[發(fā)明專(zhuān)利]一種芯片封裝結(jié)構(gòu)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710766023.7
• 申請(qǐng)日: 2017-08-30
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107564876B
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-09-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 黃冕
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 深圳中科四合科技有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L23/48
• 分類(lèi)號(hào): H01L23/48
• 代理公司: 深圳市深佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44285
• 代理人: 王仲凱

本發(fā)明實(shí)施例公開(kāi)了一種芯片封裝結(jié)構(gòu)，用于解決現(xiàn)有芯片封裝結(jié)構(gòu)在制備過(guò)程中的引線(xiàn)阻值偏大、彎曲高度高導(dǎo)致器件厚度無(wú)法變薄等問(wèn)題以及成本問(wèn)題。該芯片封裝結(jié)構(gòu)包括：至少一個(gè)第一金屬層、第一絕緣層、芯片；第一絕緣層覆蓋在至少一個(gè)第一金屬層的非底部表面上，第一絕緣層的底部與至少一個(gè)第一金屬層的底部齊平，至少一個(gè)第一金屬層形成至少一個(gè)焊盤(pán)；至少一個(gè)第一金屬層的垂直方向上設(shè)有盲孔，盲孔內(nèi)填充有導(dǎo)電材料，且導(dǎo)電材料在盲孔的填充口上形成凸起；芯片固化在凸起上。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種芯片封裝結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)

隨著電子產(chǎn)品向小型化、集成化、普及化發(fā)展，對(duì)于電子產(chǎn)品內(nèi)部所使用到的多極管等結(jié)構(gòu)也隨之小型化。

目前，芯片封裝結(jié)構(gòu)主要采用傳統(tǒng)封裝方式，例如：通過(guò)打錢(qián)(英文全稱(chēng)：Wirebond，縮寫(xiě)：WB)方式將芯片(英文全稱(chēng)：Chip)封裝成具有一定功能的多極管。然而，對(duì)于現(xiàn)有的芯片封裝結(jié)構(gòu)的封裝方法而言，由于電極之間連接的引線(xiàn)較為纖細(xì)，阻值偏高，對(duì)于器件的電性能有一定的影響，且引線(xiàn)在連接芯片焊盤(pán)時(shí)與基板焊盤(pán)時(shí)，需要有一定的彎曲高度，此高度的存在可能導(dǎo)致最終的器件厚度無(wú)法得到進(jìn)一步的降低，同時(shí)，引線(xiàn)多為金、銀等貴金屬，制造成本較高。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種芯片封裝結(jié)構(gòu)，用于解決現(xiàn)有芯片封裝結(jié)構(gòu)在制備過(guò)程中的引線(xiàn)阻值偏大、彎曲高度高導(dǎo)致器件厚度無(wú)法變薄等問(wèn)題以及成本問(wèn)題。

有鑒于此，本發(fā)明第一方面提供一種芯片封裝結(jié)構(gòu)，可包括：

至少一個(gè)第一金屬層、第一絕緣層、芯片；

第一絕緣層覆蓋在至少一個(gè)第一金屬層的非底部表面上，第一絕緣層的底部與至少一個(gè)第一金屬層的底部齊平，至少一個(gè)第一金屬層形成至少一個(gè)焊盤(pán)；

至少一個(gè)第一金屬層的垂直方向上設(shè)有盲孔，盲孔內(nèi)填充有導(dǎo)電材料，且導(dǎo)電材料在盲孔的填充口上形成凸起；

芯片固化在凸起上。

進(jìn)一步的，盲孔的孔徑為20微米至200微米，盲孔的高度為5微米至200微米。

進(jìn)一步的，導(dǎo)電材料為流動(dòng)狀態(tài)的導(dǎo)電材料。

進(jìn)一步的，結(jié)構(gòu)還包括至少一個(gè)第二金屬層；

至少一個(gè)第二金屬層中的每一個(gè)與至少一個(gè)第一金屬層中的一個(gè)或多個(gè)貼合；

至少一個(gè)第一金屬層形成至少一個(gè)焊盤(pán)包括：

至少一個(gè)第二金屬層形成至少一個(gè)焊盤(pán)。

進(jìn)一步的，結(jié)構(gòu)還包括至少一個(gè)第二金屬層；

至少一個(gè)第二金屬層中的每一個(gè)與至少一個(gè)第一金屬層中的一個(gè)或多個(gè)貼合；

第一絕緣層的底部未貼合至少一個(gè)第二金屬層的區(qū)域以及至少一個(gè)第二金屬層的預(yù)設(shè)區(qū)域覆蓋有第二絕緣層；

至少一個(gè)第一金屬層形成至少一個(gè)焊盤(pán)包括：

至少一個(gè)第二金屬層未覆蓋第二絕緣層的區(qū)域形成至少一個(gè)焊盤(pán)。

進(jìn)一步的，至少一個(gè)焊盤(pán)上覆蓋有第三金屬層。

進(jìn)一步的，芯片的表面上覆蓋有第三絕緣層。

從以上技術(shù)方案可以看出，本發(fā)明實(shí)施例具有以下優(yōu)點(diǎn)：