[發明專利]用于處理基板的裝置和方法

有效

• 申請號: 201710762195.7
• 申請日: 2017-08-30
• 公開（公告）號: CN107799440B
• 公開（公告）日: 2022-04-15
• 發明（設計）人: 樸珉貞;李正悅;李賢熙;曺守鉉
• 申請（專利權）人: 細美事有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/687
• 代理公司: 北京市中倫律師事務所 11410
• 代理人: 石寶忠

本發明涉及用于處理基板的裝置和方法。該方法包括在供給處理液的同時以第一速度和第二速度交替地重復旋轉基板，其中，第二速度高于第一速度。

技術領域

本文描述的本發明構思的實施方式涉及用于處理基板的裝置和方法。

背景技術

半導體器件的制造要進行各種工藝，例如清潔、沉積、光刻、蝕刻和離子注入。在這些工藝當中，使用沉積和旋涂硬(SOH)掩模(以下稱為涂覆)工藝作為在基板上形成膜的工藝。此外，蝕刻工藝包括在真空狀態下使用等離子體的干式蝕刻方法和在常壓狀態下使用液體化學品的濕式蝕刻方法。

通常，沉積工藝是通過在基板上沉積工藝氣體而在基板上形成膜的工藝，涂覆工藝是通過將處理液供給到基板的中心而形成液體膜的工藝。

通常通過將處理液供給到以特定速度旋轉的基板來進行處理液供給工藝，例如涂覆工藝或濕法蝕刻工藝。在這種情況下，為了將處理液涂覆在基板的整個表面上并提供足夠的處理速度，提供特定量以上的處理液。

發明內容

本發明構思的實施方式提供了一種提高處理效率的裝置和方法。

本發明構思的實施方式還提供了用于減少所使用的處理液量的裝置和方法。

本發明構思的目的不限于上述目的。本發明概念所屬領域的技術人員將從下面的描述中清楚地了解未提及的其它技術目的。

本發明構思提供了一種通過將處理液供給到基板上來處理基板的方法。所述方法可以包括：在供給所述處理液的同時以第一速度和第二速度交替地重復旋轉所述基板，其中所述第二速度可以高于所述第一速度。

可以將基板的旋轉速度在第一速度和第二速度之間改變兩次以上。

基板的初始旋轉速度是第一速度或第二速度。

在將基板的旋轉速度在第一速度和第二速度之間改變時，所述基板的旋轉加速度可以是恒定的或變化的。

第一速度可以是100rpm以下，并且第二速度可以是1000rpm以上。

第一速度可以是0rpm。

處理液可以是用于蝕刻涂覆在基板上的膜的化學品。

處理液可以包括稀釋劑。

供給處理液的時間段可以是100秒以下。

與此不同的是，用于處理基板的方法可以包括：第一涂覆工藝，其在第一室中通過將第一涂覆液提供到具有圖案的基板上而形成第一涂層，蝕刻工藝，其通過將化學品供給到基板上而去除位于圖案的上表面上的第一涂層，使得圖案的上表面暴露；以及第二涂覆工藝，其在第二室中通過將第二涂覆液供給到具有圖案的基板上而形成第二涂層，其中可以依次執行所述第一涂覆工藝、所述蝕刻工藝和所述第二涂覆工藝，在蝕刻工藝中，可以在供給所述化學品的同時，以第一速度和第二速度交替地重復旋轉所述基板，并且第二速度可以高于第一速度。

可以將基板的旋轉速度在第一速度和第二速度之間改變兩次以上。

基板的初始旋轉速度可以是第一速度或第二速度。

在將基板的旋轉速度在第一速度和第二速度之間改變時，所述基板的旋轉加速度可以是恒定的或變化的。

可以在第一室或第二室中的一者中進行蝕刻工藝。

此外，本發明構思提供了一種基板處理裝置。基板處理裝置可以包括：基板支撐構件，其支撐基板；旋轉驅動構件，其被配置為旋轉基板支撐構件；液體供給單元，其被配置為將處理液供給到由基板支撐構件支撐的基板上；和控制器，其被配置為控制旋轉驅動構件和液體供給單元，控制器可以控制旋轉驅動構件和液體供給單元，使得在供給處理液的同時以第一速度和第二速度交替地重復旋轉基板；并且第二速度高于第一速度。