[發明專利]拋光設備的拋光壓力控制方法、裝置和拋光設備有效
| 申請號: | 201710776053.6 | 申請日: | 2017-08-31 |
| 公開(公告)號: | CN107336126B | 公開(公告)日: | 2019-05-28 |
| 發明(設計)人: | 張敬業;路新春;沈攀;王同慶 | 申請(專利權)人: | 清華大學;天津華海清科機電科技有限公司 |
| 主分類號: | B24B37/005 | 分類號: | B24B37/005 |
| 代理公司: | 北京清亦華知識產權代理事務所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 黃德海 |
| 地址: | 10008*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 施壓 拋光設備 拋光壓力 拋光 去除 晶圓 預設 拋光處理 時間計算 使用效率 使用周期 速率計算 良品率 拋光墊 施加 加工 | ||
1.一種拋光設備的拋光壓力控制方法,其特征在于,包括以下步驟:
對所述拋光設備所加工的晶圓的多個施壓區域分別施加對應的拋光壓力以進行拋光處理;
獲取所述多個施壓區域中每個施壓區域的拋光厚度,并獲取拋光時間;
根據所述每個施壓區域的拋光厚度和所述拋光時間計算所述每個施壓區域的去除速率;
在拋光預設數量的晶圓后,根據獲取的所述每個施壓區域的所述預設數量的去除速率計算所述每個施壓區域的平均去除速率;
根據所述每個施壓區域的平均去除速率對所述每個施壓區域的拋光壓力進行調整,并以調整后的拋光壓力對待拋光晶圓進行拋光處理。
2.根據權利要求1所述的拋光設備的拋光壓力控制方法,其特征在于,獲取所述多個施壓區域中每個施壓區域的拋光厚度包括以下步驟:
獲取所述每個施壓區域在對應的所述拋光壓力施加前的前值厚度;
獲取所述每個施壓區域在對應的所述拋光壓力施加后的后值厚度;
根據所述每個施壓區域的前值厚度與所述每個施壓區域的后值厚度的差值獲取所述每個施壓區域的拋光厚度。
3.根據權利要求2所述的拋光設備的拋光壓力控制方法,其特征在于,獲取所述每個施壓區域在對應的所述拋光壓力施加前的前值厚度具體包括:
根據獲取的所述每個施壓區域的多個采集點處的前值厚度的平均值得出所述每個施壓區域的前值厚度。
4.根據權利要求2所述的拋光設備的拋光壓力控制方法,其特征在于,獲取所述每個施壓區域在對應的所述拋光壓力施加后的后值厚度具體包括:
根據獲取的所述每個施壓區域的多個采集點處的后值厚度的平均值得出所述每個施壓區域的后值厚度。
5.根據權利要求1所述的拋光設備的拋光壓力控制方法,其特征在于,根據以下公式計算所述每個施壓區域的去除速率:
其中,V為所述每個施壓區域的去除速率,Removal為所述每個施壓區域的拋光厚度,T為所述拋光時間。
6.根據權利要求1所述的拋光設備的拋光壓力控制方法,其特征在于,所述預設數量為N,在拋光第一個至第N個晶圓后,根據以下公式計算所述每個施壓區域的平均去除速率:
其中,為所述每個施壓區域的平均去除速率,V為所述每個施壓區域的去除速率,k0的取值范圍為0.5-1.0。
7.根據權利要求1所述的拋光設備的拋光壓力控制方法,其特征在于,根據以下公式對所述每個施壓區域的拋光壓力進行調整:
其中,P'為調整后的拋光壓力,P為調整前的拋光壓力,Rq為所述待拋光晶圓的每個施壓區域在P'施加前的前值厚度,Target為所述待拋光晶圓的每個施壓區域的基準后值厚度,為所述每個施壓區域的平均去除速率,Tn+1為所述待拋光晶圓的拋光時間。
8.一種拋光設備的拋光壓力控制裝置,其特征在于,包括:
拋光處理模塊,所述拋光處理模塊用于對所加工的晶圓的多個施壓區域分別施加對應的拋光壓力以進行拋光處理;
第一獲取模塊,所述第一獲取模塊用于獲取所述多個施壓區域中每個施壓區域的拋光厚度;
第二獲取模塊,所述第二獲取模塊用于獲取拋光時間;
第一計算模塊,所述第一計算模塊根據所述每個施壓區域的拋光厚度和所述拋光時間計算所述每個施壓區域的去除速率;
第二計算模塊,在拋光預設數量的晶圓后,所述第二計算模塊根據獲取的所述每個施壓區域的所述預設數量的去除速率計算所述每個施壓區域的平均去除速率;
所述拋光處理模塊還用于根據所述每個施壓區域的平均去除速率對所述每個施壓區域的拋光壓力進行調整,并以調整后的拋光壓力對待拋光晶圓進行拋光處理。
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