[發(fā)明專利]有機發(fā)光二極管的制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710765652.8 | 申請日: | 2017-08-30 |
| 公開(公告)號: | CN109427984B | 公開(公告)日: | 2020-01-07 |
| 發(fā)明(設計)人: | 寧文;柳鵬;姜開利;范守善 | 申請(專利權)人: | 清華大學;鴻富錦精密工業(yè)(深圳)有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/50 | 分類號: | H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56;H01L51/54 |
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| 地址: | 100084 北京市海淀區(qū)清*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 碳納米管復合結構 第二表面 聚合物 有機發(fā)光層 第一表面 碳納米管 有機發(fā)光二極管 陽極電極 依次層疊 陰極電極 傳輸層 制備 暴露 | ||
一種有機發(fā)光二極管的制備方法,包括以下步驟:提供一碳納米管復合結構,該碳納米管復合結構具有相對的第一表面和第二表面,該碳納米管復合結構包括一聚合物和分散在該聚合物中的多個第一碳納米管,該多個第一碳納米管的部分表面從所述聚合物的第二表面暴露出來;在所述第二表面設置一有機發(fā)光層;在所述有機發(fā)光層遠離所述碳納米管復合結構的表面依次層疊設置一空穴傳輸層、一陽極電極;以及在所述第一表面設置一陰極電極。
技術領域
本發(fā)明涉及一種有機發(fā)光二極管的制備方法。
背景技術
有機發(fā)光二極管(organic light emitting diode,OLED)是一種發(fā)光層由有機復合物構成的發(fā)光二極管,作為一種高效的發(fā)光源,其具有重量輕、厚度薄、多色彩、低制造成本等諸多特點,使得有機發(fā)光二極管在大面積面光源的照明應用上逐漸顯露出取代傳統(tǒng)發(fā)光二極管的趨勢,已經被廣泛的運用于各種領域。
現(xiàn)有技術中碳納米管和聚合物形成的復合結構可以作為OLED的電子傳輸層。所述碳納米管與聚合物的復合過程一般是:將碳納米管分散在有機溶劑中形成碳納米管分散液,將聚合物溶解在有機溶劑中形成聚合物溶液,然后將碳納米管分散液與聚合物溶液混合,得到碳納米管和聚合物的復合結構。然而,由于碳納米管在有機溶劑中容易團聚,分散性差,所制備的復合結構中碳納米管雜亂無章地排列,分散不均勻。當該復合結構作為OLED中的電子傳輸層時,該電子傳輸層傳輸電子的能力較差。
發(fā)明內容
有鑒于此,確有必要提供一種有機發(fā)光二極管的制備方法,該方法使碳納米管均勻分散在聚合物中,且碳納米管定向排列,提高了電子傳輸層傳輸電子的能力。
一種有機發(fā)光二極管的制備方法,包括以下步驟:提供一碳納米管復合結構,該碳納米管復合結構具有相對的第一表面和第二表面,該碳納米管復合結構包括一聚合物和分散在該聚合物中的多個第一碳納米管,該多個第一碳納米管的部分表面從所述聚合物的第二表面暴露出來;在所述第二表面設置一有機發(fā)光層;在所述有機發(fā)光層遠離所述碳納米管復合結構的表面依次層疊設置一空穴傳輸層、一陽極電極;以及在所述第一表面設置一陰極電極。
與現(xiàn)有技術相比,本發(fā)明所制備的有機發(fā)光二極管中,電極傳輸層為一碳納米管復合結構,該碳納米管復合結構包括一聚合物和分散在該聚合物中的多個碳納米管,且多個碳納米管的部分表面沒有被聚合物包覆而是暴露在外。本發(fā)明通過在碳納米管復合結構相對的兩個表面分別通過濺射、涂覆、蒸鍍等方法設置相應的功能層,從而得到所述有機發(fā)光二極管。由于碳納米管復合結構中碳納米管的部分表面從聚合物中暴露出來,當采用濺射、涂覆、蒸鍍等方法設置陰極電極(或者有機發(fā)光層)時,可以使得陰極電極(或者有機發(fā)光層)將碳納米管暴露在外的表面完全包覆。從而使得陰極電極(或者有機發(fā)光層)與碳納米管具有較大的接觸面積,進而增強了碳納米管傳輸電子的能力。
附圖說明
圖1為本發(fā)明第一實施例提供的碳納米管復合結構的制備方法的工藝流程圖。
圖2為本發(fā)明第一實施例使用的碳納米管拉膜的掃描電鏡照片。
圖3為本發(fā)明第一實施例使用的碳納米管絮化膜的掃描電鏡照片。
圖4為本發(fā)明第一實施例使用的包括多個沿同一方向擇優(yōu)取向排列的碳納米管的碳納米管碾壓膜的掃描電鏡照片。
圖5為本發(fā)明第一實施例使用的包括多個沿不同方向擇優(yōu)取向排列的碳納米管的碳納米管碾壓膜的掃描電鏡照片。
圖6為本發(fā)明第一實施例提供的CNT/PI復合結構第四表面的SEM照片。
圖7為本發(fā)明第一實施例提供的CNT/PI復合結構第四表面涂覆1納米厚的金膜后的SEM照片。
圖8為本發(fā)明第一實施例提供的CNT/PI復合結構第四表面的AFM(原子力顯微鏡)照片。
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