[發明專利]半導體裝置、液體排出頭基板、液體排出頭及裝置有效
| 申請號: | 201710766891.5 | 申請日: | 2017-08-31 |
| 公開(公告)號: | CN107799154B | 公開(公告)日: | 2021-12-10 |
| 發明(設計)人: | 藤井一成;根岸俊雄 | 申請(專利權)人: | 佳能株式會社 |
| 主分類號: | G11C17/16 | 分類號: | G11C17/16;H01L27/112;B41J2/14;B41J2/02;B41J29/38;B33Y30/00 |
| 代理公司: | 中國貿促會專利商標事務所有限公司 11038 | 代理人: | 楊小明 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體 裝置 液體 出頭 | ||
本發明涉及半導體裝置、液體排出頭基板、液體排出頭及裝置。半導體裝置包括:連接到具有第一電勢的第一電勢端子的晶體管;連接于所述晶體管與具有第二電勢的第二電勢端子之間的反熔絲元件;在所述晶體管與第二電勢端子之間與反熔絲元件并聯連接的電阻元件;和被設置為面對所述電阻元件的溫度調節單元。
技術領域
實施例的方面涉及具有反熔絲元件的半導體裝置、液體排出頭基板、液體排出頭和液體排出裝置。
背景技術
近年,半導體裝置使用用于在產品完成之后記錄包含芯片識別數據(ID)和設定參數的產品特定信息的一次可編程(OPT)存儲器。存在兩種不同類型的OTP存儲器:使用熔絲元件的OTP存儲器和使用反熔絲元件的OTP存儲器。日本專利申請公開No.2014-58130討論了使用反熔絲元件的常規技術的配置。
發明內容
根據本公開的一個方面,一種半導體裝置包括:連接到具有第一電勢的第一電勢端子的晶體管,連接于所述晶體管與具有第二電勢的第二電勢端子之間的反熔絲元件,在所述晶體管和第二電勢端子之間與反熔絲元件并聯連接的電阻元件,和被設置為面對所述電阻元件的溫度調節單元。
根據本公開的另一方面,一種半導體裝置包括:具有第一端子和第二端子的晶體管,第一端子連接到具有第一電勢的第一電勢端子,具有第三端子和第三四端子的反熔絲元件,第三端子連接到第二端子,并且第四端子連接到具有第二電勢的第二電勢端子,具有第五端子和第六端子的電阻元件,第五端子連接到第三端子,并且第六端子連接到第四端子,和被設置為在關于半導體基板的表面的平面圖中與所述電阻元件重疊的導電層,其中,所述晶體管、反熔絲元件和所述電阻元件在所述表面上形成。
根據本發明的又一方面,一種半導體裝置包括:連接到具有第一電勢的第一電勢端子的晶體管,連接于所述晶體管與具有第二電勢的第二電勢端子之間的反熔絲元件,具有在所述晶體管和第二電勢端子之間與反熔絲元件并聯連接的電阻元件的電阻部分,和被配置為減小源自所述電阻元件的隨溫度的特性變化的所述電阻部分的特性變化的調節單元。
從參照附圖對示例性實施例的以下描述,本發明的其它特征將變得清晰。
附圖說明
圖1示出根據第一示例性實施例的半導體裝置的電路構成。
圖2示出半導體裝置的截面結構的一部分。
圖3以平面圖示意性地示出根據第一示例性實施例的液體排出頭基板。
圖4是示出圖3所示的液體排出頭基板的一部分的平面圖。
圖5示出根據第二示例性實施例的半導體裝置的電路構成。
圖6示出根據第三示例性實施例的液體排出頭基板的電路構成。
圖7A、圖7B、圖7C和圖7D示出安裝液體排出頭基板的液體排出裝置的例子。
具體實施方式
以下將參照附圖詳細描述本公開的各種示例性實施例、特征和方面。
存在具有反熔絲元件作為存儲器元件的諸如液體排出頭基板的半導體裝置。在這種半導體裝置中,伴隨與反熔絲元件并聯連接的電阻器的電阻值隨著由環境和打印情況導致的溫度變化而變化,寫入和讀取可能變得困難。
圖1示出信息被寫入反熔絲元件之前的狀態下的、根據本公開的第一示例性實施例的半導體裝置的電路構成的例子。
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