[發明專利]原位生長花瓣狀二硫化鉬的空心介孔碳球的制備方法在審
| 申請號: | 201710771604.X | 申請日: | 2017-08-31 |
| 公開(公告)號: | CN107591527A | 公開(公告)日: | 2018-01-16 |
| 發明(設計)人: | 陳銘;張秀娥;姜暉;曹圣平;趙榮芳;陸俊杰;朱凌云 | 申請(專利權)人: | 揚州大學 |
| 主分類號: | H01M4/36 | 分類號: | H01M4/36;H01M4/58;H01M4/587;H01M4/62;H01M10/0525;B82Y30/00 |
| 代理公司: | 揚州市錦江專利事務所32106 | 代理人: | 江平 |
| 地址: | 225009 *** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 原位 生長 花瓣 二硫化鉬 空心 介孔碳球 制備 方法 | ||
1.原位生長花瓣狀二硫化鉬的空心介孔碳球的制備方法,其特征在于包括以下步驟:
1)磁力攪拌下,先將乙醇、去離子水和氨水混合后,再加入正硅酸乙酯,再混合后,再加入間苯二酚和甲醛進行反應;
反應結束后離心洗滌,取得固相干燥,然后在氬氣氣氛保護下高溫煅燒,再將高溫煅燒后的產物經氫氧化鈉水溶液刻蝕,最后將刻蝕后的產物離心洗滌,并將得到的固相干燥,即得空心介孔碳納米球;
2)超聲條件下將二水鉬酸鈉和硫脲溶于去離子水中,然后加入空心介孔碳納米球,再經超聲分散后進行水熱反應;
待水熱反應結束后離心洗滌,取得固相干燥后在氬氣氣氛保護下高溫煅燒,即得原位生長花瓣狀二硫化鉬的空心介孔碳球。
2.根據權利要求1所述的制備方法,其特征在于所述步驟1)中,間苯二酚與甲醛的投料質量比為1∶1~10。
3.根據權利要求1或2所述的制備方法,其特征在于所述步驟1)中,反應時間為24 h。
4.根據權利要求1所述的制備方法,其特征在于所述步驟1)中,所述氫氧化鈉水溶液的濃度為1~2 M,氫氧化鈉水溶液的溫度為50~90℃。
5.根據權利要求1所述的制備方法,其特征在于所述步驟2)中,二水鉬酸鈉、硫脲和空心介孔碳納米球的投料質量比為1∶1~8∶0.1~1。
6.根據權利要求1或5所述的制備方法,其特征在于所述步驟2)中,反應中水熱溫度為100~300 ℃,反應時間5~48 h。
7.根據權利要求1所述的制備方法,其特征在于所述步驟2)中,高溫煅燒時以1~5 ℃/min的升溫速率,將溫度升至500~800℃煅燒1~12 h。
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