[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置、液體排出頭基板、液體排出頭及裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710766891.5 | 申請日： | 2017-08-31 |
| 公開（公告）號： | CN107799154B | 公開（公告）日： | 2021-12-10 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 藤井一成;根岸俊雄 | 申請（專利權(quán)）人： | 佳能株式會社 |
| 主分類號： | G11C17/16 | 分類號： | G11C17/16;H01L27/112;B41J2/14;B41J2/02;B41J29/38;B33Y30/00 |
| 代理公司： | 中國貿(mào)促會專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 11038 | 代理人： | 楊小明 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體 裝置 液體 出頭 | ||
1.一種半導(dǎo)體裝置，包括：
連接到具有第一電勢的第一電勢端子的晶體管；
連接于所述晶體管與具有第二電勢的第二電勢端子之間的反熔絲元件；
在所述晶體管和第二電勢端子之間與反熔絲元件并聯(lián)連接的電阻元件；和
被設(shè)置為面對所述電阻元件的溫度調(diào)節(jié)單元，
其中，溫度調(diào)節(jié)單元是導(dǎo)電層，
其中，所述電阻元件沿第一方向被設(shè)置，所述電阻元件中的每一個(gè)具有沿與第一方向相交的第二方向延伸的形狀，
其中，導(dǎo)電層具有在關(guān)于半導(dǎo)體基板的表面的平面圖中與所述電阻元件重疊并且沿第一方向延伸的形狀，以及
其中，所述晶體管被設(shè)置在所述表面上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，溫度調(diào)節(jié)單元隔著絕緣體面對所述電阻元件。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述絕緣體是覆蓋反熔絲元件、所述電阻元件和所述晶體管的絕緣體層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，
其中，溫度調(diào)節(jié)單元在關(guān)于半導(dǎo)體基板的表面的平面圖中與所述電阻元件重疊，以及
其中，所述晶體管、反熔絲元件和所述電阻元件在所述表面上形成。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，溫度調(diào)節(jié)單元是加熱器。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述導(dǎo)電層的第一端子連接到具有第三電勢的第三端子，并且所述導(dǎo)電層的第二端子連接到具有與第三電勢不同的電勢的第四端子。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，
其中，半導(dǎo)體裝置包含所述電阻元件。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，
其中，所述晶體管的溝道形成區(qū)域在半導(dǎo)體基板中形成，以及
其中，所述電阻元件具有在半導(dǎo)體基板中形成的半導(dǎo)體區(qū)域。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，反熔絲元件具有MOS結(jié)構(gòu)，并且被配置為使得當(dāng)在具有MOS結(jié)構(gòu)的柵極絕緣膜中出現(xiàn)電介質(zhì)擊穿時(shí)信息被寫入。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，溫度檢測單元被設(shè)置在所述電阻元件的附近。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述電阻元件的電阻率的溫度系數(shù)為百萬分之2000(ppm)/度或更高。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述電阻元件的電阻率的溫度系數(shù)為4000ppm/度或更高。
13.一種半導(dǎo)體裝置，包括：
具有第一端子和第二端子的晶體管，第一端子連接到具有第一電勢的第一電勢端子；
具有第三端子和第四端子的反熔絲元件，第三端子連接到第二端子，并且第四端子連接到具有第二電勢的第二電勢端子；
具有第五端子和第六端子的電阻元件，第五端子連接到第三端子，并且第六端子連接到第四端子；和
被設(shè)置為在關(guān)于半導(dǎo)體基板的表面的平面圖中與所述電阻元件重疊的導(dǎo)電層，
其中，所述晶體管、反熔絲元件和所述電阻元件在所述表面上形成，
其中，半導(dǎo)體裝置包含所述電阻元件，
其中，所述電阻元件沿第一方向被設(shè)置，所述電阻元件中的每一個(gè)具有沿與第一方向相交的第二方向延伸的形狀，以及
其中，導(dǎo)電層具有在關(guān)于半導(dǎo)體基板的表面的平面圖中與所述電阻元件重疊并且沿第一方向延伸的形狀。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述導(dǎo)電層的第一端子連接到具有第三電勢的第三端子，并且所述導(dǎo)電層的第二端子連接到具有與第三電勢不同的電勢的第四端子。
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