[發明專利]一種表面貼裝熔斷器及其制造方法

有效

• 申請號: 201710761906.9
• 申請日: 2017-08-30
• 公開（公告）號: CN107452558B
• 公開（公告）日: 2020-03-31
• 發明（設計）人: 李向明;劉莎
• 申請（專利權）人: AEM科技（蘇州）股份有限公司
• 主分類號: H01H69/02
• 分類號: H01H69/02;H01H85/40;H01H85/06
• 代理公司: 蘇州創元專利商標事務所有限公司 32103
• 代理人: 孫仿衛;林傳貴

1.一種表面貼裝熔斷器，包括：

絕緣殼體，所述絕緣殼體的一側向內凹陷形成容置腔；

熔絲主體，所述熔絲主體包括兩個導電電極及設置在所述導電電極之間的熔斷部，所述熔斷部位于所述容置腔內，所述導電電極伸出所述容置腔；

滅弧部，所述滅弧部包括滅弧材料，所述滅弧部包覆所述熔斷部；

其特征在于，

所述滅弧材料含有金屬水合物、含水硅酸鹽礦物及含水硅鋁酸鹽礦物的一種或者幾種；

所述熔絲主體為導電金屬材料一體成型的金屬件，所述熔絲主體表面覆蓋由低熔點金屬構成的薄層；

兩個所述導電電極分別自所述容置腔的出口向所述容置腔的內頂壁延伸并向所述出口的方向回折下彎后形成錨定部，兩個所述錨定部分別與所述熔斷部固定連接。

2.根據權利要求1所述的表面貼裝熔斷器，其特征在于：所述滅弧部還包括粘結劑,所述粘結劑為有機粘結劑/無機粘結劑，所述滅弧部中的所述粘結劑的質量百分比為5-90%。

3.根據權利要求1所述的表面貼裝熔斷器，其特征在于：所述錨定部上開設有開孔和/或凹陷。

4.根據權利要求1所述的表面貼裝熔斷器，其特征在于：所述導電電極具有凸出的不連通的輔助電極，所述輔助電極位于所述容置腔內。

5.根據權利要求4所述的表面貼裝熔斷器，其特征在于：所述輔助電極與所述熔斷部并列排布。

6.根據權利要求1-5任一所述的表面貼裝熔斷器，其特征在于：所述滅弧部填滿所述容置腔與所述熔絲主體之間的空間。

7.根據權利要求1-5任一所述的表面貼裝熔斷器，其特征在于：所述滅弧部與所述絕緣殼體之間充填隔熱樹脂，所述隔熱樹脂包括但不限于環氧樹脂。

8.一種權利要求6所述的表面貼裝熔斷器的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括如下步驟：

S11、將一整片導電金屬材料光刻/蝕刻形成多個相連的熔絲矩陣，在所述熔絲矩陣表面整體鍍覆低熔點金屬層，將所述熔絲矩陣折彎成型，制成包括折彎部及水平部的彎曲熔絲矩陣；

S12、將所述絕緣殼體植入根據所述彎曲熔絲矩陣的排列方式預先設置的裝載板中形成絕緣殼體矩陣，所述絕緣殼體的開口朝向一致；

S13、將所述彎曲熔絲矩陣對應位置組裝至所述絕緣殼體矩陣上，所述彎曲熔絲矩陣的每個所述折彎部位于所述絕緣殼體矩陣中的所述絕緣殼體的所述容置腔中；

S14、將所述滅弧部的漿料填充入所述絕緣殼體的所述容置腔中，并加熱固化；

S15、切割或沖斷所述彎曲熔絲矩陣的連接處，將所述水平部超出所述絕緣殼體的外側的部分向所述絕緣殼體的外側面折彎。

9.一種權利要求7所述的表面貼裝熔斷器的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括如下步驟：

S21、將一整片導電金屬材料光刻/蝕刻形成多個相連的熔絲矩陣，在所述熔絲矩陣表面整體鍍覆低熔點金屬層，將所述熔絲矩陣折彎成型，制成包括折彎部及水平部的彎曲熔絲矩陣；

S22、將所述滅弧部的漿料包覆在所述熔斷部的上表面及下表面，并加熱固化；

S23、將所述絕緣殼體植入根據所述彎曲熔絲矩陣的排列方式預先設置的裝載板中形成絕緣殼體矩陣，所述絕緣殼體的開口朝向一致；

S24、將所述彎曲熔絲矩陣對應位置組裝至所述絕緣殼體矩陣上，所述彎曲熔絲矩陣的每個所述折彎部位于所述絕緣殼體矩陣中的所述絕緣殼體的所述容置腔中；

S25、將所述隔熱樹脂填充入所述絕緣殼體的所述容置腔中，并加熱固化；

S26、切割或沖斷所述彎曲熔絲矩陣的連接處，將所述水平部超出所述絕緣殼體的外側的部分向所述絕緣殼體的外側面折彎。

10.根據權利要求8或9所述的制備方法，其特征在于：所述滅弧部為由硅橡膠、硅酸鹽及水玻璃的一種或幾種與金屬水合物、含水硅酸鹽礦物及含水硅鋁酸鹽礦物的一種或者幾種均勻混合形成。