[發明專利]OLED基板及其制作方法

在審

• 申請號: 201710766538.7
• 申請日: 2017-08-30
• 公開（公告）號: CN107565040A
• 公開（公告）日: 2018-01-09
• 發明（設計）人: 艾娜;林如梅;井口真介
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/56;H01L27/32
• 代理公司: 深圳市德力知識產權代理事務所44265
• 代理人: 林才桂,聞盼盼

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種OLED基板及其制作方法。

背景技術

有機發光二極管顯示裝置(Organic Light Emitting Display，OLED)具有自發光、驅動電壓低、發光效率高、響應時間短、清晰度與對比度高、近180°視角、使用溫度范圍寬、可實現柔性顯示與大面積全色顯示等諸多優點，被業界公認為是最有發展潛力的顯示裝置。

OLED按照驅動方式可以分為無源矩陣型OLED(Passive Matrix OLED，PMOLED)和有源矩陣型OLED(Active Matrix OLED，AMOLED)兩大類，即直接尋址和薄膜晶體管矩陣尋址兩類。其中，AMOLED具有呈陣列式排布的像素，屬于主動顯示類型，發光效能高，通常用作高清晰度的大尺寸顯示裝置。

OLED通常包括：基板、設于基板上的陽極、設于陽極上的空穴注入層、設于空穴注入層上的空穴傳輸層、設于空穴傳輸層上的發光層、設于發光層上的電子傳輸層、設于電子傳輸層上的電子注入層、及設于電子注入層上的陰極。OLED顯示器件的發光原理為半導體材料和有機發光材料在電場驅動下，通過載流子注入和復合導致發光。具體的，OLED顯示器件通常采用ITO像素電極和金屬電極分別作為器件的陽極和陰極，在一定電壓驅動下，電子和空穴分別從陰極和陽極注入到電子傳輸層和空穴傳輸層，電子和空穴分別經過電子傳輸層和空穴傳輸層遷移到發光層，并在發光層中相遇，形成激子并使發光分子激發，后者經過輻射弛豫而發出可見光。

噴墨打印彩色圖案化技術在平板顯示領域中逐步被確認為一種主流技術，其發展趨勢和成果水平引起了業界的極大關注，該技術已被應用于OLED的制作方法中，而該技術的關鍵問題之一便是如何實現厚度均勻的聚合物膜層。

圖1為現有的OLED基板的結構示意圖，如圖1所示，現有的OLED基板通常包括基板(未圖示)、設于基板上的像素定義層100、及設于所述基板上被像素定義層100圍成的像素區域200內的OLED器件300，該OLED器件300的多個結構層如空穴注入層、空穴傳輸層及發光層均采用噴墨打印方式制備，由于現有的像素區域200通常為矩形，因此在矩形的四角處容易形成打印材料的堆積，造成矩形的四角及短邊處的膜層厚度較大，其余區域的膜層厚度較小，使單個像素區域內OLED器件的膜層厚度不均勻。

OLED器件是典型的雙注入式器件，載流子的有效注入是獲得高性能有機電致發光器件的前提條件。通常，OLED金屬陰極的功函數比電子注入層材料的LUMO能級低，而陽極ITO的功函數比空穴注入層的HOMO能級較高，電子與空穴要越過一定的勢壘才能注入。在外加正向電場作用下，OLED器件的各功能層的能帶結構發生傾斜，電場越強，能帶偏斜更厲害，勢壘處的三角形越薄，載流子遂穿勢壘的可能性幾率越高。OLED器件的電場是由加在OLED器件兩端的電壓產生的，在相同電壓下，電場強度與膜層厚度成反比，也就是說膜厚的地方，能級傾斜較少，載流子遂穿注入的幾率減少造成發光較弱甚至不發光，從而引起OLED基板的有效發光面積減少，使OLED器件的性能穩定性變差。

發明內容

本發明的目的在于提供一種OLED基板的制作方法，能夠有效改善像素區域內噴墨打印成膜的均勻性，從而有效提高OLED器件的發光均勻性和性能穩定性。

本發明的目的還在于提供一種OLED基板，其中的噴墨打印膜層厚度均勻，從而使OLED器件發光均勻并且性能穩定。

為實現上述目的，本發明提供一種OLED基板的制作方法包括：

提供襯底基板，在所述襯底基板上形成間隔設置的數個陽極；

在所述數個陽極及襯底基板上形成像素定義層，所述像素定義層在所述數個陽極上分別圍出數個像素區域，所述數個像素區域的形狀為第一圖案或者第二圖案，所述第一圖案由矩形及分別與矩形的兩短邊相連的兩半圓組成，所述第二圖案為四個角均為圓角的矩形；

在所述數個像素區域內形成分別位于所述數個陽極上的數個空穴注入層；

在所述數個空穴注入層上分別形成數個空穴傳輸層；

在所述數個空穴傳輸層上分別形成數個發光層；

在所述數個發光層上分別形成數個電子傳輸層；

在所述數個電子傳輸層上分別形成數個陰極。

所述第一圖案中，所述半圓的半徑為矩形短邊的二分之一；所述第二圖案中，所述圓角為四分之一圓，所述圓角的半徑為矩形短邊的三分之一或四分之一。