[發明專利]用于半導體結構的ESD裝置

有效

• 申請號: 201710762507.4
• 申請日: 2017-08-30
• 公開（公告）號: CN107799517B
• 公開（公告）日: 2021-11-26
• 發明（設計）人: 李建興;馬哈德瓦爾·納塔拉恩;曼約納塔·普拉布
• 申請（專利權）人: 格芯(美國)集成電路科技有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02
• 代理公司: 北京戈程知識產權代理有限公司 11314
• 代理人: 程偉;王錦陽

1.一種集成電路的靜電放電(ESD)裝置，包含：

襯底，其上配置有縱向延伸的鰭；

第一n型鰭式場效應晶體管(NFET)，配置在該鰭內，該第一n型鰭式場效應晶體管包括n型源極、n型漏極以及配置在該n型源極與該n型漏極下方的該襯底內的p井；以及

p型鰭式場效應晶體管(PFET)，配置在該鰭內，該p型鰭式場效應晶體管包括p型源極區域及/或p型漏極區域以及配置在該p型源極區域及/或p型漏極區域下方的該襯底內的n井，該n井與p井彼此足夠靠近以在之間形成np結；

其中，該p型鰭式場效應晶體管的該p型源極區域及/或p型漏極區域與該第一n型鰭式場效應晶體管的該n型漏極電連接至共同的輸入節點；

其中，該n型源極與該p井通過共同的接地節點電連接至該集成電路的接地。

2.如權利要求1所述的靜電放電裝置，其中，該輸入節點連接至該集成電路的輸入單元、輸出單元及電源的其中一者。

3.如權利要求1所述的靜電放電裝置，其中，當ESD事件通過該輸入節點傳導時，該第一n型鰭式場效應晶體管與p型鰭式場效應晶體管電連接而操作為與NPN晶體管并聯的硅控整流器(SCR)。

4.如權利要求1所述的靜電放電裝置，包含第一PNP晶體管，該第一PNP晶體管包括：

射極，自該p型源極區域及/或p型漏極區域形成；

基極，自該n井形成；以及

集極，自該p井形成。

5.如權利要求1所述的靜電放電裝置，包含第一NPN晶體管，該第一NPN晶體管包括：

集極，自該n井形成；

基極，自該p井形成；以及

射極，自該n型源極形成。

6.如權利要求1所述的靜電放電裝置，包含第二NPN晶體管，該第二NPN晶體管包括：

基極，自該p井形成；

集極，自該n型漏極形成；以及

射極，自該n型源極形成。

7.如權利要求1所述的靜電放電裝置，包含：

硅控整流器，包括：

第一PNP晶體管，包括：

射極，自該p型源極區域及/或p型漏極區域形成，

基極，自該n井形成，以及

集極，自該p井形成；以及

第一NPN晶體管，包括：

集極，自該n井形成；

基極，自該p井形成；以及

射極，自該n型源極形成；以及

第二NPN晶體管，包括：

基極，自該p井形成；

集極，自該n型漏極形成；以及

射極，自該n型源極形成。

8.如權利要求7所述的靜電放電裝置，其中：

該第一PNP晶體管的該基極電連接至在該n井處的該第一NPN晶體管的該集極；

該第一NPN晶體管的該基極、該第一PNP晶體管的該集極以及該第二NPN晶體管的該基極一起電連接于該p井處；以及

該第一和第二NPN晶體管的該射極一起電連接于該n型源極處。

9.如權利要求8所述的靜電放電裝置，其中，該硅控整流器與該第二NPN晶體管并聯電連接在該輸入節點與該接地節點之間。

10.如權利要求9所述的靜電放電裝置，包含形成自該襯底的固有電阻率的襯底電阻器，該襯底電阻器在該第一NPN晶體管與該接地節點之間電連接。