[發(fā)明專利]OLED顯示裝置及OLED顯示裝置的制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710773943.1 | 申請日： | 2017-08-31 |
| 公開（公告）號： | CN109427997B | 公開（公告）日： | 2021-07-13 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 李雪原;閔超;劉勝芳;董晴晴;張浩杰;田景文 | 申請（專利權(quán)）人： | 昆山工研院新型平板顯示技術(shù)中心有限公司 |
| 主分類號： | H01L51/52 | 分類號： | H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司： | 上海波拓知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31264 | 代理人： | 楊波 |
| 地址： | 215300 江蘇省蘇州*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | oled 顯示裝置 制備 方法 | ||
1.一種OLED顯示裝置(100)，其特征在于，包括依次疊置的基板(1)、OLED單元(3)、光耦合層(7)及用于封裝所述OLED單元(3)的封裝層(8)，所述光耦合層(7)由適于光取出的無機材料制備，且直接形成在所述OLED單元(3)上，所述光耦合層(7)由熔融點大于等于550℃且小于等于750℃的無機材料制備，所述光耦合層(7)的折射率大于等于1.5且小于等于2.4，所述封裝層(8)包括與所述基板(1)連接且覆蓋于所述光耦合層(7)上的第一無機層(811)及依次疊設(shè)于所述第一無機層(811)上的第一有機層(813)和第二無機層(815)，所述第二無機層(815)將所述第一有機層(813)封裝于其內(nèi)，所述第一無機層(811)將所述OLED單元(3)和所述光耦合層(7)封裝于其內(nèi)，所述OLED單元(3)包括依次疊設(shè)于所述基板(1)上的第一電極層(31)、有機發(fā)光層(33)及第二電極層(35)，所述光耦合層(7)設(shè)于所述第二電極層(35)上，所述光耦合層(7)和所述第一無機層(811)之間形成防脫結(jié)構(gòu)，所述防脫結(jié)構(gòu)包括形成于所述光耦合層(7)的第一凹凸結(jié)構(gòu)(73)和形成于所述第一無機層(811)的第二凹凸結(jié)構(gòu)(83)，所述第一凹凸結(jié)構(gòu)(73)與所述第二凹凸結(jié)構(gòu)(83)嚙合。
2.如權(quán)利要求1所述的OLED顯示裝置，其特征在于，所述光耦合層(7)的材料為四氟化鋯或者硼酸鉍。
3.一種OLED顯示裝置的制備方法，其特征在于，包括：
S1，在基板(1)上制備OLED單元(3)，所述OLED單元(3)包括依次疊設(shè)于基板(1)上的第一電極層(31)、有機發(fā)光層(33)及第二電極層(35)；
S2，在所述OLED單元(3)上采用無機材料沉積形成光耦合層(7)，所述光耦合層(7)由熔融點大于等于550℃且小于等于750℃的無機材料制備，所述光耦合層(7)的折射率大于等于1.5且小于等于2.4；
S3，在所述光耦合層(7)形成第一凹凸結(jié)構(gòu)(73)；
S4，在所述光耦合層(7)上形成第一無機層(811)以封裝所述OLED單元(3)和所述光耦合層(7)，所述第一無機層(811)靠近所述光耦合層(7)的一側(cè)形成與所述第一凹凸結(jié)構(gòu)(73)配合的第二凹凸結(jié)構(gòu)(83)；
S5，在所述第一無機層(811)上依次形成第一有機層(813)和第二無機層(815)，所述第二無機層(815)封裝所述第一有機層(813)。
4.如權(quán)利要求3所述的OLED顯示裝置的制備方法，其特征在于，所述第一凹凸結(jié)構(gòu)(73)通過掩膜蒸鍍的方式在所述光耦合層(7)直接形成；或者是通過先沉積整片所述光耦合層(7)，再通過光刻的方法刻蝕形成。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
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