[發明專利]有機發光二極管的制備方法有效
| 申請號: | 201710765652.8 | 申請日: | 2017-08-30 |
| 公開(公告)號: | CN109427984B | 公開(公告)日: | 2020-01-07 |
| 發明(設計)人: | 寧文;柳鵬;姜開利;范守善 | 申請(專利權)人: | 清華大學;鴻富錦精密工業(深圳)有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/50 | 分類號: | H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56;H01L51/54 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 100084 北京市海淀區清*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 碳納米管復合結構 第二表面 聚合物 有機發光層 第一表面 碳納米管 有機發光二極管 陽極電極 依次層疊 陰極電極 傳輸層 制備 暴露 | ||
1.一種有機發光二極管的制備方法,包括以下步驟:
提供一碳納米管復合結構,該碳納米管復合結構包括一聚合物和分散在該聚合物中的多個第一碳納米管和多個第二碳納米管,所述聚合物具有相對的第一表面和第二表面,所述多個第二碳納米管的部分表面從所述第一表面暴露出來,所述多個第一碳納米管的部分表面從所述第二表面暴露出來,所述多個第一碳納米管和所述多個第二碳納米管間隔設置;
在所述第二表面設置一有機發光層;
在所述有機發光層遠離所述碳納米管復合結構的表面依次層疊設置一空穴傳輸層、一陽極電極;以及
在所述第一表面設置一陰極電極。
2.如權利要求1所述的有機發光二極管的制備方法,其特征在于,采用濺射、涂覆或者蒸鍍的方法在所述第二表面設置有機發光層。
3.如權利要求1所述的有機發光二極管的制備方法,其特征在于,所述多個第一碳納米管的部分表面與所述有機發光層直接接觸,其余表面與所述聚合物直接接觸。
4.如權利要求1所述的有機發光二極管的制備方法,其特征在于,所述多個第一碳納米管首尾相連且沿同一方向延伸。
5.如權利要求1所述的有機發光二極管的制備方法,其特征在于,所述多個第一碳納米管的長度延伸方向相互平行。
6.如權利要求1所述的有機發光二極管的制備方法,其特征在于,在所述第一表面通過濺射、涂覆或者蒸鍍的方法設置陰極電極之后,所述多個第二碳納米管的部分表面與所述陰極電極直接接觸。
7.如權利要求1所述的有機發光二極管的制備方法,其特征在于,所述多個第一碳納米管與多個第二碳納米管的長度延伸方向相互平行。
8.如權利要求1所述的有機發光二極管的制備方法,其特征在于,所述碳納米管復合結構進一步包括多個第三碳納米管,該多個第三碳納米管分散在所述聚合物中,且每一個第三碳納米管的表面均被所述聚合物完全包覆。
9.如權利要求8所述的有機發光二極管的制備方法,其特征在于,所述多個第三碳納米管首尾相連且沿同一方向延伸。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





