[發明專利]半導體器件的制造方法、襯底處理裝置及記錄介質

有效

• 申請號: 201710775132.5
• 申請日: 2017-08-31
• 公開（公告）號: CN107818911B
• 公開（公告）日: 2021-10-08
• 發明（設計）人: 橋本良知;松岡樹;永戶雅也;堀池亮太;小倉慎太郎
• 申請（專利權）人: 株式會社國際電氣
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 楊宏軍;李文嶼

1.一種半導體器件的制造方法，包括將下述循環進行規定次數從而在襯底上形成膜的工序，所述循環是非同時地進行如下工序：

自配置在與排氣口同一側的第一噴嘴對襯底供給原料，并從所述排氣口排氣；

自配置在所述排氣口的相對側且比所述第一噴嘴更遠離所述排氣口一側的第二噴嘴，對所述襯底供給第一反應體，并從所述排氣口排氣；以及

自配置在與所述排氣口同一側且比所述第二噴嘴更接近所述排氣口一側的第三噴嘴，對所述襯底供給第二反應體，并從所述排氣口排氣，

在供給所述原料時，通過控制自所述第二噴嘴供給的非活性氣體的流量、自所述第三噴嘴供給的非活性氣體的流量、和自所述第一噴嘴供給的非活性氣體的流量的平衡，從而對在所述襯底上形成的所述膜的襯底面內膜厚分布進行控制。

2.根據權利要求1所述半導體器件的制造方法，其中，

在供給所述原料時，使自所述第二噴嘴供給的非活性氣體的流量大于自所述第一噴嘴供給的非活性氣體的流量。

3.根據權利要求2所述半導體器件的制造方法，其中，

在供給所述原料時，使自所述第二噴嘴供給的非活性氣體的流量大于自所述第一噴嘴供給的原料的流量和供給非活性氣體的流量的合計流量。

4.根據權利要求2所述半導體器件的制造方法，其中，

在供給所述原料時，使自所述第三噴嘴供給的非活性氣體的流量大于自所述第一噴嘴供給的非活性氣體的流量。

5.根據權利要求4所述半導體器件的制造方法，其中，

在供給所述原料時，使自所述第二噴嘴供給的非活性氣體的流量為自所述第三噴嘴供給的非活性氣體的流量以上。

6.根據權利要求4所述半導體器件的制造方法，其中，

在供給所述原料時，使自所述第二噴嘴供給的非活性氣體的流量大于自所述第三噴嘴供給的非活性氣體的流量。

7.根據權利要求2所述半導體器件的制造方法，其中，

在供給所述原料時，使自所述第三噴嘴供給的非活性氣體的流量為自所述第一噴嘴供給的非活性氣體的流量以下。

8.根據權利要求2所述半導體器件的制造方法，其中，

在供給所述原料時，使自所述第三噴嘴供給的非活性氣體的流量與自所述第一噴嘴供給的非活性氣體的流量同等。

9.根據權利要求1所述半導體器件的制造方法，其中，

在供給所述原料時，使自所述第二噴嘴供給的非活性氣體的流量小于自所述第三噴嘴供給的非活性氣體的流量，使自所述第三噴嘴供給的非活性氣體的流量大于自所述第一噴嘴供給的非活性氣體的流量。

10.根據權利要求9所述半導體器件的制造方法，其中，

在供給所述原料時，使自所述第三噴嘴供給的非活性氣體的流量大于自所述第一噴嘴供給的原料的流量和供給非活性氣體的流量的合計流量。

11.根據權利要求9所述半導體器件的制造方法，其中，

在供給所述原料時，使自所述第二噴嘴供給的非活性氣體的流量與自所述第一噴嘴供給的非活性氣體的流量同等。

12.根據權利要求1所述半導體器件的制造方法，其中，

在供給所述原料時，使自所述第二噴嘴及所述第三噴嘴分別供給的非活性氣體的流量與自所述第一噴嘴供給的非活性氣體的流量同等。

13.根據權利要求1所述半導體器件的制造方法，其中，

所述原料包含鹵代硅烷。