[發明專利]一種叉指狀測試結構有效
| 申請號: | 201710772516.1 | 申請日: | 2017-08-31 |
| 公開(公告)號: | CN107579016B | 公開(公告)日: | 2018-09-14 |
| 發明(設計)人: | 蔚倩倩;李桂花;仝金雨;李輝 | 申請(專利權)人: | 長江存儲科技有限責任公司 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66;H01L23/58 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人: | 王寶筠 |
| 地址: | 430074 湖北省武漢市東湖*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 叉指狀 測試 結構 | ||
本發明公開了一種叉指狀測試結構,包括:在第一方向上相對設置的多個金屬結構;其中,所述金屬結構包括:第一金屬線結構;與所述第一金屬線結構垂直設置連接的多條第二金屬線結構;設置于相鄰兩條所述第二金屬線結構之間的第三金屬線結構;所述第三金屬線結構為預設數量的短金屬線之間按照預設距離進行依次排布,且排布方向垂直于所述第一金屬線結構;所述第三金屬線結構與所述第一金屬線結構以及所述第二金屬線結構之間均不連接;在所述第一方向上的所述第一金屬線結構之間相互連接;在所述第一方向上的所述第三金屬線結構中的相鄰的短金屬線之間相互連接。該叉指狀測試結構可以精確定位失效點的位置。
技術領域
本發明涉及工藝可靠性監控技術領域,更具體地說,尤其涉及一種叉指狀測試結構。
背景技術
隨著科學技術的不斷發展,半導體器件已普遍應用于人們的日常生活、工作以及工業中,在半導體工藝中,叉指狀測試結構用于工藝可靠性監控以及失效點的監控。
現有的叉指狀測試結構通過施加電壓檢測電流,應用OBIRCH(Optical BeamInduced Resistance Change,光誘導電阻變化)以及EMMI(Emission Microscope,微光顯微鏡)工具捕捉熱點的方式,定位失效點的位置。
但是,現有的叉指狀測試結構,僅僅只能大致定位出失效點的位置范圍,并不能精確定位失效點的位置。
發明內容
為解決上述問題,本發明提供了一種叉指狀測試結構,該叉指狀測試結構可以精確定位失效點的位置。
為實現上述目的,本發明提供如下技術方案:
一種叉指狀測試結構,所述叉指狀測試結構包括:在第一方向上相對設置的多個金屬結構;
其中,所述金屬結構包括:第一金屬線結構;與所述第一金屬線結構垂直設置連接的多條第二金屬線結構;設置于相鄰兩條所述第二金屬線結構之間的第三金屬線結構;所述第三金屬線結構為預設數量的短金屬線之間按照預設距離進行依次排布,且排布方向垂直于所述第一金屬線結構;所述第三金屬線結構與所述第一金屬線結構以及所述第二金屬線結構之間均不連接;
在所述第一方向上的所述第一金屬線結構之間相互連接;在所述第一方向上的所述第三金屬線結構中的相鄰的短金屬線之間相互連接。
優選的,在上述叉指狀測試結構中,在所述第一方向上所述第三金屬線結構中的相鄰的短金屬線之間兩端分別進行連接。
優選的,在上述叉指狀測試結構中,所述第一金屬線結構、所述第二金屬線結構以及所述第三金屬線結構相對位置固定不變。
優選的,在上述叉指狀測試結構中,在第一方向上相對設置的多個金屬結構之間的距離滿足預設條件,且相對位置固定不變。
優選的,在上述叉指狀測試結構中,所述第一金屬線結構接地連接。
優選的,在上述叉指狀測試結構中,相鄰兩條所述第二金屬線結構之間的距離相等。
優選的,在上述叉指狀測試結構中,所述第三金屬線結構位于相鄰兩條所述第二金屬線結構的居中位置。
優選的,在上述叉指狀測試結構中,所述第二金屬線結構的數量為20條至100條。
優選的,在上述叉指狀測試結構中,所述短金屬線之間的預設距離為40nm-200nm。
通過上述描述可知,本發明提供的叉指狀測試結構包括:在第一方向上相對設置的多個金屬結構;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





