[發明專利]一種柔性襯底、柔性OLED器件及其制備方法有效
| 申請號： | 201710767108.7 | 申請日： | 2017-08-30 |
| 公開（公告）號： | CN107527998B | 公開（公告）日： | 2020-07-03 |
| 發明（設計）人： | 李松杉 | 申請（專利權）人： | 武漢華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號： | H01L51/00 | 分類號： | H01L51/00;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知識產權代理事務所(普通合伙) 44280 | 代理人： | 鐘子敏 |
| 地址： | 430000 湖北省武漢市東湖新技術*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 柔性 襯底 oled 器件 及其 制備 方法 | ||
1.一種柔性襯底，其特征在于，所述柔性襯底包括：
聚酰亞胺層和金屬氧化物絕緣層；
所述金屬氧化物絕緣層覆蓋在所述聚酰亞胺層上，用于阻隔所述聚酰亞胺層在退火時產生的氣體和/或水透過，
其中，所述金屬氧化物絕緣層的材料包括氧化銅。
2.根據權利要求1所述的柔性襯底，其特征在于，
所述金屬氧化物絕緣層的厚度為50-100nm。
3.根據權利要求1所述的柔性襯底，其特征在于，
所述金屬氧化物絕緣層采用物理氣相沉積技術形成。
4.一種柔性OLED器件，包括柔性襯底和設置在所述柔性襯底上的陣列基板，其特征在于，所述柔性襯底包括：
聚酰亞胺層；
金屬氧化物絕緣層，覆蓋在所述聚酰亞胺層上，用于阻隔所述聚酰亞胺層在退火時產生的氣體和/或水透過，
其中，所述金屬氧化物絕緣層的材料包括氧化銅。
5.根據權利要求4所述的柔性OLED器件，其特征在于，
所述金屬氧化物絕緣層的厚度為50-100nm。
6.根據權利要求4所述的柔性OLED器件，其特征在于，
所述金屬氧化物絕緣層采用物理氣相沉積技術形成。
7.根據權利要求4所述的柔性OLED器件，其特征在于，所述陣列基板包括：
薄膜晶體管背板層，設置在所述金屬氧化物絕緣層上；
第一電極層，設置在所述薄膜晶體管背板層上；
像素界定層，設置在所述薄膜晶體管背板層上，且所述像素界定層對應所述第一電極層的位置形成有開口，所述第一電極層從所述開口內露出；
發光層，設置在所述像素界定層的所述開口區域內；
第二電極層，設置在所述發光層上。
8.一種柔性OLED器件的制備方法，其特征在于，包括：
提供基板；
在所述基板上形成聚酰亞胺層；
在所述聚酰亞胺層上覆蓋金屬氧化物絕緣層；
在所述金屬氧化物絕緣層上形成薄膜晶體管背板層；
在所述薄膜晶體管背板層上形成第一電極層；
在所述薄膜晶體管背板層上形成像素界定層，并在所述像素界定層對應所述第一電極層的位置形成開口，所述第一電極層從所述開口內露出；
在所述像素界定層的所述開口區域內形成發光層；
在所述發光層上形成第二電極層；
將所述基板與所述聚酰亞胺層剝離，進而得到所述柔性OLED器件，
其中，所述金屬氧化物絕緣層的材料包括氧化銅。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件；專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射；專門適用于將這些輻射能轉換為電能，或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的，如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇
