[發明專利]OLED顯示裝置及OLED顯示裝置的制備方法有效
| 申請號: | 201710773943.1 | 申請日: | 2017-08-31 |
| 公開(公告)號: | CN109427997B | 公開(公告)日: | 2021-07-13 |
| 發明(設計)人: | 李雪原;閔超;劉勝芳;董晴晴;張浩杰;田景文 | 申請(專利權)人: | 昆山工研院新型平板顯示技術中心有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/52 | 分類號: | H01L51/52;H01L51/56 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | oled 顯示裝置 制備 方法 | ||
一種OLED顯示裝置,包括依次疊置的基板、OLED單元、光耦合層及用于封裝所述OLED單元的封裝層,所述光耦合層由適于光取出的無機材料制備,且直接形成在所述OLED單元上。一種OLED顯示裝置的制備方法包括:S1,在基板上制備OLED單元;S2,在OLED單元上采用無機材料沉積形成光耦合層;S3,在光耦合層上形成封裝層以封裝OLED單元。本實施例提供的OLED顯示裝置及OLED顯示裝置的制備方法通過由無機材料制備光耦合層,增大了光耦合層與封裝層的粘附性,并且解決了光耦合層易損傷的問題,使OLED顯示裝置在彎折時,減少了光耦合層和封裝層脫膜的現象,提高了OLED顯示裝置的彎折可靠性。
技術領域
本發明涉及發光二極管技術領域,特別是涉及一種OLED顯示裝置及OLED顯示裝置的制備方法。
背景技術
把有機發光二極管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)制備在柔性基底上,以此來實現柔性顯示是未來顯示技術發展的一種重要方向。
相關技術中,在薄膜封裝的OLED顯示裝置中,為了減少OLED顯示裝置的出光損失,會在OLED發光單元和封裝層之間插入一層CPL層(Coupling Layer,光耦合層)來提高光取出率。CPL層多采用有機材料通過蒸鍍工藝加工而成,而有機材料制成的CPL層與薄膜封裝層之間的粘附力差。
因此,有必要提供一種新的OLED顯示裝置及OLED顯示裝置的制備方法以解決上述問題。
發明內容
本發明的目的在于提供一種OLED顯示裝置及OLED顯示裝置的制備方法,解決現有的OLED顯示裝置的CPL層與薄膜封裝層粘附性差的問題。
本發明實施例提供一種OLED顯示裝置,包括依次疊置的基板、OLED單元、光耦合層及用于封裝所述OLED單元的封裝層,所述光耦合層由適于光取出的無機材料制備,且直接形成在所述OLED單元上,所述光耦合層由熔融點大于等于550℃且小于等于750℃的無機材料制備,所述光耦合層的折射率大于等于1.5且小于等于2.4,所述封裝層包括與所述基板連接且覆蓋于所述光耦合層上的第一無機層及依次疊設于所述第一無機層上的第一有機層和第二無機層,所述第二無機層將所述第一有機層封裝于其內,所述第一無機層將所述OLED單元和所述光耦合層封裝于其內,所述OLED單元包括依次疊設于所述基板上的第一電極層、有機發光層及第二電極層,所述光耦合層設于所述第二電極層上,所述光耦合層和所述第一無機層之間形成防脫結構,所述防脫結構包括形成于所述光耦合層的第一凹凸結構和形成于所述第一無機層的第二凹凸結構,所述第一凹凸結構與所述第二凹凸結構嚙合。
優選的,所述光耦合層的材料為四氟化鋯或者硼酸鉍。
本發明實施例還提供一種OLED顯示裝置的制備方法,所述OLED顯示裝置的制備方法包括:
S1,在基板上制備OLED單元,所述OLED單元包括依次疊設于基板上的第一電極層、有機發光層及第二電極層;
S2,在所述OLED單元上采用無機材料沉積形成光耦合層,所述光耦合層由熔融點大于等于550℃且小于等于750℃的無機材料制備,所述光耦合層的折射率大于等于1.5且小于等于2.4;
S3,在所述光耦合層形成第一凹凸結構;
S4,在所述光耦合層上形成第一無機層以封裝所述OLED單元和所述光耦合層,所述第一無機層靠近所述光耦合層的一側形成與所述第一凹凸結構配合的第二凹凸結構;
S5,在所述第一無機層上依次形成第一有機層和第二無機層,所述第二無機層封裝所述第一有機層。
上述制備方法中,所述第一凹凸結構通過掩膜蒸鍍的方式在所述光耦合層直接形成;或者是通過先沉積整片所述光耦合層,再通過光刻的方法刻蝕形成。
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