[發明專利]OLED基板及其制作方法

在審

• 申請號: 201710766538.7
• 申請日: 2017-08-30
• 公開（公告）號: CN107565040A
• 公開（公告）日: 2018-01-09
• 發明（設計）人: 艾娜;林如梅;井口真介
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/56;H01L27/32
• 代理公司: 深圳市德力知識產權代理事務所44265
• 代理人: 林才桂,聞盼盼

1.一種OLED基板的制作方法，其特征在于，包括：

提供襯底基板(10)，在所述襯底基板(10)上形成間隔設置的數個陽極(20)；

在所述數個陽極(20)及襯底基板(10)上形成像素定義層(30)，所述像素定義層(30)在所述數個陽極(20)上分別圍出數個像素區域(40)，所述數個像素區域(40)的形狀為第一圖案(41)或者第二圖案(42)，所述第一圖案(41)由矩形及分別與矩形的兩短邊相連的兩半圓組成，所述第二圖案(42)為四個角均為圓角的矩形；

在所述數個像素區域(40)內形成分別位于所述數個陽極(20)上的數個空穴注入層(50)；

在所述數個空穴注入層(50)上分別形成數個空穴傳輸層(60)；

在所述數個空穴傳輸層(60)上分別形成數個發光層(70)；

在所述數個發光層(70)上分別形成數個電子傳輸層(80)；

在所述數個電子傳輸層(80)上分別形成數個陰極(90)。

2.如權利要求1所述的OLED基板的制作方法，其特征在于，所述第一圖案(41)中，所述半圓的半徑(R1)為矩形短邊的二分之一；所述第二圖案(42)中，所述圓角為四分之一圓，所述圓角的半徑(R2)為矩形短邊的三分之一或四分之一。

3.如權利要求1所述的OLED基板的制作方法，其特征在于，還包括：在所述像素定義層(30)上形成隔離柱(35)，所述隔離柱(35)與所述像素定義層(30)采用同種材料在同一制程中形成。

4.如權利要求1所述的OLED基板的制作方法，其特征在于，采用磁控濺射成膜的方法形成所述數個陽極(20)，所述數個陽極(20)的材料包括透明導電金屬氧化物，所述陽極(20)的膜厚在20nm到200nm之間；

采用噴墨打印成膜的方法形成空穴注入層(50)，所述空穴注入層(50)的膜厚在60nm到100nm之間；

采用噴墨打印成膜的方法形成空穴傳輸層(60)，所述空穴傳輸層(60)的膜厚在100nm到150nm之間。

5.如權利要求1所述的OLED基板的制作方法，其特征在于，采用噴墨打印成膜的方法形成發光層(70)，所述發光層(70)的膜厚在60nm到100nm之間；

采用蒸鍍成膜的方法形成電子傳輸層(80)，所述電子傳輸層(80)的膜厚在0.5nm到20nm之間；

采用真空蒸鍍成膜的方法形成陰極(90)，所述陰極(90)的材料包括鋁，所述陰極(90)的膜厚在100nm到200nm之間。

6.一種OLED基板，其特征在于，包括：

襯底基板(10)；

設于所述襯底基板(10)上且間隔設置的數個陽極(20)；

設于所述數個陽極(20)及襯底基板(10)上的像素定義層(30)，所述像素定義層(30)在所述數個陽極(20)上分別圍出數個像素區域(40)，所述數個像素區域(40)的形狀為第一圖案(41)或者第二圖案(42)，所述第一圖案(41)由矩形及分別與矩形的兩短邊相連的兩半圓組成，所述第二圖案(42)為四個角均為圓角的矩形；

設于所述數個像素區域(40)內且分別位于所述數個陽極(20)上的數個空穴注入層(50)；

分別設于所述數個空穴注入層(50)上的數個空穴傳輸層(60)；

分別設于所述數個空穴傳輸層(60)上的數個發光層(70)；

分別設于所述數個發光層(70)上的數個電子傳輸層(80)；及

分別設于所述數個電子傳輸層(80)上的數個陰極(90)。

7.如權利要求6所述的OLED基板，其特征在于，所述第一圖案(41)中，所述半圓的半徑(R1)為矩形短邊的二分之一；所述第二圖案(42)中，所述圓角為四分之一圓，所述圓角的半徑(R2)為矩形短邊的三分之一或四分之一。

8.如權利要求6所述的OLED基板，其特征在于，還包括：設于所述像素定義層(30)上的隔離柱(35)，所述隔離柱(35)與所述像素定義層(30)采用同種材料在同一制程中形成。