[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件的制造方法、襯底處理裝置及記錄介質(zhì)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710775132.5
• 申請日: 2017-08-31
• 公開（公告）號: CN107818911B
• 公開（公告）日: 2021-10-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 橋本良知;松岡樹;永戶雅也;堀池亮太;小倉慎太郎
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會社國際電氣
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02
• 代理公司: 北京市金杜律師事務(wù)所 11256
• 代理人: 楊宏軍;李文嶼

本發(fā)明提供半導(dǎo)體器件的制造方法、襯底處理裝置及記錄介質(zhì)。半導(dǎo)體器件的制造方法包括將下述循環(huán)進(jìn)行規(guī)定次數(shù)從而在襯底上形成膜的工序，所述循環(huán)是非同時地進(jìn)行如下工序：自第一噴嘴對襯底供給原料，并從排氣口排氣；自配置在比第一噴嘴更遠(yuǎn)離排氣口一側(cè)的第二噴嘴，對襯底供給第一反應(yīng)體，并從排氣口排氣；以及自配置在比第二噴嘴更接近排氣口一側(cè)的第三噴嘴，對襯底供給第二反應(yīng)體，并從排氣口排氣，在供給原料時，通過控制自第二噴嘴供給的非活性氣體的流量、自第三噴嘴供給的非活性氣體的流量、和自第一噴嘴供給的非活性氣體的流量的平衡，從而對在襯底上形成的膜的襯底面內(nèi)膜厚分布進(jìn)行控制。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件的制造方法、襯底處理裝置及記錄介質(zhì)。

背景技術(shù)

作為半導(dǎo)體器件的制造工序的一個工序，有進(jìn)行在襯底上形成膜的處理(例如，參見專利文獻(xiàn)1)。

現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)1：日本特開2010－118462號公報

發(fā)明內(nèi)容

發(fā)明所要解決的問題

本發(fā)明的目的在于，提供一種能夠控制在襯底上形成的膜的襯底面內(nèi)膜厚分布的技術(shù)。

用于解決問題的手段

通過本發(fā)明的一個方式，提供一種技術(shù)，包括將下述循環(huán)進(jìn)行規(guī)定次數(shù)從而在襯底上形成膜的工序，所述循環(huán)是非同時地進(jìn)行如下工序：自第一噴嘴對襯底供給原料，并從排氣口排氣；自配置在比所述第一噴嘴更遠(yuǎn)離所述排氣口一側(cè)的第二噴嘴，對所述襯底供給第一反應(yīng)體，并從所述排氣口排氣；以及自配置在比所述第二噴嘴更接近所述排氣口一側(cè)的第三噴嘴，對所述襯底供給第二反應(yīng)體，并從所述排氣口排氣，在供給所述原料時，通過控制自所述第二噴嘴供給的非活性氣體的流量、自所述第三噴嘴供給的非活性氣體的流量、和自所述第一噴嘴供給的非活性氣體的流量的平衡，從而對在所述襯底上形成的所述膜的襯底面內(nèi)膜厚分布進(jìn)行控制。

發(fā)明效果

通過本發(fā)明，能夠控制在襯底上形成的膜的襯底面內(nèi)膜厚分布。

附圖說明

圖1是本發(fā)明的一個實(shí)施方式中優(yōu)選使用的襯底處理裝置的立式處理爐的概略構(gòu)成圖，并且是以縱剖面圖表示處理爐部分的圖。

圖2是本發(fā)明的一個實(shí)施方式中優(yōu)選使用的襯底處理裝置的立式處理爐的概略構(gòu)成圖，并且是以圖1的A-A線剖面圖表示處理爐部分的圖。

圖3是本發(fā)明的一個實(shí)施方式中優(yōu)選使用的襯底處理裝置的控制器的概略構(gòu)成圖，并且是以框圖表示控制器的控制系統(tǒng)的圖。

圖4是表示本發(fā)明的一實(shí)施方式的成膜順序的圖。

圖5是表示本發(fā)明的一實(shí)施方式的成膜順序的變形例1的圖。

圖6是表示本發(fā)明的一實(shí)施方式的成膜順序的變形例2的圖。

圖7是表示本發(fā)明的一實(shí)施方式的成膜順序的變形例3的圖。

圖8是表示形成于襯底上的膜的襯底面內(nèi)膜厚分布的評價結(jié)果的圖。

圖9的(a)～(c)分別是表示形成于襯底上的膜的襯底面內(nèi)膜厚分布的評價結(jié)果的圖。

附圖標(biāo)記的說明

200 晶片(襯底)

249a 噴嘴(第一噴嘴)

249b 噴嘴(第二噴嘴)

249c 噴嘴(第三噴嘴)

231a 排氣口

具體實(shí)施方式

本發(fā)明的一實(shí)施方式