[發明專利]一種叉指狀測試結構有效
| 申請號: | 201710772516.1 | 申請日: | 2017-08-31 |
| 公開(公告)號: | CN107579016B | 公開(公告)日: | 2018-09-14 |
| 發明(設計)人: | 蔚倩倩;李桂花;仝金雨;李輝 | 申請(專利權)人: | 長江存儲科技有限責任公司 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66;H01L23/58 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人: | 王寶筠 |
| 地址: | 430074 湖北省武漢市東湖*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 叉指狀 測試 結構 | ||
1.一種叉指狀測試結構,其特征在于,所述叉指狀測試結構包括:在第一方向上相對設置的多個金屬結構;
其中,所述金屬結構包括:第一金屬線結構;與所述第一金屬線結構垂直設置連接的多條第二金屬線結構;設置于相鄰兩條所述第二金屬線結構之間的第三金屬線結構;所述第三金屬線結構為預設數量的短金屬線之間按照預設距離進行依次排布,且排布方向垂直于所述第一金屬線結構;所述第三金屬線結構與所述第一金屬線結構以及所述第二金屬線結構之間均不連接;
在所述第一方向上的所述第一金屬線結構之間相互連接;在所述第一方向上的所述第三金屬線結構中的相鄰的短金屬線之間相互連接。
2.根據權利要求1所述的叉指狀測試結構,其特征在于,在所述第一方向上所述第三金屬線結構中的相鄰的短金屬線之間兩端分別進行連接。
3.根據權利要求1所述的叉指狀測試結構,其特征在于,所述第一金屬線結構、所述第二金屬線結構以及所述第三金屬線結構相對位置固定不變。
4.根據權利要求1所述的叉指狀測試結構,其特征在于,在第一方向上相對設置的多個金屬結構之間的距離滿足預設條件,且相對位置固定不變。
5.根據權利要求1所述的叉指狀測試結構,其特征在于,所述第一金屬線結構接地連接。
6.根據權利要求1所述的叉指狀測試結構,其特征在于,相鄰兩條所述第二金屬線結構之間的距離相等。
7.根據權利要求1所述的叉指狀測試結構,其特征在于,所述第三金屬線結構位于相鄰兩條所述第二金屬線結構的居中位置。
8.根據權利要求1所述的叉指狀測試結構,其特征在于,所述第二金屬線結構的數量為20條至100條。
9.根據權利要求1所述的叉指狀測試結構,其特征在于,所述短金屬線之間的預設距離為40nm-200nm。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于長江存儲科技有限責任公司,未經長江存儲科技有限責任公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201710772516.1/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





