[發明專利]存儲器件有效
| 申請號: | 201710770958.2 | 申請日: | 2017-08-31 |
| 公開(公告)號: | CN107845638B | 公開(公告)日: | 2020-08-11 |
| 發明(設計)人: | 尹狀根;金善煐;趙厚成 | 申請(專利權)人: | 三星電子株式會社 |
| 主分類號: | H01L27/11526 | 分類號: | H01L27/11526;H01L27/11573 |
| 代理公司: | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人: | 倪斌 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 存儲 器件 | ||
存儲器件包括:一對公共源極線,彼此間隔開地設置在襯底上,并沿第一方向延伸;多個接地選擇線,設置在所述一對公共源極線之間,沿所述第一方向延伸并且設置在相同的層面上;多個字線,設置在所述一對公共源極線之間所述多個接地選擇線上,沿所述第一方向延伸并且設置在相同的層面上,所述多個字線的至少一部分通過連接電極進行連接;和多個第一分離絕緣圖案,設置在所述多個接地選擇線的部分的各個接地選擇線之間,并且沿第一方向延伸。所述多個字線的至少一部分通過連接電極進行連接。
相關申請的交叉引用
本發明要求于2016年9月19日在韓國知識產權局提交的韓國專利申請編號10-2016-0119427的優先權,通過引用其全部內容結合到本文中。
技術領域
本文描述的發明構思涉及存儲器件。
背景技術
雖然電子產品和設備的尺寸逐漸減小,但電子產品處理大容量數據的要求仍然存在。結果,在電子產品中所需的半導體存儲器件集成度必然增加。為了增加集成度,已經提出了具有垂直晶體管結構而不是平面晶體管結構的存儲器件。
發明內容
本發明構思的實施例提供了具有優異可靠性的存儲器件。
本發明構思的實施例提供了一種存儲器件,包括:一對公共源極線,彼此間隔開地設置在襯底上,并沿第一方向延伸;多個接地選擇線,設置在所述一對公共源極線之間,沿所述第一方向延伸并且設置在相同的第一層面上;多個字線,設置在所述一對公共源極線之間所述多個接地選擇線上方,沿所述第一方向延伸并且設置在相同的第二層面上,所述多個字線的至少一部分通過連接電極進行連接;和多個第一分離絕緣圖案,設置在所述多個接地選擇線當中的各個接地選擇線之間,并且沿第一方向延伸。
本發明構思的實施例提供了一種存儲器件,包括:一對公共源極線,彼此間隔開地設置在襯底上,并沿第一方向延伸;多個接地選擇線,設置在所述一對公共源極線之間,沿所述第一方向延伸并且設置在相同的第一層面上;多個字線,設置在所述一對公共源極線之間所述多個接地選擇線上方并且設置在相同的層面上;多個第一分離絕緣圖案,設置在所述多個接地選擇線當中的各個接地選擇線之間;以及虛溝道結構,沿與所述襯底的上表面垂直的方向延伸并穿過所述多個字線的至少一部分。所述虛溝道結構設置成與多個第一分離絕緣圖案重疊。
本發明構思的實施例提供了一種存儲器件,包括:一對公共源極線,彼此間隔開地設置在襯底上,并沿第一方向延伸;多個接地選擇線,設置在所述一對公共源極線之間,沿第一方向延伸并且設置在相同的第一層面上;多個第一字線,設置在所述一對公共源極線之間所述多個接地選擇線上方并且設置在相同的第二層面上;多個第二字線,設置在所述一對公共源極線之間所述多個第一字線上方并且設置在相同的第三層面上;以及多個第一分離絕緣圖案,設置在所述多個接地選擇線當中的各個接地選擇線之間,沿所述第一方向延伸并設置在相同的第一層面上。所述多個第一字線中的至少一個包括沿著所述第一方向延伸超過所述多個第二字線中在所述多個第一字線中的所述至少一個正上方的對應第二字線的部分。
附圖說明
通過結合附圖的以下詳細描述,將更清楚地理解本發明構思的上述和其它方面、特征和優點,其中:
圖1示出了根據本發明構思的實施例的存儲器件的示意性框圖;
圖2示出了根據本發明構思的實施例的存儲器件的布局的視圖;
圖3示出了根據本發明構思的實施例的存儲器件的示意性俯視圖;
圖4示出了圖3所示的存儲器件的區域“A”的透視圖;
圖5示出了沿圖3所示的存儲器件的線I-I'截取的橫截面圖;
圖6示出了沿圖3所示的存儲器件的線II-II'截取的橫截面圖;
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- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





