[發(fā)明專利]實(shí)現(xiàn)高電源電壓轉(zhuǎn)變的低功耗低壓差線性穩(wěn)壓器

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710773696.5
• 申請日: 2017-08-31
• 公開（公告）號: CN107402594A
• 公開（公告）日: 2017-11-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 甄少偉;周萬禮;陳佳偉;王佳佳;毛征明;羅萍;張波
• 申請（專利權(quán)）人: 電子科技大學(xué);電子科技大學(xué)廣東電子信息工程研究院
• 主分類號: G05F1/56
• 分類號: G05F1/56
• 代理公司: 成都虹橋?qū)＠聞?wù)所(普通合伙)51124
• 代理人: 李凌峰

1.實(shí)現(xiàn)高電源電壓轉(zhuǎn)變的低功耗低壓差線性穩(wěn)壓器，包括外部電源輸入端及電壓輸出端，其特征在于，還包括PMOS管一、PMOS管二、NJFET耐壓管一、NJFET耐壓管二、NMOS管一、NMOS管二、耗盡型NMOS管、二極管、電阻一及電阻二，所述PMOS管一的源極、PMOS管二的源極及NMOS管二的漏極都與外部電源輸入端連接，PMOS管一的漏極與自身柵極連接，且與PMOS管二的柵極及NJFET耐壓管一的漏極連接，PMOS管二的漏極與NJFET耐壓管二的漏極連接，且與NMOS管二的柵極及二極管的負(fù)極連接，NJFET耐壓管一的柵極與NJFET耐壓管二的柵極連接，且接地，NJFET耐壓管一的源極與耗盡型NMOS管的漏極連接，NJFET耐壓管二的源極與NMOS管一的漏極連接，耗盡型NMOS管的源極及柵極分別接地，NMOS管一的源極接地，其柵極與電阻一的一端連接，且與電阻二的一端連接，電阻二的另一端接地，電阻一的另一端與NMOS管二的源極連接，且與二極管的正極及電壓輸出端連接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的實(shí)現(xiàn)高電源電壓轉(zhuǎn)變的低功耗低壓差線性穩(wěn)壓器，其特征在于，所述PMOS管一及PMOS管二為增強(qiáng)型PMOS管；NMOS管一及NMOS管二為增強(qiáng)型NMOS管。