[發明專利]一種顯示面板、其制作方法及顯示裝置有效
| 申請號: | 201710765411.3 | 申請日: | 2017-08-30 |
| 公開(公告)號: | CN107393870B | 公開(公告)日: | 2020-03-06 |
| 發明(設計)人: | 徐德智;宮奎 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;合肥京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/77 | 分類號: | H01L21/77;H01L27/12 |
| 代理公司: | 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291 | 代理人: | 郭潤湘 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 顯示 面板 制作方法 顯示裝置 | ||
本發明公開了一種顯示面板、其制作方法及顯示裝置,該制作方法,包括:在襯底基板上形成第一金屬層的圖形,以及位于第一金屬層背離襯底基板一側的金屬氧化物導電層的圖形,且金屬氧化物導電層通過至少一個通孔與第一金屬層電性連接;其中,在形成金屬氧化物導電層的圖形之前,在第一金屬層遠離襯底基板一側的表面形成一層還原金屬層;在形成金屬氧化物導電層的圖形之后,對還原金屬層和金屬氧化物導電層進行處理,以使還原金屬層氧化為第二金屬層,以及金屬氧化物導電層靠近襯底基板一側的表面還原出金屬顆粒。本發明實施例提供的制作方法,可以避免第一金屬層與金屬氧化物導電層接觸而發生氧化,并減小接觸電阻,提高顯示效果。
技術領域
本發明涉及顯示技術領域,尤指一種顯示面板、其制作方法及顯示裝置。
背景技術
液晶顯示器(Liquid Crystal Display,LCD)具有機身薄、省電、無輻射等優點,得到了廣泛的應用。現有液晶顯示裝置包括液晶顯示面板及背光模組(Backlight Module,BM),通常液晶顯示面板包括彩膜(Color Filter,CF)基板、陣列(Thin Film Transistor,TFT)基板、及設置于彩膜基板與陣列基板之間的液晶(Liquid Crystal)層。通過給陣列基板供電與否來控制液晶分子改變方向,將背光模組的光線投射到彩膜基板產生需要顯示的畫面。
陣列基板的性能特征和運行特性部分很大程度上取決于形成陣列基板各元件的材料,陣列基板中的金屬導線是將濺射在陣列基板上的金屬層通過蝕刻工藝制成,常規應用于陣列基板中的金屬導線為鋁導線。隨著電視等液晶顯示終端的大尺寸化、高解析度以及驅動頻率高速化的發展趨勢及要求,液晶顯示領域技術人員不得不面對陣列基板中電阻及所造成的電阻/電容延遲問題。而鋁導線具有較高的電阻率(約4μΩ·cm)使得陣列基板的像素電極不能夠充分充電,隨著高頻(>120Hz)液晶顯示的廣泛應用,這一現象更加明顯。銅導線相對于鋁導線具有較低的電阻率(約2μΩ·cm)及良好的抗電遷移能力,因而被應用到陣列基板上來解決上述鋁導線產生的問題。
然而,銅金屬薄膜暴露在空氣中,或者與一些具有氧化特性的膜層接觸時,容易出現被氧化的問題,如果銅表面被氧化,會造成銅金屬膜層的變質脫落,這勢必會影響電流信號的傳輸和導通,比如,在過孔結構中,一般通過透明導電氧化物材料來完成公共電極與其他膜層之間的跨接,如果金屬氧化物導電層與銅接觸,往往會出現接觸界面的銅膜層出現嚴重氧化,造成界面接觸電阻過高導致接觸不良問題的發生,影響薄膜晶體管的正常工作,出現顯示器件的功能性不良。
因此,如何解決金屬層容易被氧化的問題是急需解決的技術問題。
發明內容
本發明實施例提供一種顯示面板、其制作方法及顯示裝置,用以解決現有技術中存在的無法解決金屬層容易被氧化的問題。
第一方面,本發明實施例提供了一種顯示面板的制作方法,包括:
在襯底基板上形成第一金屬層的圖形,以及位于所述第一金屬層背離所述襯底基板一側的金屬氧化物導電層的圖形,且所述金屬氧化物導電層通過至少一個通孔與所述第一金屬層電性連接;其中,
在形成所述金屬氧化物導電層的圖形之前,在所述第一金屬層遠離所述襯底基板一側的表面形成一層還原金屬層;
在形成所述金屬氧化物導電層的圖形之后,對所述還原金屬層和所述金屬氧化物導電層進行處理,以使所述還原金屬層氧化為第二金屬層,以及所述金屬氧化物導電層靠近所述襯底基板一側的表面還原出金屬顆粒。
在一種可能的實現方式中,在本發明實施例提供的上述制作方法中,所述在所述第一金屬層遠離所述襯底基板一側的表面形成一層還原金屬層,包括:
將還原劑與所述還原金屬層對應的化合物水溶液在設定條件下反應,將得到的溶液涂覆到所述第一金屬層遠離所述襯底基板一側的表面,以形成所述還原金屬層。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





