[發明專利]功率半導體單管的封裝方法在審
| 申請號： | 201710772908.8 | 申請日： | 2017-08-31 |
| 公開（公告）號： | CN107611108A | 公開（公告）日： | 2018-01-19 |
| 發明（設計）人： | 周宏偉;劉鵬飛;閆宏麗;徐西昌 | 申請（專利權）人： | 西安龍騰新能源科技發展有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/373 | 分類號： | H01L23/373;H01L21/48;H01L21/331 |
| 代理公司： | 西安新思維專利商標事務所有限公司61114 | 代理人： | 李罡 |
| 地址： | 710021 陜西*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 功率 半導體 封裝 方法 | ||
【權利要求書】：
1.功率半導體單管的封裝方法，其特征在于：
包括以下步驟：
步驟一：按照正常流程完成封裝單管的正常封裝；
步驟二：單管背面金屬層涂一層導熱膏，這層導熱膏要把背面金屬全部覆蓋，以保證絕緣性，涂覆厚度必須均勻；
步驟三：將封裝單管直接固定到散熱器上，完成安裝。
2.根據權利要求1所述的功率半導體單管的封裝方法，其特征在于：
步驟二中，導熱膏的涂覆采用鋼網形式完成。
3.根據權利要求1所述的功率半導體單管的封裝方法，其特征在于：
步驟二中，導熱膏采用整塊涂覆的方式。
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