬層A區域與MIM_B電容器的下極板第一金屬層B區域通過第二金屬層的另一部分連線相連，以降低層間金屬層的阻抗。

2.根據權利要求1所述的金屬層-絕緣層-金屬層電容器的形成方法，其特征在于，MIM_A電容器和MIM_B電容器沿著一個方向排列，連接MIM_A電容器和MIM_B電容器的第二金屬層的連線沿著所述方向延伸。

3.根據權利要求1所述的金屬層-絕緣層-金屬層電容器的形成方法，其特征在于，MIM_A電容器和MIM_B電容器沿著一個方向排列且在另一方向上交錯耦合設置，連接MIM_A電容器和MIM_B電容器的第二金屬層的連線沿著所述另一方向延伸。

4.根據權利要求1所述的金屬層-絕緣層-金屬層電容器的形成方法，其特征在于，第二金屬層的面積小于層間金屬層、第一金屬層的面積。

5.根據權利要求1所述的金屬層-絕緣層-金屬層電容器的形成方法，其特征在于，層間金屬層的厚度小于第一金屬層、第二金屬層的厚度。

6.根據權利要求1所述的金屬層-絕緣層-金屬層電容器的形成方法，其特征在于，層間金屬層、第一金屬層分別通過多個通孔與第二金屬層相連。

7.一種金屬層-絕緣層-金屬層電容器，適于應用于集成電路的片內電容，其特征在于，

由下至上包括第一金屬層、層間金屬層、第二金屬層，各金屬層之間由絕緣層彼此間隔；

第一金屬層包括第一金屬層A區域和第一金屬層B區域，層間金屬層包括層間金屬層A區域和層間金屬層B區域，第一金屬層A區域和層間金屬層A區域對應構成MIM_A電容器，第一金屬層B區域和層間金屬層B區域對應構成MIM_B電容器；

MIM_A電容器的下極板第一金屬層A區域與MIM_B電容器的上極板層間金屬層B區域通過第二金屬層的一部分連線相連，MIM_A電容器的上極板層間金屬層A區域與MIM_B電容器的下極板第一金屬層B區域通過第二金屬層的另一部分連線相連，以降低層間金屬層的阻抗。

8.根據權利要求7所述的金屬層-絕緣層-金屬層電容器，其特征在于，MIM_A電容器和MIM_B電容器沿著一個方向排列，連接MIM_A電容器和MIM_B電容器的第二金屬層的連線沿著所述方向延伸。

9.根據權利要求7所述的金屬層-絕緣層-金屬層電容器，其特征在于，MIM_A電容器和MIM_B電容器沿著一個方向排列且在另一方向上交錯耦合設置，連接MIM_A電容器和MIM_B電容器的第二金屬層的連線沿著所述另一方向延伸。

10.根據權利要求7所述的金屬層-絕緣層-金屬層電容器，其特征在于，第二金屬層的面積小于層間金屬層、第一金屬層的面積。

11.根據權利要求7所述的金屬層-絕緣層-金屬層電容器，其特征在于，層間金屬層的厚度小于第一金屬層、第二金屬層的厚度。

12.根據權利要求7所述的金屬層-絕緣層-金屬層電容器，其特征在于，層間金屬層、第一金屬層分別通過多個通孔與第二金屬層相連。