[發(fā)明專利]一種多通道EML集成組件及其AWG制作方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710773969.6 | 申請(qǐng)日: | 2017-08-31 |
| 公開(公告)號(hào): | CN107329206B | 公開(公告)日: | 2019-11-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 宋小平;徐紅春;劉成剛;岳陽陽;郭浩榮 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 武漢光迅科技股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | G02B6/12 | 分類號(hào): | G02B6/12;G02B6/13 |
| 代理公司: | 44341 深圳市愛迪森知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) | 代理人: | 何婷<國(guó)際申請(qǐng)>=<國(guó)際公布>=<進(jìn)入國(guó) |
| 地址: | 430074 湖*** | 國(guó)省代碼: | 湖北;42 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 通道 eml 集成 組件 及其 awg 制作方法 | ||
本發(fā)明涉及光模塊技術(shù)領(lǐng)域,提供了一種多通道EML集成組件及其AWG制作方法。組件包括管殼、溫度監(jiān)控電路和一體式TEC,包括一個(gè)共基板的熱面和兩個(gè)獨(dú)立的冷面,第一冷面承載一熱沉,熱沉上設(shè)置有激光發(fā)射芯片;第二冷面承載一AWG,AWG的進(jìn)光面設(shè)置有透鏡陣列,AWG中用于傳輸匯聚后光信號(hào)波導(dǎo)段設(shè)置有第一凹槽,第一凹槽中設(shè)置有SOA芯片;熱面固定在管殼的內(nèi)壁上。本發(fā)明提供的多通道EML集成組件,不僅通過采用一體式TEC,將常規(guī)分離制作的激光器側(cè)TEC和AWG側(cè)TEC制作成共熱面的一體式TEC,從而保證了激光器與AWG之間的耦合精度,并且可以實(shí)現(xiàn)無源耦合的目的。
【技術(shù)領(lǐng)域】
本發(fā)明涉及光模塊技術(shù)領(lǐng)域,特別是涉及一種多通道EML集成組件及其AWG制作方法。
【背景技術(shù)】
在現(xiàn)代通信系統(tǒng)中,隨著系統(tǒng)傳輸?shù)娜萘吭絹碓酱螅馄骷庋b對(duì)速率的要求越來越高,同時(shí)對(duì)器件的傳輸距離也要求越來越長(zhǎng)。尤其是在高速封裝領(lǐng)域,直接調(diào)制半導(dǎo)體激光器(Directly Modulated Semiconductor Laser,簡(jiǎn)寫為:DML)逐步克服啁啾的影響,調(diào)制速率越來越高,DML調(diào)制的激光器組件具有較低的成本優(yōu)勢(shì),對(duì)10km及其以下傳輸距離的市場(chǎng)起著決定作用。而采用外調(diào)制結(jié)構(gòu)的激光器組件性能優(yōu),成本也較高,必須瞄準(zhǔn)10Km以上的市場(chǎng),所以長(zhǎng)距離傳輸單片集成的電吸收調(diào)制激光器(Electro absorptionModulated Laser,簡(jiǎn)寫為:EML)集成組件會(huì)有很大的市場(chǎng)空間。
目前用于長(zhǎng)距離傳輸?shù)南到y(tǒng),大多采用多通道EML集成組件再加上一個(gè)封裝好的半導(dǎo)體光放大器(Semiconductor Optical Amplifier,簡(jiǎn)寫為:SOA)組件的方式進(jìn)行,如圖1所示,這種方式搭建起來的系統(tǒng)體積大,功耗高,成本也高。除此之外,EML組件跟SOA組件之間采用光纖連接,應(yīng)用到系統(tǒng)中需要盤纖,不僅工藝復(fù)雜、插入損耗大,也容易發(fā)生折纖、斷纖等現(xiàn)象,影響成品率。
如圖2所示,為另一種現(xiàn)有的多通道EML集成組件的結(jié)構(gòu)示意圖,其中,由于其采用的TEC結(jié)構(gòu)是獨(dú)立的兩個(gè)元件(如圖中TEC1和TEC2所示),因此,其在Z軸上的誤差無法控制到20um以內(nèi),如圖2所示,激光器與AWG之間必須通過獨(dú)立透鏡,以有源對(duì)光校準(zhǔn)的方式完成激光器、獨(dú)立透鏡與AWG之間的光路耦合。這種實(shí)現(xiàn)方式不僅帶來了加工制造的效率低,也需要額外配置所述獨(dú)立透鏡造成了成本的提高。
【發(fā)明內(nèi)容】
本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是現(xiàn)有技術(shù)中EML集成組件加工工藝復(fù)雜,需要采用有源對(duì)光方式才能完成激光器和AWG耦合;對(duì)于包含SOA結(jié)構(gòu)的EML集成組件則是器件結(jié)構(gòu)復(fù)雜,串聯(lián)式結(jié)構(gòu)造成EML集成組件器件大小較大等問題。
本發(fā)明采用如下技術(shù)方案:
本發(fā)明提供了一種多通道EML集成組件,包括管殼1、溫度監(jiān)控電路和一體式TEC2,其中,所述一體式TEC2包括一個(gè)共基板的熱面21和兩個(gè)獨(dú)立的冷面,
所述兩個(gè)冷面結(jié)構(gòu)中的第一冷面22承載一熱沉4,所述熱沉4上設(shè)置有激光發(fā)射芯片5和第一熱敏電阻3;
所述兩個(gè)冷面結(jié)構(gòu)中的第二冷面23承載一AWG6,所述AWG6的進(jìn)光面設(shè)置有透鏡陣列9,所述AWG6中用于傳輸匯聚后光信號(hào)波導(dǎo)段設(shè)置有第一凹槽31,所述第一凹槽31中設(shè)置有SOA芯片7;其中,所述AWG6上還設(shè)置有第二熱敏電阻8;
所述第一熱敏電阻3、第二熱敏電阻8、第一冷面22與共基板的熱面21中的第一熱面區(qū)域24所構(gòu)成的第一回路、第二冷面23與基板的熱面21中的第二熱面區(qū)域25所構(gòu)成的第二回路分別連接溫度監(jiān)控電路;
所述熱面21固定在管殼1的內(nèi)壁上。
優(yōu)選的,在所述AWG6上,且位于所述第一凹槽31的附近制作有第二凹槽32,所述第二熱敏電阻8設(shè)置在所述第二凹槽32中;其中,所述第二凹槽32的深度使得完成倒裝焊接后的第二熱敏電阻8的熱感應(yīng)區(qū)域與AWG6的波導(dǎo)位于同一水平面上。
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