[發明專利]一種芯片封裝結構有效
| 申請號： | 201710766023.7 | 申請日： | 2017-08-30 |
| 公開（公告）號： | CN107564876B | 公開（公告）日： | 2019-09-27 |
| 發明（設計）人： | 黃冕 | 申請（專利權）人： | 深圳中科四合科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/48 | 分類號： | H01L23/48 |
| 代理公司： | 深圳市深佳知識產權代理事務所(普通合伙) 44285 | 代理人： | 王仲凱 |
| 地址： | 518057 廣東省深圳市南山區粵*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 芯片 封裝 結構 | ||
1.一種芯片封裝結構，其特征在于，包括：
至少一個第一金屬層、第一絕緣層、芯片；
所述第一絕緣層覆蓋在至少一個所述第一金屬層的非底部表面上，所述第一絕緣層的底部與至少一個所述第一金屬層的底部齊平，至少一個所述第一金屬層形成至少一個焊盤；
在所述第一絕緣層中至少一個所述第一金屬層的垂直方向上設有盲孔，所述盲孔內填充有流動狀態的導電材料，且所述流動狀態的導電材料在所述盲孔的填充口上形成凸起；
將所述流動狀態的導電材料直接粘貼在芯片上，實現所述芯片與所述凸起的軟連接，且所述盲孔的孔徑為50微米至120微米，高度為5至200微米，使得所述盲孔內導電材料的流動性受到限制，實現所述凸起與所述芯片點接觸；
所述芯片固化在所述凸起上；
所述固化的方式為：
通過回流或烘烤的方式將所述流動狀態的導電材料固化，以加強所述凸起與所述芯片之間的連接。
2.根據權利要求1所述的結構，其特征在于，所述結構還包括至少一個第二金屬層；
至少一個所述第二金屬層中的每一個與至少一個所述第一金屬層中的一個或多個貼合；
至少一個所述第一金屬層形成至少一個焊盤包括：
至少一個所述第二金屬層形成至少一個焊盤。
3.根據權利要求1所述的結構，其特征在于，所述結構還包括至少一個第二金屬層；
至少一個所述第二金屬層中的每一個與至少一個所述第一金屬層中的一個或多個貼合；
所述第一絕緣層的底部未貼合至少一個所述第二金屬層的區域以及至少一個所述第二金屬層的預設區域覆蓋有第二絕緣層；
至少一個所述第一金屬層形成至少一個焊盤包括：
所述至少一個第二金屬層未覆蓋所述第二絕緣層的區域形成至少一個焊盤。
4.根據權利要求1至3中任一項所述的結構，其特征在于，所述至少一個焊盤上覆蓋有第三金屬層。
5.根據權利要求1至3中任一項所述的結構，其特征在于，所述芯片的表面上覆蓋有第三絕緣層。
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