[發(fā)明專利]存儲(chǔ)器件有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710770958.2 | 申請(qǐng)日: | 2017-08-31 |
| 公開(公告)號(hào): | CN107845638B | 公開(公告)日: | 2020-08-11 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 尹狀根;金善煐;趙厚成 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 三星電子株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | H01L27/11526 | 分類號(hào): | H01L27/11526;H01L27/11573 |
| 代理公司: | 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021 | 代理人: | 倪斌 |
| 地址: | 韓國(guó)*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 存儲(chǔ) 器件 | ||
1.一種存儲(chǔ)器件,包括:
一對(duì)公共源極線,彼此間隔開地設(shè)置在襯底上,并沿第一方向延伸;
多個(gè)接地選擇線,設(shè)置在所述一對(duì)公共源極線之間,沿所述第一方向延伸并且設(shè)置在相同的第一層面上;
多個(gè)字線,設(shè)置在所述一對(duì)公共源極線之間所述多個(gè)接地選擇線上方,沿所述第一方向延伸并且設(shè)置在相同的第二層面上,所述多個(gè)字線的至少一部分通過連接電極進(jìn)行連接;以及
多個(gè)第一分離絕緣圖案,設(shè)置在所述多個(gè)接地選擇線當(dāng)中的相應(yīng)接地選擇線之間,并且沿所述第一方向延伸。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器件,還包括設(shè)置在所述多個(gè)接地選擇線當(dāng)中的其它相應(yīng)接地選擇線之間并設(shè)置在所述多個(gè)第一分離絕緣圖案當(dāng)中的相應(yīng)第一分離絕緣圖案之間的至少一個(gè)第二分離絕緣圖案,所述至少一個(gè)第二分離絕緣圖案比所述多個(gè)第一分離絕緣圖案短并且設(shè)置成與所述連接電極重疊。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的存儲(chǔ)器件,還包括設(shè)置在所述多個(gè)接地選擇線和所述多個(gè)字線之間的模制絕緣層,其中所述多個(gè)第一分離絕緣圖案和所述至少一個(gè)第二分離絕緣圖案包括與所述模制絕緣層的材料不同的材料。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的存儲(chǔ)器件,還包括至少一個(gè)第一導(dǎo)電線路,所述第一導(dǎo)電線路沿所述第一方向延伸,并通過所述連接電極和所述至少一個(gè)第二分離絕緣圖案分成第一部分和第二部分。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的存儲(chǔ)器件,其中所述至少一個(gè)第一導(dǎo)電線路包括兩個(gè)第一導(dǎo)電線路,并且所述兩個(gè)第一導(dǎo)電線路設(shè)置在所述多個(gè)第一分離絕緣圖案之間。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的存儲(chǔ)器件,其中所述多個(gè)字線當(dāng)中設(shè)置在所述多個(gè)字線的中心區(qū)中的字線與所述多個(gè)接地選擇線當(dāng)中的單個(gè)接地選擇線重疊,并且所述多個(gè)字線當(dāng)中的各個(gè)不同字線與所述多個(gè)接地選擇線當(dāng)中的兩個(gè)接地選擇線重疊。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的存儲(chǔ)器件,其中所述多個(gè)第一分離絕緣圖案中的一個(gè)設(shè)置在所述一對(duì)公共源極線中的一個(gè)與所述至少一個(gè)第一導(dǎo)電線路之間,并且所述多個(gè)第一分離絕緣圖案中的另一個(gè)設(shè)置在所述一對(duì)公共源極線中的另一個(gè)與所述至少一個(gè)第一導(dǎo)電線路之間。
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的存儲(chǔ)器件,還包括至少一個(gè)第二導(dǎo)電線路,所述至少一個(gè)第二導(dǎo)電線路設(shè)置在所述多個(gè)接地選擇線當(dāng)中的相應(yīng)接地選擇線之間并且沿所述第一方向延伸。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的存儲(chǔ)器件,其中所述至少一個(gè)第一導(dǎo)電線路和所述至少一個(gè)第二導(dǎo)電線路設(shè)置在所述多個(gè)第一分離絕緣圖案之間。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的存儲(chǔ)器件,其中所述多個(gè)字線當(dāng)中設(shè)置在所述多個(gè)字線的中心區(qū)中的字線與所述多個(gè)接地選擇線當(dāng)中的單個(gè)接地選擇線重疊,并且所述多個(gè)字線當(dāng)中的各個(gè)不同字線與兩個(gè)接地選擇線重疊。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器件,其中所述多個(gè)接地選擇線彼此間隔開地沿與所述第一方向垂直的第二方向設(shè)置,并且所述多個(gè)接地選擇線中的每一個(gè)彼此間隔開地沿所述第一方向設(shè)置。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器件,包括虛溝道結(jié)構(gòu),所述虛溝道結(jié)構(gòu)沿與所述襯底的上表面垂直的方向延伸并穿過所述多個(gè)字線的至少一部分,其中所述虛溝道結(jié)構(gòu)設(shè)置成與所述多個(gè)第一分離絕緣圖案重疊。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的
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